發(fā)光顯示器的像素界定層及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光顯示器的像素界定層及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (有機發(fā)光二極管)的成膜方式主要有蒸鍍制程和溶液制程。蒸鍍制程在小尺寸應(yīng)用較為成熟，目前該技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于量產(chǎn)中。而溶液制程OLED成膜方式主要有噴墨打印、噴嘴涂覆、旋涂、絲網(wǎng)印刷等，其中打印技術(shù)由于其材料利用率較高、可以實現(xiàn)大尺寸化，被認為是大尺寸OLED實現(xiàn)量產(chǎn)的重要方式。
[0003]噴墨打印工藝需要預先在基板的電極上制作像素界定層(Bank)，以限定墨滴準確的流入指定的子像素區(qū)，其中像素界定層上表面要求表面能較小的疏液型材料，從而保證墨滴不會溢出像素外造成像素間的混色；同時像素界定層的傾斜面上要求表面能大的親液型材料，保證液體在像素內(nèi)導電玻璃上鋪展而不會有小孔。
[0004]目前的正梯形像素界定層，像素界定層疏水處理后有機層的鋪展效果較差，在導電玻璃與像素界定層的邊緣會出現(xiàn)未鋪展的區(qū)域，蒸鍍陰極后容易致陰陽極短路，造成漏電。而倒梯形像素界定層會使墨水在像素內(nèi)的鋪展變好，但是會造成陰極不連續(xù)發(fā)光面積縮小的現(xiàn)象，要避免這種現(xiàn)象，需增加額外的膜厚，或?qū)㈥帢O鍍得很厚。在正梯形的基礎(chǔ)上制備雙層像素界定層可以避免單層像素界定層中的陰陽極短路現(xiàn)象，但同時有可能造成發(fā)光面積縮小的現(xiàn)象。
[0005]目前的打印工藝需要預先在基板的電極上制作像素界定層，以限定墨滴準確的流入指定的子像素區(qū)，其中，像素界定層上表面要求表面能較小的疏液型材料，保證墨滴不會溢出像素外造成像素間的混色；同時像素界定層的傾斜面上要求表面能大的親液型材料，保證液體在像素內(nèi)導電玻璃上鋪展。另外發(fā)光顯示器的發(fā)光效率也是目前材料瓶頸問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006](一 )要解決的技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明的目的是提供一種保證像素內(nèi)的墨水不會溢流到像素外部造成相鄰子像素間的混色的發(fā)光顯示器的像素界定層及其制作方法。
[0008]( 二 )技術(shù)方案
[0009]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光顯示器的像素界定層，所述像素界定層設(shè)于基板的導電層上，其包括基膜層，所述基膜層具有多個與各子像素單元發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)的開口，相鄰所述開口之間形成間隔基體；每個所述間隔基體的上表面具有疏水性量子點材料，每個所述開口的側(cè)壁具有親水性量子材料。
[0010]其中，所述間隔基體的縱截面為正梯形或者倒梯形。
[0011]其中，所述間隔基體的高度為0.1?100 μm。
[0012]其中，所述間隔基體的高度為0.5?5ym。
[0013]其中，每個所述開口的底壁具有親水性量子點材料。
[0014]本發(fā)明提供一種發(fā)光顯示器的像素界定層的制作方法，包括以下步驟:
[0015]SI，提供一個基板，在基板的導電層上涂覆一層光刻膠，曝光、顯影、光刻刻蝕出多個與各子像素單元發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)的開口，使相鄰的開口之間具有間隔基體，形成基膜層；
[0016]S2，在間隔基體的上表面噴涂疏水性量子點材料，在開口的側(cè)壁或在開口的側(cè)壁及底壁噴涂親水性量子點材料；或者
[0017]在間隔基體的上表面和開口的側(cè)壁噴涂親水性量子點材料或者在間隔基體的上表面和開口的側(cè)壁及底壁均噴涂親水性量子點材料，將位于間隔基體的上表面的親水性量子點材料改變成疏水性量子點材料；或者
[0018]在間隔基體的上表面和開口的側(cè)壁噴涂疏水性量子點材料或者在間隔基體的上表面和開口的側(cè)壁及底壁均噴涂疏水性量子點材料，將位于開口的側(cè)壁或者開口的側(cè)壁及底壁的疏水性量子點材料改變成親水性量子點材料。
[0019]其中，所述步驟SI中，光刻膠采用負性光刻膠，曝光、顯影、光刻刻蝕形成間隔基體，間隔基體的縱截面為倒梯形。
[0020]其中，所述步驟SI中，光刻膠采用正性光刻膠，曝光、顯影、光刻刻蝕形成間隔基體，間隔基體的縱截面為正梯形。
