殘余物。
[0045]在一些實(shí)施方式中，第一氣流經(jīng)引導(dǎo)朝向基板220的第二側(cè)面222。在一些實(shí)施方式中，第一氣體為空氣、過濾的空氣、離子化的空氣或氮?dú)庵械闹辽僖徽摺?br>[0046]圖5圖示適合于執(zhí)行本發(fā)明的部分的群集工具。大體而言，群集工具為包含多個(gè)腔室(例如，處理腔室590A-D、維護(hù)腔室59IA-B等等)的模塊系統(tǒng)，所述多個(gè)腔室執(zhí)行各種功能，包括基板清潔、基板中心定位及定向、除氣、退火、沉積和/或蝕刻。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，群集工具可包括至少基板清潔裝置，如上所述，該基板清潔裝置配置為執(zhí)行如上所述的清潔基板的方法。集成基板清潔裝置與群集工具通過在每一制造步驟之后執(zhí)行清潔工藝有利地防止腔室至腔室的交叉污染。群集工具的多個(gè)腔室安裝至中心移送腔室，該中心移送腔室容納適應(yīng)于在腔室之間往復(fù)運(yùn)送基板的機(jī)器人。移送腔室通常維持在真空條件下及提供中間階段用于從一個(gè)腔室往復(fù)運(yùn)送基板至另一腔室和/或至位于群集工具的前端處的負(fù)載鎖定腔室。
[0047]經(jīng)由說明，特定群集工具580圖示在圖5的平面圖中。群集工具580大體包含多個(gè)腔室及機(jī)器人及較佳地配備有微處理器控制器581，該微處理器控制器581經(jīng)編程以進(jìn)行群集工具580中執(zhí)行的各種處理方法。前端環(huán)境583圖示定位為與一對(duì)負(fù)載鎖定腔室584選擇性連通。設(shè)置在前端環(huán)境中的箱裝載器585能夠線性及旋轉(zhuǎn)移動(dòng)(箭頭582)以在負(fù)載鎖定腔室584與安裝在前端環(huán)境583上的多個(gè)箱587之間往復(fù)運(yùn)送基板盒。負(fù)載鎖定腔室584提供前端環(huán)境583與移送腔室588之間的第一真空接口。提供兩個(gè)負(fù)載鎖定腔室584以通過替代地與移送腔室588及前端環(huán)境583連通增加產(chǎn)量。因此，當(dāng)一個(gè)負(fù)載鎖定腔室584與移送腔室588連通時(shí)，第二負(fù)載鎖定腔室584與前端環(huán)境583連通。機(jī)器人589中心地設(shè)置在移送腔室588中以從負(fù)載鎖定腔室584移送基板至各種處理腔室590A-D及維護(hù)腔室59IA-B中的一者。
[0048]在一些實(shí)施方式中，如上所述的從基板清潔污染物的示例性方法100可關(guān)于在至少一個(gè)處理腔室內(nèi)部處理基板執(zhí)行。舉例而言，至少一個(gè)處理腔室(例如，590A-D中的任一者)可為等離子體蝕刻腔室或其他處理腔室，該等離子體蝕刻腔室或其他處理腔室在基板上執(zhí)行工藝，產(chǎn)生開始設(shè)置在基板的背側(cè)上的污染物，該污染物有必要移除。因此，例如，在蝕刻或其他工藝之后，基板可從等離子體蝕刻腔室移除及基板可由機(jī)器人589及箱裝載器585運(yùn)送至基板清潔腔室以移除在蝕刻工藝期間產(chǎn)生的污染物。通過提供耦合至相同群集工具的清潔裝置作為處理基板的處理腔室，可在處理之后盡快清潔基板，由此有利地最小化污染的基板與處理設(shè)備的接觸及最小化污染物至其他部件或基板的移動(dòng)以及潛在損害基板或其他基板。
[0049]清潔裝置可位于群集工具580上的許多位置中的任一者中。舉例而言，清潔裝置可設(shè)置在工廠接口或前端環(huán)境583的側(cè)面上，如虛線框A圖示。替代地或組合地，清潔裝置可代替耦合至前端環(huán)境583的一個(gè)箱587來耦合或設(shè)置，如虛線框B所圖示。替代地或組合地，清潔裝置可耦合至或設(shè)置在前端環(huán)境583的中心部分處，與負(fù)載鎖定腔室584相對(duì)，如虛線框C圖示。替代地或組合地，清潔裝置可沿著前端環(huán)境583的上表面耦合或設(shè)置，如虛線框D圖示。在位置A-C中，清潔裝置可設(shè)置或不可設(shè)置在腔室中。在位置D中，清潔裝置可不具備腔室，并且清潔裝置可配置為當(dāng)基板移動(dòng)經(jīng)過箱587與負(fù)載鎖定腔室584之間的清潔裝置時(shí)清潔基板。也可使用清潔裝置的其他位置或配置。
