陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發(fā)展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。
[0003]液晶顯示器根據光源的不同分為透射式、反射式和半透半反式，其中，透射式液晶顯示器是以背光源發(fā)出的光線作為光源；反射式液晶顯示器是以外界的自然光作為光源；而半透半反液晶顯示器是介于前兩者之間，即在陣列基板上設置部分區(qū)域為透射區(qū)，部分區(qū)域為反射區(qū)，這樣既可以通過背光源從透射區(qū)提供光源，避免對外界光源的依賴，又可以利用外界光源，節(jié)約能耗。
[0004]不管是反射式還是半透半反式的液晶顯示器，均需要在反射區(qū)制作用于反射光線的反射層，且所制作的反射層的光反射性能能夠直接影響到液晶顯示器的顯示效果，因此，如何提高其中的反射層的光反射效果是目前亟待解決的問題。

【發(fā)明內容】

[0005](一 )要解決的技術問題
[0006]本發(fā)明要解決的技術問題是:如何提高陣列基板中的反射層的光反射效果。
[0007]( 二)技術方案
[0008]為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上形成柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極和鈍化層，還包括在所述襯底基板上形成反射層，所述反射層背向所述襯底基板的表面為凹凸不平狀。
[0009]優(yōu)選地，在所述襯底基板上形成所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極、所述鈍化層和所述反射層包括:
[0010]在所述襯底基板上依次形成所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層；
[0011]在形成有所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層的襯底基板上采用銅材料形成源漏金屬薄月吳;
[0012]采用半透膜曝光工藝在所述源漏金屬薄膜上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應所述源漏極的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應所述反射層的區(qū)域；
[0013]去除所述光刻膠去除區(qū)域的源漏金屬薄膜；
[0014]利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0015]采用包含有鹵素元素的物質對所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜進行等離子體處理，從而使所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜的表面形成凹凸不平狀的結構；
[0016]去除剩余的光刻膠，并依次形成所述鈍化層和所述反射層，且所述鈍化層以及所述反射層厚度均勻，從而使得所述反射層背向所述襯底基板的表面為凹凸不平狀的結構。
[0017]優(yōu)選地，所述包含有鹵素元素的物質為以下的至少一種:Cl2、Br2、I2、HCl、HBr、HI。
[0018]優(yōu)選地，在所述等離子體處理中，所述襯底基板的溫度小于200攝氏度。
[0019]優(yōu)選地，所述鈍化層的厚度為300埃米?1000埃米。
[0020]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及設置在所述襯底基板的柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極和鈍化層，所述襯底基板上還形成反射層，所述反射層背向所述襯底基板的表面為凹凸不平狀。
[0021]優(yōu)選地，所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極和所述鈍化層依次設置在所述襯底基板上，所述反射層設置在所述鈍化層的表面上，所述鈍化層以及所述反射層厚度均勻，所述反射層與所述襯底基板之間還設置有與所述源漏極同層制作的銅金屬層，且所述銅金屬層朝向所述反射層的表面為采用包含有鹵素元素的物質進行等離子體處理后形成的凹凸不平狀的結構。
[0022]優(yōu)選地，所述包含有鹵素元素的物質為以下的至少一種:Cl2、Br2、I2、HCl、HBr、HI。
[0023]優(yōu)選地，所述鈍化層的厚度為300埃米?1000埃米。
[0024]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0025](三)有益效果
[0026]本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，通過將反射層的表面設為凹凸不平狀，使外界光能夠在反射層的表面發(fā)生漫反射，從而能夠有效提高反射層的光反射效果，實現(xiàn)液晶顯示器顯示效果的提升。
【附圖說明】
[0027]圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0028]圖2?8是本發(fā)明實施方式提供的一種制作陣列基板的示意圖。
【具體實施方式】
[0029]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0030]本發(fā)明實施方式提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上形成柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極和鈍化層，該方法還包括在所述襯底基板上形成反射層，所述反射層背向所述襯底基板的表面為凹凸不平狀。
[0031]本發(fā)明實施方式提供的陣列基板的制作方法，通過將反射層的表面設為凹凸不平狀，使外界光能夠在反射層的表面發(fā)生漫反射，從而能夠有效提高反射層的光反射效果，實現(xiàn)液晶顯示器顯示效果的提升。
[0032]其中，本發(fā)明中的陣列基板的制作方法，不但可以用于制作反射式液晶顯示器的陣列基板，還可以用于制作半透半反式液晶顯示器的陣列基板；
[0033]圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖，該制作方法包括:
[0034]S1:在襯底基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層；
[0035]例如，當用于制作FFS模式的陣列基板時，如圖2所示，在襯底基板10上先后制作柵極(Gate) 20和公共電極層30、柵極絕緣層40 (GI層)，然后形成有源層(Active層)50 ;
[0036]其中，制作柵極20的材料可以是Cu、T1、Mo、Al、W、Cr等金屬或者合金；柵極絕緣層40可以是Ti02、Yi2O3, Al2O3, SiNx, S1N, S12中的任一種形成的單層結構，也可以為由上述多種材料形成的復合層；有源層50的材料可以是a-Si，也可以是Oxide半導體材料，如 IGZ0、ΙΖ0、I GO、GZO、ZnO、ITZO 等一系列 Oxide 半導體材料；
[0037]S2:在形成有所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層的襯底基板上采用銅材料形成源漏金屬薄月吳;
[0038]具體地，在圖2所示的基板上沉積一層銅薄膜60 (源漏金屬薄膜)，得到如圖3所示的結構；
[0039]S3:采用半透膜曝光工藝在所述源漏金屬薄膜上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應所述源漏極的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應所述反射層的區(qū)域；
[0040]具體地，在該步驟中，可以首先在圖3所示的基板上涂覆一層光刻膠，采用半色調掩膜(H/T Mask)或者灰色調掩膜(G/T Mask)對涂覆的光刻膠進行曝光，其中，對位于TFT溝道區(qū)以及透射區(qū)的光刻膠進行完全曝光工藝，對位于反射區(qū)的光刻膠進行半曝光，而后通過顯影工藝在基板上形成光刻膠完全保留區(qū)域71、光刻膠半保留區(qū)域72和光刻膠去除區(qū)域；
[0041]S4:去除所述光刻膠去除區(qū)域的源漏金屬薄膜；
[0042]如圖4所示，通過刻蝕工藝后，從而在有源層的上方形成源漏極(包括源極61和漏極62)，在反射區(qū)形成銅金屬層63 ;
[0043]S5:利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0044]如圖5所示，通過進行02灰化處理，將反射區(qū)的光刻膠去除，裸露反射區(qū)的銅金屬層63 ；
[0045]S6:采用包含有鹵素元素的物質對所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜進行等離子體處理，從而使所述光刻膠半保留