[0021]其中，所述步驟S2中，使用置換官能基、超聲乳化法或者光照的方式將疏水性量子點材料改變成親水性量子點材料；或者使用置換官能基的方法將親水性量子點材料改變成疏水性量子點材料。
[0022]其中，所述步驟SI中，基板采用導電玻璃。
[0023](三)有益效果
[0024]本發(fā)明提供的發(fā)光顯示器的像素界定層及其制作方法，像素界定層包括基膜層，基膜層上的開口的側(cè)壁或者開口的側(cè)壁和底壁涂布有親水性量子點材料，而間隔基體的上表面涂布有疏水性量子點材料，既能保證子像素內(nèi)的墨水不會溢流到子像素外部造成相鄰子像素間的混色，同時與其他雙層像素界定層相比，不會造成像素內(nèi)部發(fā)光面積的減小，且透過選擇合適的量子點材料，更可以將光色效率提升，不僅利于制程簡易更可大面積制作。量子點的材質(zhì)可依據(jù)實際器件狀況而改變。
【附圖說明】
[0025]圖1為本發(fā)明的像素界定層的實施例的俯視圖；
[0026]圖2為圖1中沿A-A方向的剖視圖；
[0027]圖3為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施例的流程圖；
[0028]圖4為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施方式一涂布正性光刻膠的剖視圖；
[0029]圖5為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施方式一制作出的基膜層的剖視圖；
[0030]圖6為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施方式一制作出的像素界定層的剖視圖；
[0031]圖7為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施方式一制作出的像素界定層另一優(yōu)選方式的剖視圖；
[0032]
[0033]
[0034]
[0035]圖8為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施方式二涂布正性光刻膠的剖視圖；
[0036]圖9為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施方式二制作出的基膜層的剖視圖；
[0037]圖10為本發(fā)明的像素界定層制作方法的實施方式二制作出的像素界定層的剖視圖。
[0038]圖中，1:基板；2:基膜層；3:開口 ；4:間隔基體；5:疏水性量子點材料；6:親水性量子點材料。
【具體實施方式】
[0039]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0040]一般來說，像素單元具有紅色R、綠色G和藍色B3個子像素單元或者紅色R、綠色G、藍色B、和白色4個子像素單元。圖1示出了一種像素界定層的俯視圖，圖中示出了一個像素的像素界定層，其具有三個開口，分別用于容納紅色R、綠色G和藍色B三種黑滴，形成一個具有3個子像素的像素單元。圖2為圖1中A-A部分的像素界定層的剖視圖，如圖1和2所示，本發(fā)明的發(fā)光顯示器的像素界定層，像素界定層設(shè)于基板I的導電層上，像素界定層包括基膜層2，基膜層2具有多個與各子像素單元發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)的開口 3，相鄰開口3之間形成間隔基體4。每個間隔基體4的上表面具有疏水性量子點材料5，每個開口 3的側(cè)壁具有親水性量子材料6。間隔基體4的縱截面可以正梯形或者倒梯形。
[0041]進一步的，開口 3的底壁也具有親水性量子點材料6。需要說明的是，開口 3的底壁為基板I的導電層的表面。
[0042]進一步的，如圖1所不，間隔基體4的尚度H為0.1?100 μ m，進一步優(yōu)選間隔基體4的高度H取0.5?5μπι。如間隔基體的高度H可以取0.1,0.5、5、10、20、50和10ym0
[0043]使用本發(fā)明的發(fā)光顯示器的像素界定層制造發(fā)光顯示器，既能保證子像素內(nèi)的墨水不會溢流到子像素外部造成相鄰子像素間的混色，又能保證墨水在子像素內(nèi)的基板上的鋪展，避免小孔的出現(xiàn)，制作方式簡易，適合大面積制作。同時，量子點的發(fā)光光譜具有連續(xù)性，高演色性的優(yōu)點，量子點激發(fā)光譜較寬及呈現(xiàn)連續(xù)分布，有時不同顏色量子點可以被同一波長的光激發(fā)，可以高效地選擇期望的光譜，能夠輔助增加發(fā)光效率。應(yīng)該說明的是，本實施方式僅以一個像素為例，實際上，本發(fā)明適用于在基板上形成一個基膜層，基膜層具有陣列排列的開口，在開口的側(cè)壁涂布親水性