陣列基板和制造該陣列基板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開涉及陣列基板，并且更具體地，涉及一種通過阻止氫流入到薄膜晶體管的 氧化物半導(dǎo)體層中來防止氧化物半導(dǎo)體層的劣化的陣列基板和一種制造該陣列基板的方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 最近，隨著信息社會進(jìn)步，處理和顯示大量信息的顯示裝置迅速地發(fā)展，并且已開 發(fā)了各種平板顯示器（FPD)。具體地，在薄外形、輕重量和低功耗方面具有優(yōu)良性能的諸如 液晶顯示器（LCD)裝置、等離子體顯示面板（PDP)裝置、有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)顯示裝置 和場發(fā)射顯示器（FED)裝置的FPD已取代陰極射線管（CRT)。
[0003] 在各種FH)當(dāng)中，具有高對比度、顯示運(yùn)動(dòng)圖像方面的優(yōu)點(diǎn)和低功耗的LCD裝置已 用在諸如筆記本、監(jiān)視器和電視機(jī)的各種領(lǐng)域中。LCD裝置使用液晶分子的光學(xué)各向異性和 極化特性。因?yàn)橐壕Х肿泳哂虚L且薄的外形，所以液晶分子具有布置定向的光學(xué)各向異性 和極化，使得液晶分子的布置方向根據(jù)電場的強(qiáng)度而改變。
[0004] 另外，OLED顯示裝置具有諸如高亮度和由低電壓驅(qū)動(dòng)的能力的優(yōu)良特性。因?yàn)?OLED顯示裝置具有發(fā)射類型，所以O(shè)LED顯示裝置具有高對比度和薄外形。OLED顯示裝置 由于數(shù)微秒（Usec)的短響應(yīng)時(shí)間而在顯示運(yùn)動(dòng)圖像方面具有優(yōu)點(diǎn)。OLED顯示裝置對視角 沒有限制，并且即便在低溫度下也是穩(wěn)定的。因?yàn)镺LED顯示裝置由直流（DC)的5V至15V 的低電壓驅(qū)動(dòng)，所以易于制造和設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路。
[0005] IXD裝置和OLED顯示裝置包括具有用于接通和斷開像素區(qū)域的薄膜晶體管（TFT) 的陣列基板。彼此交叉以限定像素區(qū)域的選通線和數(shù)據(jù)線形成在陣列基板上。另外，至少 一個(gè)TFT形成在像素區(qū)域中。TFT當(dāng)作用于接通和斷開像素區(qū)域的開關(guān)元件并且當(dāng)作用于 驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域以顯示圖像的驅(qū)動(dòng)元件。具體地，至少兩個(gè)TFT形成在用于OLED顯示裝置的 陣列基板的像素區(qū)域中。
[0006] 像素區(qū)域中的TFT具有根據(jù)用于半導(dǎo)體層的材料的各種結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層可以包括 非晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料和多晶硅中的一種，并且陣列基板包括根據(jù)用于半導(dǎo)體層的材 料而具有頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)的TFT。
[0007] 在具有各種材料的半導(dǎo)體層的TFT當(dāng)中，具有氧化物半導(dǎo)體材料的氧化物半導(dǎo)體 層的TFT是最近研宄的主題。
[0008] 具有氧化物半導(dǎo)體層的TFT的載流子的導(dǎo)電性優(yōu)于具有非晶硅的半導(dǎo)體層的 TFT。另外，具有氧化物半導(dǎo)體層的TFT與具有要求摻雜有雜質(zhì)的多晶硅半導(dǎo)體層的TFT相 比具有簡化的制造工藝。
[0009] 然而，具有氧化物TFT的陣列基板包括在氧化物半導(dǎo)體層上方或下方的有機(jī)材料 或無機(jī)材料的多個(gè)絕緣層，諸如柵絕緣層、蝕刻阻擋層（etchstopper)和鈍化層。另外，用 于OLED顯示裝置的陣列基板還包括平整層（planarizationlayer)和堤層（banklayer)。
[0010] 該多個(gè)絕緣層（具體地，氮化硅的絕緣層）具有大量氫，并且該多個(gè)絕緣層的氫擴(kuò) 散到氧化物半導(dǎo)體層中。結(jié)果，氧化物半導(dǎo)體層由于氫而劣化并且氧化物半導(dǎo)體層的使用 壽命降低。另外，因?yàn)闅鋵⒀趸锇雽?dǎo)體層改變?yōu)閷?dǎo)體，所以氧化物半導(dǎo)體層不充當(dāng)半導(dǎo)體 層。結(jié)果，具有氧化物半導(dǎo)體層的TFT的特性劣化。
[0011] 此外，TFT的電流和電壓特性沿著負(fù)方向偏移（負(fù)閾值電壓偏移）。當(dāng)TFT的電流 和電壓特性沿著負(fù)方向偏移時(shí)，使用TFT作為驅(qū)動(dòng)元件的發(fā)光二極管根據(jù)OLED顯示裝置中 的位置而具有不同的發(fā)射亮度特性，并且OLED顯示裝置的顯示質(zhì)量由于亮度的非均勻性 而劣化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種陣列基板和制造該陣列基板的方法。因此，一個(gè)示例 性實(shí)施方式致力于一種基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè) 問題的陣列基板。
[0013] 一個(gè)示例性實(shí)施方式是一種陣列基板以及制造該陣列基板的方法，在該陣列基板 中，氫從絕緣層到氧化物半導(dǎo)體層中的擴(kuò)散被抑制，使得能夠防止氧化物半導(dǎo)體層的劣化 并且能夠防止薄膜晶體管的特性的劣化。
