可以為氮?dú)猓部梢詾榈獨(dú)馀c氫氣混合氣體。
[0032]203、按照預(yù)設(shè)的剝除厚度對(duì)芯片進(jìn)行漂洗，將富含可動(dòng)離子電荷的上表面從二氧化硅層中剝除。
[0033]具體過程可參見實(shí)施例一中步驟202，以及經(jīng)過第一次漂洗后可動(dòng)離子電荷在芯片中的分布圖如圖4所示。此時(shí)，芯片中大部分可動(dòng)離子電荷已從Si02層被去除，這樣芯片中總可動(dòng)離子電荷量大幅減少。
[0034]204、對(duì)漂洗后的所述芯片進(jìn)行沖水及甩干。
[0035]剝除結(jié)束以后，將芯片置于去離子水中清洗，去掉表面殘余HF溶液和可動(dòng)離子電荷，然后并將芯片進(jìn)行甩干。
[0036]205、在設(shè)定溫度下對(duì)芯片再次進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的烘烤處理，以使可動(dòng)離子電荷聚集到二氧化硅層的上表面。
[0037]206、在所述烘烤處理過程中，再次向烘烤所述芯片的設(shè)備中通入用于消除存在于二氧化硅層與硅襯底界面之間的可動(dòng)離子電荷的氣體。
[0038]207、按照剝除厚度對(duì)芯片再次進(jìn)行漂洗，將富含可動(dòng)離子電荷的上表面從二氧化硅層中剝除。
[0039]208、對(duì)漂洗后的芯片再次進(jìn)行沖水及甩干。
[0040]為盡快能地去除將芯片中的可動(dòng)離子電荷，可以再次對(duì)芯片重復(fù)烘烤、漂洗、水沖洗及甩干，即循環(huán)執(zhí)行二次上述步驟201?步驟204。
[0041]在第二次對(duì)芯片進(jìn)行烘烤處理的過程中，剩下的可動(dòng)離子電荷將再次重新呈現(xiàn)U型分布，且絕大多數(shù)可動(dòng)電荷會(huì)移動(dòng)到Si02表面，如圖6所示。圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的經(jīng)過第二次烘烤處理后可動(dòng)離子電荷在芯片中的分布圖。
[0042]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的經(jīng)過第二次漂洗后可動(dòng)離子電荷在芯片中的分布圖。兩個(gè)循環(huán)后，芯片中剩余的可動(dòng)離子電荷基本達(dá)到芯片對(duì)可動(dòng)離子電荷的容納要求。如需要更高的可動(dòng)電荷潔凈度，在保證足夠厚的S12層的情況下，可繼續(xù)重復(fù)循環(huán)步驟，進(jìn)一步降低可動(dòng)電荷污染。
[0043]本實(shí)施例提供的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，在生長(zhǎng)完場(chǎng)氧化層(FieldOxide)或夾層介質(zhì)氧化層(Interlayer Dielectric Oxide Layer,簡(jiǎn)稱 ILD Oxide)或金屬層間介質(zhì)氧化層(Metal Interlayer Dielectric Layer Of Oxide,簡(jiǎn)稱 IMD Oxide)或鈍化氧化層(Passivat1n Oxide)之后,對(duì)娃片進(jìn)行去可動(dòng)離子電荷的處理,效果最佳。
[0044]本實(shí)施例中通過烘烤處理將芯片中的可動(dòng)離子電荷在S12層中重新分布，可動(dòng)離子電荷根據(jù)自身的運(yùn)動(dòng)特性，將加速在S12層的上表面上積累，再通過漂洗處理將富含可動(dòng)離子電荷的上表面從S12層中剝除，消除了芯片中的可動(dòng)離子電荷，提高了芯片的使用壽命。
[0045]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，包括: 在設(shè)定溫度下對(duì)形成有二氧化硅層的芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的烘烤處理，以使可動(dòng)離子電荷聚集到二氧化硅層的上表面； 按照預(yù)設(shè)的剝除厚度對(duì)所述芯片進(jìn)行漂洗，將富含可動(dòng)離子電荷的所述上表面從所述二氧化硅層中剝除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，在所述烘烤處理的過程中，向烘烤所述芯片的設(shè)備中通入用于消除存在于所述二氧化硅層與硅襯底界面之間的可動(dòng)離子電荷的氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，所述氣體為氮?dú)饣蛘叩獨(dú)馀c氫氣混合氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，所述設(shè)定的溫度為150°C?450°C，所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)為至少一個(gè)小時(shí)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，所述剝除厚度根據(jù)所述可動(dòng)離子電荷的含量及所述二氧化硅層的厚度確定。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，所述剝除厚度為50A?500A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，所述按照預(yù)設(shè)的剝除厚度對(duì)所述芯片進(jìn)行漂洗具體為:采用所述氫氟酸溶液對(duì)所述芯片進(jìn)行漂洗。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液的濃度為0.5%?10%之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，所述按照預(yù)設(shè)的剝除厚度對(duì)所述芯片進(jìn)行漂洗，將富含的可動(dòng)離子電荷的所述上表面從所述二氧化硅層中剝除之后，還包括: 對(duì)漂洗后的所述芯片進(jìn)行沖水及甩干。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法，其特征在于，還包括: 在所述設(shè)定溫度下對(duì)所述芯片再次進(jìn)行所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的烘烤處理，以使所述可動(dòng)離子電荷聚集到所述二氧化硅層的所述上表面； 在所述烘烤處理過程中，再次向烘烤所述芯片的所述設(shè)備中通入用于消除存在于所述二氧化硅層與硅襯底界面之間的可動(dòng)離子電荷的所述氣體； 按照所述剝除厚度對(duì)所述芯片再次進(jìn)行漂洗，將富含可動(dòng)離子電荷的所述上表面從所述二氧化硅層中剝除； 對(duì)漂洗后的所述芯片再次進(jìn)行沖水及甩干。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種去除芯片中可動(dòng)離子電荷的方法。在設(shè)定溫度下對(duì)形成有二氧化硅層的芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)的烘烤處理，按照預(yù)設(shè)的剝除厚度對(duì)所述芯片進(jìn)行漂洗，以剝除所述二氧化硅層中富含的可動(dòng)離子電荷。本發(fā)明中在烘烤處理中將芯片中的可動(dòng)離子電荷在二氧化硅（SiO2）層中重新分布，可動(dòng)離子電荷根據(jù)自身的運(yùn)動(dòng)特性，將加速在SiO2層的上表面上積累，再通過漂洗處理將富含可動(dòng)離子電荷的上表面從SiO2層中剝除，消除了芯片中的可動(dòng)離子電荷，提高了芯片的使用壽命。
【IPC分類】H01L21-02, H01L21-322
【公開號(hào)】CN104835733
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410045513
【發(fā)明人】石金成, 潘光燃, 高振杰, 王琨, 由云鵬, 張建湘
【申請(qǐng)人】北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2014年2月8日