[0050]因此，本文已經(jīng)公開用于清潔基板的改良方法和裝置。本發(fā)明的裝置可有利地允許移除在制造工藝期間積聚在基板上的污染物，諸如在工藝步驟之間處理基板及同時(shí)在處理腔室內(nèi)部夾緊基板期間，由此防止污染物到達(dá)基板的正面及引起產(chǎn)量損失。本發(fā)明的裝置也可與其他清潔裝置組合使用以有利地進(jìn)一步從基板(例如，在基板的其他位置上)移除污染物?？膳c本發(fā)明的基板清潔裝置組合使用的適當(dāng)?shù)幕迩鍧嵮b置的一個(gè)實(shí)例在于2013 年 3 月 5 日提出申請(qǐng)的、發(fā)明名稱為 “METHODS AND APPARATUS FOR SUBSTRATE EDGECLEANING(用于基板邊緣清潔的方法和裝置)”的美國專利申請(qǐng)案第13/785，903號(hào)中描述。
[0051]盡管以上內(nèi)容涉及本發(fā)明的實(shí)施方式，然而可在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他及進(jìn)一步實(shí)施方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板清潔裝置，所述基板清潔裝置包括: 基板支撐構(gòu)件，用以支撐基板，所述基板具有第一側(cè)面和污染的第二側(cè)面； 液態(tài)二氧化碳源； 氣態(tài)二氧化碳源；和 一或更多個(gè)噴嘴，所述一或更多個(gè)噴嘴耦合至所述液態(tài)二氧化碳源和所述氣態(tài)二氧化碳源，其中所述一或更多個(gè)噴嘴配置為接收液態(tài)二氧化碳及排放來自所述液態(tài)二氧化碳源的固態(tài)及氣態(tài)二氧化碳的第一混合物至所述基板的所述第二側(cè)面，并且接收氣態(tài)二氧化碳及排放來自所述氣態(tài)二氧化碳源的固態(tài)及固態(tài)二氧化碳的第二混合物至所述基板的所述第二側(cè)面。2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述一或更多個(gè)噴嘴包括: 第一噴嘴，所述第一噴嘴耦合至所述液態(tài)二氧化碳源；和 第二噴嘴，所述第二噴嘴耦合至所述固態(tài)二氧化碳源。3.如權(quán)利要求2所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括形成第一噴嘴陣列的多個(gè)第一噴嘴和形成第二噴嘴陣列的多個(gè)第二噴嘴，所述多個(gè)第一噴嘴和多個(gè)第二噴嘴耦合至可移動(dòng)臂。4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述臂配置為從所述基板的中心移動(dòng)所述第一噴嘴陣列和所述第二噴嘴陣列至所述基板的外邊緣。5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括具有第一空間的處理腔室，其中所述基板支撐構(gòu)件設(shè)置在所述第一空間內(nèi)部。6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中固態(tài)及氣態(tài)二氧化碳的所述第一混合物包含大約10%至大約50%的固態(tài)二氧化碳，及大約90%至大約50%的氣態(tài)二氧化碳。7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中固態(tài)和氣態(tài)二氧化碳的所述第二混合物包含大約1%至大約20%的固態(tài)二氧化碳，及大約99%至大約80%的氣態(tài)二氧化碳。8.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述基板支撐構(gòu)件配置為旋轉(zhuǎn)所述基板同時(shí)暴露所述基板的所述第二側(cè)面至所述一或更多個(gè)噴嘴。9.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述基板下方的熱源，以加熱所述基板的所述第二側(cè)面。