[0014] 另外，一個(gè)示例性實(shí)施方式是一種陣列基板以及制造該陣列基板的方法，在該陣 列基板中，氫從絕緣層到氧化物半導(dǎo)體層中的擴(kuò)散被抑制，使得能夠防止薄膜晶體管的電 流和電壓特性的負(fù)偏移。
[0015] 本公開的優(yōu)點(diǎn)和特征將在以下的說明書中部分地闡述，并且部分地對于研宄了下 文的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將變得顯而易見，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中學(xué)習(xí)到。本文 的實(shí)施方式的其它優(yōu)點(diǎn)和特征可以由在所撰寫的說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中所特 別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
[0016] 為了依照根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的目的實(shí)現(xiàn)其它優(yōu)點(diǎn)和特征，一個(gè)示例性實(shí)施方 式是一種陣列基板，該陣列基板包括：包括像素區(qū)域的基板；所述像素區(qū)域中的薄膜晶體 管，該薄膜晶體管包括柵電極、氧化物半導(dǎo)體層以及彼此間隔開的源電極和漏電極，其中， 無機(jī)絕緣材料的第一絕緣層被布置在所述柵電極與所述氧化物半導(dǎo)體層之間，并且其中， 無機(jī)絕緣材料的第二絕緣層被布置在所述氧化物半導(dǎo)體層與所述源電極和所述漏電極之 間；所述薄膜晶體管上的鈍化層，該鈍化層具有暴露所述漏電極的漏接觸孔；所述像素區(qū) 域中的所述鈍化層上的第一電極，該第一電極通過所述漏接觸孔連接至所述漏電極；以及 第一氫吸收層，該第一氫吸收層在所述第一絕緣層的頂面和底面、所述第二絕緣層的頂面 和底面以及所述鈍化層的頂面和底面中的至少一個(gè)上，該第一氫吸收層包括彼此間隔開的 多個(gè)微粒，該多個(gè)微粒包括鎳、鈀和鉑中的一種。
[0017] 在另一方面中，一個(gè)示例性實(shí)施方式是一種制造陣列基板的方法，該方法包括以 下步驟：在基板上的像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵電極、氧化物半導(dǎo)體 層以及彼此間隔開的源電極和漏電極，其中，無機(jī)絕緣材料的第一絕緣層被布置在所述柵 電極與所述氧化物半導(dǎo)體層之間，并且其中，無機(jī)絕緣材料的第二絕緣層被布置在所述氧 化物半導(dǎo)體層與所述源電極和所述漏電極之間；在所述薄膜晶體管上形成鈍化層，該鈍化 層具有暴露所述漏電極的漏接觸孔；在所述像素區(qū)域中的所述鈍化層上形成第一電極，該 第一電極通過所述漏接觸孔連接至所述漏電極；以及在所述第一絕緣層的頂面和底面、所 述第二絕緣層的頂面和底面以及所述鈍化層的頂面和底面中的至少一個(gè)上形成第一氫吸 收層，該第一氫吸收層包括彼此間隔開的多個(gè)微粒，該多個(gè)微粒包括鎳、鈀和鉑中的一種。
[0018] 應(yīng)當(dāng)理解，以上總體描述和以下詳細(xì)描述這二者都是示例性的和說明性的，并且 旨在提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。
【附圖說明】
[0019] 附圖被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本說明書并構(gòu)成本說明書 的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與本描述一起用來說明本發(fā)明的原理。
[0020] 圖1A至圖1M是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的陣列基板的方法的截面 圖。
[0021] 圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的陣列基板的氫吸收層的界面的截面 圖。
[0022] 圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的陣列基板的氫吸收層的界面的截面 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本發(fā)明的實(shí)施方式，其示例被例示在附圖中。在以下描述中，當(dāng) 確定與本文獻(xiàn)有關(guān)的公知的功能或配置的詳細(xì)描述會不必要地使本發(fā)明的要點(diǎn)變得不清 楚時(shí)，將省略其詳細(xì)描述。所描述的處理步驟和/或操作的進(jìn)度是示例；然而，除了必須以 特定順序發(fā)生的步驟和/或操作之外，步驟和/或操作的順序不限于本文所闡述的順序，并 且可以如本領(lǐng)域公知的那樣改變。相同的附圖標(biāo)記始終標(biāo)明相同的元件。僅為了撰寫本說 明書的方便而選擇以下說明中使用的相應(yīng)元件的名稱，進(jìn)而這些名稱可以與實(shí)際產(chǎn)品中使 用的那些名稱不同。
[0024] 圖1A至圖1M是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的陣列基板的方法的截面 圖。
[0025] 在圖1A中，在第一金屬層（未示出）通過沉積金屬材料被形成在基板110上之后， 選通線（未示出）和連接至該選通線的柵電極115通過經(jīng)由光刻工藝使第一金屬層圖案化 而形成在基板1