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半導(dǎo)體集成電路的制作方法_2

文檔序號(hào):9221771閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
110和電源環(huán)120。
[0037]電源環(huán)120是形成為用于將電源電勢(shì)供應(yīng)給半導(dǎo)體芯片200的預(yù)定形狀的互連,并且形成在半導(dǎo)體封裝100的,其上設(shè)置半導(dǎo)體芯片200的基板上。例如,電源環(huán)120形成為圍繞半導(dǎo)體封裝100的基板上的半導(dǎo)體芯片200的環(huán)狀。
[0038]接地環(huán)110是形成為用于將不同于電源電勢(shì)的參考電勢(shì)供應(yīng)給半導(dǎo)體芯片200的預(yù)定形狀的互連,并且形成在半導(dǎo)體封裝100的,其上設(shè)置半導(dǎo)體芯片200的基板上。例如,接地環(huán)I1形成為圍繞半導(dǎo)體封裝100的基板上的電源環(huán)120的環(huán)狀。
[0039]應(yīng)注意,接地環(huán)110和電源環(huán)120是所附權(quán)利要求中描述的示例性電勢(shì)供應(yīng)部。另夕卜,在圖1中,電源環(huán)120被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片200的外部,并且接地環(huán)110被設(shè)置在電源環(huán)120的外部。可替代地,接地環(huán)110可設(shè)置在半導(dǎo)體芯片200的外部,并且電源環(huán)120可設(shè)置在接地環(huán)110的外部。
[0040]接地環(huán)110在(包括半導(dǎo)體集成電路的一部分的)矩形區(qū)域101中的預(yù)定位置處被斷開。另外,接地環(huán)110的一部分和電源環(huán)120的一部分在半導(dǎo)體芯片200的基板(即,半導(dǎo)體集成電路基板)的表面中突出。以下將描述區(qū)域101的詳細(xì)配置。
[0041]半導(dǎo)體芯片200是其中集成大量元件(諸如,晶體管、二極管等)的電子零件。半導(dǎo)體芯片200被設(shè)置在半導(dǎo)體封裝100的基板上。
[0042][半導(dǎo)體芯片的示例性配置]
[0043]圖2是示出了第一實(shí)施方式中的電源環(huán)120、接地環(huán)110和半導(dǎo)體芯片200的示例性配置的示圖,顯示圖1中的區(qū)域101的細(xì)節(jié)。區(qū)域101包括半導(dǎo)體芯片200的一部分。半導(dǎo)體芯片200包括I/O單元區(qū)域210和220、電源互連241和242以及電路塊250。另外,區(qū)域101中的接地環(huán)110的一部分被斷開。應(yīng)注意,斷開的接地環(huán)110的一部分通過穿透到(其上設(shè)置接地環(huán)110的)基板的下層中的過孔電連接至其他部分。
[0044]此外,電源環(huán)120的一部分朝向其中接地環(huán)110被斷開的位置突出。另一方面,接地環(huán)110的一部分朝著遠(yuǎn)離電源環(huán)120的方向突出。
[0045]接地環(huán)110突出的部分以下稱為“突出部分112”,并且除了突出部分112之外的接地環(huán)110的部分以下稱為“接地環(huán)部分111”。另外,電源環(huán)120突出的部分以下稱為“突出部分122”,并且除了突出部分122之外的電源環(huán)120的部分以下稱為“電源環(huán)部分121”。
[0046]I/O單元區(qū)域210是位于半導(dǎo)體芯片200的外周邊附近的區(qū)域,其中,多個(gè)I/O單元沿著電源環(huán)部分121以預(yù)定間距布置。I/O單元區(qū)域220是位于I/O單元區(qū)域210與電路塊250之間的區(qū)域,其中,多個(gè)I/O單元沿著I/O單元區(qū)域210以預(yù)定間距布置。換言之,半導(dǎo)體芯片200包括兩行I/O單元,其中,各行中的I/O單元沿著電源環(huán)部分121布置。I/O單元區(qū)域210在下文中被假定為第一行,并且I/O單元區(qū)域220在下文中被假定為第二行。
[0047]另外,假設(shè)沿著垂直于所述行的列方向繪制的第一行中的I/O單元的中心線通過第二行中的一個(gè)I/o單元的中心。換言之,I/O單元被布置為二維網(wǎng)格方式。
[0048]I/O單元區(qū)域210包括作為I/O單元的多個(gè)信號(hào)單元211以及電力單元212和215。信號(hào)單元211是用于從電路塊250接收信號(hào)并且將信號(hào)輸出至電路塊250的I/O單元。例如,信號(hào)單元211通過配線連接至半導(dǎo)體封裝100上的預(yù)定電路或者引線框架。應(yīng)注意,連接至信號(hào)單元211的電路等未在圖2中示出。