10.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括第一氣源，以提供第一氣體至所述基板的所述第二側(cè)面。11.一種從設(shè)置在基板支撐構(gòu)件的頂部上的基板清潔污染物的方法，其中所述基板具有第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述方法包括以下步驟: (a)引導(dǎo)來自液態(tài)二氧化碳源的固態(tài)及氣態(tài)二氧化碳的第一混合物至所述基板的所述第二側(cè)面，以從所述基板的所述第二側(cè)面移除一或更多種污染物，其中所述第一混合物留下第一殘余物；和 (b)引導(dǎo)來自氣態(tài)二氧化碳源的固態(tài)和氣態(tài)二氧化碳的第二混合物至所述基板的所述第二側(cè)面，以移除至少一些所述第一殘余物，其中所述第一混合物包含比所述第二混合物更大量的固態(tài)二氧化碳。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中固態(tài)和氣態(tài)二氧化碳的所述第一混合物包含大約10%至大約50%的固態(tài)二氧化碳，及大約90%至大約50%的氣態(tài)二氧化碳。13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括以下步驟: 旋轉(zhuǎn)所述基板同時(shí)引導(dǎo)所述第一混合物和所述第二混合物至所述基板的所述第二側(cè)面； 經(jīng)由多個(gè)第一噴嘴分配所述第一混合物和第二混合物的步驟或經(jīng)由多個(gè)第一噴嘴分配所述第一混合物和經(jīng)由多個(gè)第二噴嘴分配所述第二混合物的步驟中的至少一者，其中所述多個(gè)第一噴嘴和所述多個(gè)第二噴嘴耦合至臂；和 致動(dòng)所述臂從所述旋轉(zhuǎn)基板的中心移動(dòng)至所述旋轉(zhuǎn)基板的外邊緣，同時(shí)分配所述第一混合物和所述第二混合物。14.如權(quán)利要求11或12所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括以下步驟: 在引導(dǎo)所述第一混合物和第二混合物至所述基板的所述第二側(cè)面之前加熱所述基板的所述第二側(cè)面；或 在施加所述第一混合物和第二混合物至所述基板的所述第二側(cè)面期間朝向所述基板的所述第二側(cè)面流動(dòng)第一氣體，其中所述第一氣體為空氣、過濾的空氣、離子化的空氣或氮?dú)庵械闹辽僖徽摺?5.如權(quán)利要求11或12所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括以下步驟: 重復(fù)(b)以從所述基板的所述第二側(cè)面移除至少一些所述第一殘余物的剩余量。
【專利摘要】一種基板清潔裝置可包括：基板支撐構(gòu)件，用以支撐基板，該基板具有第一側(cè)面和污染的第二側(cè)面；液態(tài)二氧化碳源；氣態(tài)二氧化碳源；及一或更多個(gè)噴嘴，該一或更多噴嘴耦合至液態(tài)二氧化碳源和氣態(tài)二氧化碳源，其中一或更多個(gè)噴嘴配置為接收液態(tài)二氧化碳及排放來自液態(tài)二氧化碳源的固態(tài)和氣態(tài)二氧化碳的第一混合物至基板的第二側(cè)面，及接收氣態(tài)二氧化碳及排放來自氣態(tài)二氧化碳源的固態(tài)和氣態(tài)二氧化碳的第二混合物至基板的第二側(cè)面。清潔基板的方法可在基板清潔裝置中執(zhí)行。
【IPC分類】H01L21/302
【公開號(hào)】CN105074879
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480009016
【發(fā)明人】詹姆斯·馬修·霍爾登, 徐松文, 謝納·D·素緹拉, 格倫·T·莫里
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司
【公開日】2015年11月18日
【申請(qǐng)日】2014年2月25日
【公告號(hào)】US9177782, US20140251374, WO2014137657A1