本發(fā)明有關一種擴散板、設備及擴散板布孔方法，且尤其是有關一種用于擴散工藝氣體的擴散板、蝕刻設備及擴散板布孔方法。

背景技術：

1、嵌入式芯片基板(embedded?die?in?substrate，eds)、嵌入式被動元件基板(embedded?passive?in?substrate，eps)、扇出型面板級封裝(fan-out?panel?levelpackaging，foplp)、重布線層(redistribution?layer，rdl)等先進封裝技術，或應用于micro-led或mini-led等先進顯示技術，一般采用包含介電絕緣材料、半導體元件芯片、金屬導線(interconnection)的復合基板。在一些采用前述技術的制造過程中，已切割的半導體元件、被動元件或金屬凸塊(metal?bump，例如銅柱(copper?pillar))會被排列，并埋入大型有機絕緣基板、增層材料(例如模塑料、銅箔基板(copper?clad?laminate，ccl)、abf增層膜(ajinomoto?build-up?film))、或干膜光阻(dry?film?resist)之中，然后再通過研磨的方式減薄不需要的基板或材料，以便選擇性地露出芯片元件或金屬導線。然而，在研磨過程中，芯片、元件或銅柱可能會受到外加應力而破損。

2、隨著半導體產(chǎn)業(yè)的進步，等離子體工藝被廣泛應用，例如用于減薄多余的基板或材料。在這樣的應用中，基板或材料被水平地放置在真空腔體內，再利用等離子體源將工藝氣體分解為自由基，并使其均勻接觸基板或材料的表面，進而進行化學性干式蝕刻；或于真空腔體內施以電場而使等離子體以特定方向轟擊基板或材料的表面進行物理性干式蝕刻，借此達到薄化、去除氧化層、平坦化等目的。

3、一般而言，前述蝕刻工藝會將包含多個孔洞的一擴散板放置于一腔室內，并設置一氣體入口。在例如化學性干式蝕刻中，工藝氣體會自擴散板的孔洞均勻地擴散至腔室內的不同位置，進而能對所欲蝕刻的基板進行蝕刻。

4、然而，氣體入口大多位于腔室的中間位置并對應基板中間，因此導致基板周圍的工藝氣體密度較低。此外，現(xiàn)有的扇出型(fan-out)封裝技術仍以晶圓級封裝(wafer-levelpackaging，wlp)為主，于此應用中，擴散板的孔洞配置是以同心圓狀進行排列。當運用于面板級封裝時，由于基板的形狀由圓形改為矩形，且尺寸大幅增大之后，若仍使用同心圓狀的孔位配置(如圖1，其繪示先前技術的一種擴散板p1的正視示意圖)時，將容易產(chǎn)生工藝氣體的分布不均(如圖2，其繪示依照圖1先前技術的擴散板p1于擴散cf4時的cf4擴散狀況與cf4飽和度的關系圖)，而使得蝕刻的良率降低。

5、有鑒于此，如何發(fā)展出一種能有助于讓工藝氣體均勻擴散的擴散板，遂成相關業(yè)者努力的目標。

技術實現(xiàn)思路

1、為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種擴散板、蝕刻設備及擴散板布孔方法，通過孔洞的配置，可以提升工藝氣體的均勻度。

2、依據(jù)本發(fā)明一實施方式提供一種擴散板，其包含一板體以及多個孔洞。板體包含一矩形布孔范圍，矩形布孔范圍包含涵蓋四角落的一外圍區(qū)域，外圍區(qū)域的面積占比不大于矩形布孔范圍的62％。前述多個孔洞分布于矩形布孔范圍，且前述多個孔洞由內而外依序排列成同心的第1個至第n個矩形，第1個至第n個矩形的尺寸由第1個矩形朝第n個矩形逐漸變大，n為正整數(shù)。其中，前述多個孔洞中的一部分孔洞位于外圍區(qū)域內，且前述一部分孔洞的孔徑大于前述多個孔洞中的其他部分孔洞的孔徑。

3、借此，擴散板的孔洞呈同心矩形分布，且矩形布孔范圍的外圍區(qū)域的孔洞的孔徑較大，而能提升角落工藝氣體的密度，以提升工藝氣體的擴散均勻度。

4、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，δsi可表示為第1個至第n個矩形中的一第i個矩形與其相鄰者的邊長差值，δsi為正，i為各矩形的引數(shù)且介于1至n之間，δs1等于第1個矩形的邊長，滿足3mm≦δsi≦50mm的關系。

5、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，cii可表示為第i個矩形上的那些孔洞中的一孔洞與其相鄰的另一孔洞的孔距，并滿足0.3×δsi≦cii≦5×δsi的關系。

6、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，第1個至第n個矩形可由內而外區(qū)分為j個群組，各該群組以引數(shù)j代表，包含從一第imin,j個矩形至一第imax,j個矩形的共dj個矩形，且imax,j＝imin,j+dj-1，各群組內的那些矩形的孔距隨那些矩形的引數(shù)i增加而增加，第imin,j個矩形到第imax,j個矩形屬于一群組，一第imax,j+1個矩形屬于相鄰的另一群組，且使第imax,j+1個矩形的孔距小于第imax,j個矩形的孔距，j、dj為正整數(shù)。

7、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，可滿足4≦dj≦n的關系。

8、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，遠離第1個矩形的一群組的那些矩形中尺寸最大者的孔距，可小于鄰近第1個矩形的另一群組的那些矩形中尺寸最大者的孔距。