[0049]電力單元212是用于將預(yù)定電源電勢(shì)供應(yīng)給電路塊250的I/O單元。電力單元212位于突出部分122附近的第一行I/O單元(210)中。電力單元212具有接合墊213和測(cè)試墊214。接合墊213是通過配線連接至電源環(huán)部分121的構(gòu)件。接合墊213連接至鄰近于突出部分122的電源環(huán)部分121的一部分。測(cè)試墊214是測(cè)試期間測(cè)試探針被按壓在其上的構(gòu)件。
[0050]電力單元215是用于將不同于電源電勢(shì)的參考電勢(shì)供應(yīng)給電路塊250的I/O單元。電力單元215位于突出部分112附近的第一行I/O單元(210)中。突出部分122例如與與突出部分112相隔一列而定位,并且因此,電力單元215位于與電力單元212相隔一列的位置處。電力單元215具有接合墊216和測(cè)試墊217。接合墊216是通過配線連接至接地環(huán)部分111的構(gòu)件。測(cè)試墊217具有與測(cè)試墊214的配置相似的配置。
[0051]I/O單元區(qū)域220包括作為I/O單元的多個(gè)信號(hào)單元221以及電力單元222和225。信號(hào)單元221與信號(hào)單元211相似。
[0052]電力單元222與電力單元212相似。應(yīng)注意,電力單元222位于第一行中的電力單元212附近的第二行I/O單元中,例如,在包括電力單元212的相同列中。另外,電力單元222通過配線接合連接至電源環(huán)120的突出部分122。
[0053]電力單元225與電力單元215相似。應(yīng)注意,電力單元225位于第一行中的電力單元215附近的第二行I/O單元中,例如,在包括電力單元215的相同列中。另外,電力單元225通過配線接合連接至接地環(huán)110的突出部分112。
[0054]應(yīng)注意,第一行中的I/O單元(211,212和215)是所附權(quán)利要求中描述的第一和第二輸入/輸出單元中的一個(gè)的實(shí)例,并且第二行中的I/o單元(221,222和225)是第一和第二輸入/輸出單元中的另一個(gè)的實(shí)例。
[0055]電源互連241是用于將電源電勢(shì)從電力單元212和222供應(yīng)給電路塊250的互連。電源互連241被形成在從電力單元212和222至電路塊250的路線中。此外,電源互連241的總線寬與電力單元212和222的在列方向上觀察時(shí)的寬度相似。
[0056]在此,如果第一行中的電力單元212和第二行中的電力單元222位于不同列中,必須從第一行中的電力單元212定位電源互連241,使得電源互連241通過第二行中的I/O單元之間的間隙。在這種情況下,不可以增加電源互連241的在列方向上觀察時(shí)的線寬,導(dǎo)致大的IR壓降。
[0057]與此相反,如圖2所示,在其中具有相同電勢(shì)的電力單元(212和222)具有被設(shè)置在相同列的配置中,則不必定位互連使得該互連通過第二行的間隙,并且因此,可以使電源互連241的線寬基本上與I/O單元的寬度一樣寬。因此,與其中具有相同電勢(shì)的電力單元(212和222)被設(shè)置在不同列中的配置相比,IR壓降的增加可以減少。
[0058]另外,使電源環(huán)120的一部分突出,從而設(shè)置突出部分122。因此,可在電源環(huán)120與電力單元222之間確保用于配線接合的空間,同時(shí)保持電源環(huán)120的線寬。如果不設(shè)置突出部分122,而在一個(gè)列中設(shè)置兩個(gè)電力單元,那么因此,必須使電源環(huán)120具有比在一個(gè)列中設(shè)置一個(gè)電力單元時(shí)更大的線寬。然而,如果電源環(huán)120的線寬增加,則半導(dǎo)體封裝100的大小增加。因此,通過設(shè)置突出部分122,電源環(huán)120的配線接合的空間被確保,而半導(dǎo)體封裝100大小的增加卻被減少。另外,類似地,通過設(shè)置突出部分112,用于接地環(huán)110的配線接合的空間被確保。
[0059]電源互連242是用于將參考電勢(shì)從電力單元215和225供應(yīng)給電路塊250的互連。電源互連242被形成在從電力單元215和225至電路塊250的路線中。此外,電源互連242具有與電力單元215和225的列方向上的寬度相似的總線路寬度。因此,與其中具有相同電勢(shì)的電力單元(215和225)被設(shè)置在不同列中的配置相比,IR壓降的增加可以減少。
[0060]電路塊250是其中各個(gè)元件(諸如,晶體管等)被集成的電路。
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