有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板及制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示屏由于具有薄、輕、寬視角、主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng)速度快、能耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，已被列為極具發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。
[0003]OLED依據(jù)驅(qū)動(dòng)方式的不同，可分為PMOLED (Passive Matrix 0LED，無源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)與AMOLED(Active Matrix 0LED，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)兩種。其中，AMOLED采用獨(dú)立的TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)去控制每個(gè)像素，每個(gè)像素皆可以連續(xù)且獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)發(fā)光，AMOLED的驅(qū)動(dòng)電壓較低，壽命較長，可應(yīng)用于大尺寸平板顯不O
[0004]現(xiàn)有的AMOLED顯示裝置，出于高分辨率的需求，并且由于制作工藝存在一定的誤差，很容易導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光層進(jìn)入到平坦化層的過孔內(nèi)與底電極層接觸，從而導(dǎo)致顯示裝置存在像素暗點(diǎn)不良，影響到產(chǎn)品品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種AMOLED陣列基板及其制作方法和顯示裝置，以改善顯不裝置的像素暗點(diǎn)不良現(xiàn)象，提尚廣品品質(zhì)。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種AMOLED陣列基板，包括基板和位于基板上且陣列排布的多個(gè)像素單元，相鄰的像素單元通過像素限定層間隔，每個(gè)像素單元包括TFT和0LED，所述陣列基板還包括:
[0007]位于TFT的源漏極層與OLED的底電極層之間的絕緣層，所述絕緣層具有過孔，所述OLED的底電極層通過所述過孔與所述TFT的源漏極層連接；
[0008]位于所述OLED的底電極層在所述過孔處形成的凹陷之上的填充層，所述像素限定層和所述OLED的有機(jī)發(fā)光層覆蓋于所述填充層之上。
[0009]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，由于底電極層在過孔處形成的凹陷之上設(shè)置有填充層，填充層可以有效填補(bǔ)該凹陷，因此，在后續(xù)蒸鍍有機(jī)發(fā)光層時(shí)，有機(jī)發(fā)光層不會(huì)進(jìn)入到凹陷內(nèi)與底電極層接觸。相比現(xiàn)有技術(shù)，本方案能夠改善顯示裝置的像素暗點(diǎn)不良現(xiàn)象，提尚廣品品質(zhì)O
[0010]優(yōu)選的，所述填充層凸出于所述底電極層的主體平面。該方案中，填充層凸出于底電極層的主體平面，可以起到隔離支撐的作用，此結(jié)構(gòu)應(yīng)用于柔性顯示裝置時(shí)，可以有效提高柔性顯示裝置的耐彎曲性和抗沖擊性能。
[0011]較佳的，所述填充層向所述凹陷的邊緣外側(cè)延伸。這樣，填充層可以將凹陷的邊緣封閉，從而能夠更好的防止有機(jī)發(fā)光層進(jìn)入凹陷內(nèi)與底電極層接觸。
[0012]可選的，所述填充層向所述凹陷靠近所述底電極層的主體平面的邊緣部分的外側(cè)延伸。該方案亦能夠更好的防止有機(jī)發(fā)光層進(jìn)入凹陷內(nèi)與底電極層接觸。
[0013]可選的，所述填充層的材質(zhì)為有機(jī)材料或者無機(jī)材料。
[0014]具體的，所述絕緣層包括:位于TFT的源漏極層之上的鈍化層，以及位于鈍化層之上的平坦化層。
[0015]可選的，所述基板為柔性基板，或者所述基板為硬質(zhì)基板。
[0016]可選的，所述TFT為頂柵型TFT或者底柵型TFT。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種AMOLED陣列基板的制作方法，包括:
[0018]在TFT的源漏極層之上形成絕緣層，所述絕緣層具有過孔；
[0019]在所述絕緣層之上形成OLED的底電極層，所述底電極層通過所述過孔與源漏極層連接；
[0020]在所述底電極層在過孔處形成的凹陷之上形成填充層；
[0021]在所述填充層之上形成覆蓋填充層的像素限定層和OLED的有機(jī)發(fā)光層。
[0022]采用該方法步驟在制作AMOLED陣列基板時(shí)，在底電極層在過孔處形成的凹陷之上形成填充層，填充層可以有效填補(bǔ)該凹陷，從而使得，在后續(xù)蒸鍍有機(jī)發(fā)光層時(shí)，有機(jī)發(fā)光層不會(huì)進(jìn)入到凹陷內(nèi)與底電極層接觸。采用該方法制作的陣列基板應(yīng)用于顯示裝置，能夠改善顯不裝置的像素暗點(diǎn)不良現(xiàn)象，提尚廣品品質(zhì)。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括前述任一技術(shù)方案所述的陣列基板。由于改善了像素暗點(diǎn)不良現(xiàn)象，該顯示裝置具有較佳的產(chǎn)品品質(zhì)。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例AMOLED陣列基板截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中凹陷、填充層、像素限定層俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例AMOLED陣列基板截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為為本發(fā)明另一實(shí)施例中凹陷、填充層、像素限定層俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例AMOLED陣列基板的制作方法流程示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記:
[0030]1-基板；2_緩沖層；3_棚.絕緣層；4_有源層；5_層間絕緣層；6_棚.極；7_源漏極層；8_鈍化層；9_平坦化層；10-底電極層；11-像素限定層；12-有機(jī)發(fā)光層；13_頂電極層；14_封裝層；15_填充層；16_存儲(chǔ)電容上極板；17_存儲(chǔ)電容下極板層；18_凹陷；100-TFT ；200-0LED ;300_ 存儲(chǔ)電容。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為了改善顯示裝置的像素暗點(diǎn)不良現(xiàn)象，提高產(chǎn)品品質(zhì)，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種AMOLED陣列基板及其制作方法和顯示裝置。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下舉實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0032]如圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種AMOLED陣列基板，包括基板I和位于基板I上且陣列排布的多個(gè)像素單元，相鄰的像素單元通過像素限定層11間隔，每個(gè)像素單元包括TFT 100和OLED 200，陣列基板還包括:
[0033]位于TFT 100的源漏極層7與OLED 200的底電極層10之間的絕緣層，絕緣層具有過孔，OLED 200的底電極層10通過過孔與TFT 100的源漏極層7連接；
[0034]位于OLED 200的底電極層10在過孔處形成的凹陷18之上的填充層15，像素限定層11和OLED 200的有機(jī)發(fā)光層12覆蓋于填充層15之上。
[0035]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，基板I可以為柔性基板，應(yīng)用于柔性顯示裝置。柔性基板的材質(zhì)不限，例如可以包括聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一種。此外，基板I也可以為常見的硬質(zhì)基板，例如玻璃基板、樹脂基板等等。
[0036]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，TFT可以為頂柵型TFT或者底柵型TFT。圖1所示的實(shí)施例中，TFT 100具體采用了頂柵型TFT。此外，為滿足產(chǎn)品的電氣性能要求，以實(shí)現(xiàn)其功能原理，對于本領(lǐng)域人員可知，每個(gè)像素單元還包括存儲(chǔ)電容300。
[0037]請參照圖1所示，該實(shí)施例中AMOLED陣列基板的層結(jié)構(gòu)具體包括:基板1、緩沖層
2、有源層4和存儲(chǔ)電