9、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，第1個至一第m個矩形對應的邊長差值可相異于一第m+1個矩形至第n個矩形對應的邊長差值，m為正整數(shù)，m小于等于2分之n。

10、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，第1個至第n個矩形中每一矩形的各角點可包含一孔洞。

11、依據(jù)前述實施方式的擴散板，適用于面板級封裝工藝，其中，擴散板為浮接設置、接地設置、及連接交流電源的其中一者。

12、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，矩形布孔范圍更包含一中心區(qū)域以及位于中心區(qū)域及外圍區(qū)域間的一第一同心圓區(qū)域，中心區(qū)域涵蓋第1個至一第m個矩形，m為正整數(shù)，m小于等于2分之n，以φ1表示位于中心區(qū)域內的任一孔洞的孔徑，φ2表示位于第一同心圓區(qū)域內的任一孔洞的孔徑，φ3表示位于外圍區(qū)域內的任一孔洞的孔徑，更滿足φ1≦φ2<φ3的關系。

13、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，可更滿足0.4mm≦φ1<φ2<φ3≦2.5mm。

14、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，矩形布孔范圍更包含一中心區(qū)域以及位于中心區(qū)域及外圍區(qū)域間的一第一同心圓區(qū)域，第一同心圓區(qū)域可具有一第一同心圓邊界，d1表示為第一同心圓邊界與矩形布孔范圍的中心間的一第一同心圓距離，d0表示為第n個矩形與矩形布孔范圍的中心間的距離，滿足0.7×d0≦d1≦d0的關系。

15、依據(jù)前述實施方式的擴散板，其中，矩形布孔范圍可更包含一第二同心圓區(qū)域位于中心區(qū)域與第一同心圓區(qū)域之間，第二同心圓區(qū)域具有一第二同心圓邊界，d2表示為第二同心圓邊界與矩形布孔范圍的中心間的一第二同心圓距離，以φ1表示位于該中心區(qū)域內的任一該孔洞的孔徑，φ2'表示位于第二同心圓區(qū)域內的任一孔洞的孔徑，φ2表示位于該第一同心圓區(qū)域內的任一該孔洞的孔徑，φ3表示位于該外圍區(qū)域內的任一該孔洞的孔徑，滿足0.3×d0≦d2≦0.8×d0及φ1<φ2'≦φ2<φ3的關系。

16、依據(jù)本發(fā)明另一實施方式提供一種蝕刻設備，其包含一腔室、一氣體入口以及一前述實施方式的擴散板。氣體入口連通腔室且適用于提供一工藝氣體，擴散板設置于腔室內且位于氣體入口的下方。

17、依據(jù)前述實施方式的蝕刻設備，可更包含一載臺設置于腔室內且位于擴散板的下方，載臺包含用以承載至少一基板的一工藝有效區(qū)域，工藝有效區(qū)域的外輪廓呈矩形，擴散板的第n個矩形的邊長大于工藝有效區(qū)域的外輪廓邊長且比值范圍介于1.0至2.0之間。

18、依據(jù)本發(fā)明另一實施方式提供一種擴散板布孔方法，其包含一布孔范圍決定步驟以及一孔洞配置步驟。于布孔范圍決定步驟中，決定一擴散板中一板體的一矩形布孔范圍。于孔洞配置步驟中，于矩形布孔范圍內配置多個孔洞的位置，前述多個孔洞由內而外依序排列成同心的第1個至第n個矩形，第1個至第n個矩形的尺寸由第1個矩形朝第n個矩形逐漸變大，矩形布孔范圍包含涵蓋四角落的一外圍區(qū)域，外圍區(qū)域的面積占比不大于矩形布孔范圍的62％，且前述多個孔洞中的一部分孔洞位于外圍區(qū)域，前述一部分孔洞中任一孔洞的孔徑大于前述多個孔洞中的其他部分孔洞的任一者的孔徑，δsi表示為第1個至第n個矩形中的一第i個矩形與其相鄰者的邊長差值，δsi為正，cii表示為第i個矩形上的那些孔洞中的一孔洞與其相鄰的另一孔洞的孔距，i為各矩形的引數(shù)且介于1至n之間，δs1等于第1個矩形的邊長，其中，孔洞配置步驟包含決定一實際孔距上限范圍及一實際孔距下限范圍，將第1個至第n個矩形分為j個群組，各群組以引數(shù)j代表，包含從一第imin,j個矩形至一第imax,j個矩形的共dj個矩形，且imax,j＝imin,j+dj-1，及使各群組內的第imin,j個矩形的孔距落于實際孔距下限范圍，使各群組內的該第imax,j個矩形的孔距落于實際孔距上限范圍，使各群組內的那些矩形的孔距隨那些矩形的引數(shù)i變大而變大，其中，第imin,j個矩形到第imax,j個矩形屬于一群組，一第imax,j+1個矩形屬于相鄰的另一群組，且使第imax,j+1個矩形的孔距小于第imax,j個矩形的孔距，j、dj為正整數(shù)。

19、依據(jù)前述實施方式的擴散板布孔方法，其中，可于孔洞配置步驟中，以計算第i個矩形的孔距，其中，amaxcii表示實際孔距上限范圍中對應第i個矩形的值，amincii表示實際孔距下限范圍中對應第i個矩形的值。

20、依據(jù)前述實施方式的擴散板布孔方法，其中，于該孔洞配置步驟中，先決定δsi。

21、依據(jù)前述實施方式的擴散板布孔方法，其中，于孔洞配置步驟中，實際孔距上限范圍可介于18mm至22mm之間，實際孔距下限范圍介于12mm至14mm之間。