1.一種具備抗反射結(jié)構(gòu)的微顯示芯片,其特征在于,所述微顯示芯片的表面包括:發(fā)光區(qū)、非發(fā)光區(qū)以及io區(qū);
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示芯片,其特征在于,
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微顯示芯片,其特征在于,
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微顯示芯片,其特征在于,
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示芯片,其特征在于,
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微顯示芯片,其特征在于,
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微顯示芯片,其特征在于,
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示芯片,其特征在于,
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示芯片,其特征在于,
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示芯片,其特征在于,
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微顯示芯片,其特征在于,
12.一種微顯示芯片的制備方法,其特征在于,所述方法用于制備如權(quán)利要求1至11任一項所述的微顯示芯片,所述微顯示芯片的表面包括:發(fā)光區(qū)、非發(fā)光區(qū)以及io區(qū),所述方法包括:
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,所述抗反射單元為微透鏡單元;
14.根據(jù)權(quán)利要求12所示的方法,其特征在于,所述抗反射單元為微透鏡單元;
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,所述抗反射單元為微透鏡單元;
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,所述抗反射單元為粗化后的化合物像素單元;
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其特征在于,所述方法還包括: