層疊基板的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將第二基板經(jīng)由粘接層粘貼在第一基板上而成的層疊晶片分割為一個(gè)個(gè)芯片的層疊基板的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]例如，在加速度傳感器或壓力傳感器等MEMS (Micro Electro MechanicalSystems:微機(jī)電系統(tǒng))器件的制造工藝中，形成有這樣的器件晶片(第一基板):在由形成于晶片上的多條間隔道(分割預(yù)定線)劃分出的各區(qū)域中配設(shè)有MEMS器件。然后，利用例如日本特開(kāi)2008-307646號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的切削裝置沿著間隔道切削并分割晶片，由此制造出一個(gè)個(gè)MEMS器件。
[0003]在許多MEMS器件上配設(shè)有用于保護(hù)MEMS結(jié)構(gòu)的被稱(chēng)作蓋(cap)的保護(hù)罩。配設(shè)有這樣的保護(hù)罩的MEMS器件以下述方式進(jìn)行制造:在將器件晶片(第一基板)與罩板(第二基板)貼合在一起形成層疊晶片(層疊基板)之后，沿著間隔道對(duì)層疊晶片進(jìn)行分割。
[0004]在利用切削刀具對(duì)在第一基板上經(jīng)由粘接層粘貼第二基板而成的層疊基板進(jìn)行分割的情況下，在層疊基板的第一基板上粘貼切割帶，經(jīng)由切割帶將層疊基板抽吸保持在切削裝置的卡盤(pán)工作臺(tái)上，然后使切削刀具從第二基板側(cè)切入，將層疊基板分割為一個(gè)個(gè)芯片(例如參照日本特開(kāi)2006-228816號(hào)公報(bào))。
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008-307646號(hào)公報(bào)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2006-228816號(hào)公報(bào)
[0007]可是，在用切削刀具切削層疊基板來(lái)將其分割為一個(gè)個(gè)芯片的情況下，如果粘接層的粘接力不充分，則存在第一基板會(huì)從粘接層剝離這樣的問(wèn)題。如果第一基板在要切削去除的間隔道之外的區(qū)域中剝離，則該區(qū)域的芯片會(huì)變得不良，因此，希望進(jìn)行改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種能夠與被加工物無(wú)關(guān)地改善由于第一基板的剝離所導(dǎo)致的芯片不良的層疊基板的加工方法。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，提供一種層疊基板的加工方法，在所述層疊基板中，第二基板經(jīng)由粘接層粘貼在第一基板上，并且在所述層疊基板上設(shè)有多條具有規(guī)定的寬度的間隔道，所述層疊基板的加工方法的特征在于，所述層疊基板的加工方法包括:激光加工槽形成步驟，從該第二基板側(cè)沿著該間隔道照射對(duì)于該層疊基板具有吸收性的波長(zhǎng)的激光束，在該間隔道的寬度內(nèi)的兩側(cè)分別形成到達(dá)該第一基板的一對(duì)激光加工槽；和切削步驟，在實(shí)施了該激光加工槽形成步驟后，利用不超出該一對(duì)激光加工槽的寬度的切削刀具，對(duì)在該間隔道內(nèi)被該一對(duì)激光加工槽夾著的區(qū)域進(jìn)行切削。
[0010]在本發(fā)明的激光加工槽形成步驟中，由于通過(guò)照射激光束而形成到達(dá)第一基板的激光加工槽，因此，在層疊基板上不會(huì)作用物理負(fù)載。因此，即使是粘接層的粘接力不充分的層疊基板，也不會(huì)發(fā)生剝離。
[0011]另一方面，通過(guò)照射激光束而能夠形成的激光加工槽的深度存在極限，在層疊基板較厚的情況下，需要照射多個(gè)通路的激光束，因此，如果想要僅利用激光加工來(lái)完全切斷層疊基板，則生產(chǎn)率非常低。
[0012]在本申請(qǐng)發(fā)明中，在間隔道內(nèi)的兩側(cè)形成一對(duì)激光加工槽，利用切削刀具對(duì)一對(duì)激光加工槽之間的區(qū)域進(jìn)行切削，將層疊基板完全切斷而分割為芯片，或者在對(duì)層疊基板進(jìn)行不完全切斷之后將其分割為芯片。因此，不會(huì)使生產(chǎn)率降低，能夠進(jìn)行加工而不會(huì)在間隔道之外的區(qū)域上發(fā)生第一基板的剝離，從而能夠改善由于第一基板的剝離而導(dǎo)致的芯片不良。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是層疊基板的剖視圖。
[0014]圖2是示出激光加工槽形成步驟的立體圖。
[0015]圖3是激光束產(chǎn)生單元的框圖。
[0016]圖4是示出激光加工槽形成步驟的剖視圖。
[0017]圖5的㈧是示出切削步驟的第I實(shí)施方式的剖視圖，圖5的⑶是示出切削步驟的第2實(shí)施方式的剖視圖。
[0018]圖6的(A)是通過(guò)第I實(shí)施方式的切削步驟分割后的芯片的剖視圖，圖6的(B)是在切削時(shí)間隔道內(nèi)的第一基板飛散的情況下的剖視圖。
[0019]圖7是示出基于磨削的分割步驟的局部剖面?zhèn)纫晥D。
[0020]圖8是示出基于帶擴(kuò)展的分割步驟的剖視圖。
[0021]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0022]10:層置基板；
[0023]12:第一基板；
[0024]13:間隔道；
[0025]14:第二基板；
[0026]15:器件；
[0027]16:粘接層；
[0028]17:激光加工槽；
[0029]18:激光束照射單元；
[0030]19,23:切削槽；
[0031]20:激光束產(chǎn)生單元；
[0032]21、21A、21B:芯片；
[0033]22:聚光器；
[0034]24:攝像單元；
[0035]36:切削刀具；
[0036]44:磨削輪；
[0037]48:磨具；
[0038]52:分割裝置；
[0039]54:框架保持單元；
[0040]56:擴(kuò)張滾筒。
【具體實(shí)施方式】
[0041]下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)D1，示出了層疊基板10的剖視圖。層疊基板10是第二基板14經(jīng)由粘接層16粘貼在第一基板12上而構(gòu)成。作為層疊基板10的一個(gè)例子，通過(guò)在形成有多個(gè)器件的器件晶片上粘貼由Si構(gòu)成的罩基板而構(gòu)成。
[0042]參照?qǐng)D2，示出了表示激光加工槽形成步驟的立體圖。在第一基板12的表面12a上，在由形成為格子狀的多條間隔道(分割預(yù)定線)13劃分出的各區(qū)域中形成有器件15。
[0043]激光加工裝置的激光束照射單元18包括:收納于殼體20中的圖3所示的激光束產(chǎn)生單元20 ;和將由激光束產(chǎn)生單元20產(chǎn)生的激光束聚光后照射至層疊基板10的聚光器22。
[0044]在激光束照射單元18的殼體20上安裝有攝像單元24。攝像單元24除了包含借助于可視光線進(jìn)行拍攝的通常的CCD等攝像元件外，還包含對(duì)層疊基板10照射紅外線的紅外線照射構(gòu)件和輸出與紅外線相對(duì)應(yīng)的電信號(hào)的紅外線CCD等紅外線攝像元件，攝像單元24將所拍攝的圖像信號(hào)發(fā)送至未圖示的控制構(gòu)件。
[0045]如圖3所示，激光束產(chǎn)生單元20包括:由YAG脈沖激光器或YV04脈沖激光器等構(gòu)成的激光振蕩器26 ;重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件28 ;脈沖寬度調(diào)整構(gòu)件30 ;和功率調(diào)整構(gòu)件32。由激光振蕩器26振蕩出的脈沖激光束被功率調(diào)整構(gòu)件32調(diào)整為規(guī)定的功率后從聚光器22照射至層疊基板10。
[0046]再次參照?qǐng)D2，層疊基板10的第一基板12被抽吸保持在激光加工裝置的未圖示的卡盤(pán)工作臺(tái)上。在本發(fā)明的實(shí)施方式的層疊基板的加工方法中，在實(shí)施激光加工槽形成步驟之前，實(shí)施用于檢測(cè)待進(jìn)行激光加工的間隔道13的校準(zhǔn)步驟。
[0047]在該校準(zhǔn)步驟中，利用攝像單元24的紅外線攝像元件透過(guò)第二基板14對(duì)第一基板12的表面12a進(jìn)行攝像，使待進(jìn)行激光加工的間隔道13與集光器22沿X軸方向排列。
[0048]在實(shí)施校準(zhǔn)步驟后，從激光束照射單元18的聚光器22沿著間隔道13從第二基板14側(cè)照射對(duì)于層疊基板10具有吸收性的波長(zhǎng)的激光