薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，且特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，以及具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)是目前被廣泛使用的一種平面顯示器，跟其他顯示方式相比，具有低功耗、外型薄、重量輕、無輻射等優(yōu)點(diǎn)。一般而言，LCD包括薄膜晶體管陣列基板、彩膜基板及填充在薄膜晶體管陣列基板與彩膜基板之間的液晶層。薄膜晶體管陣列基板上的顯示區(qū)域包含多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)子像素區(qū)域一般為兩條柵極線(又稱掃描線)與兩條數(shù)據(jù)線交叉所形成的矩形或者其他形狀區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管以及像素電極，薄膜晶體管充當(dāng)開關(guān)元件；彩膜基板上的共通電極與薄膜晶體管陣列基板上的像素電極之間或者薄膜晶體管陣列基板上的共通電極與像素電極之間的電場強(qiáng)度調(diào)制著液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向。
[0003]LCD的配線包括數(shù)據(jù)線、柵極線、修復(fù)線等。由于配線本身存在的電阻，以及該層配線和薄膜晶體管陣列基板其它導(dǎo)電層間的電容、該層配線與彩膜基板上的共通電極之間形成的電容，使得配線存在信號延遲。隨著液晶顯示面板尺寸的增加及分辨率的提高，LCD的配線的信號延遲也會隨之增大。而過大的信號延遲會影響液晶顯示器的亮度、對比度等，從而降低顯示品質(zhì)。如數(shù)據(jù)線上的信號延遲則會影響加在液晶層上的信號電壓，從而影響顯示特性。
[0004]圖1是現(xiàn)有一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1所示的薄膜晶體管陣列基板的沿I1-1I線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖1和圖2，薄膜晶體管陣列基板I包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，且多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出多個(gè)像素區(qū)域，掃描線和數(shù)據(jù)線交叉位置處設(shè)置有薄膜晶體管?，F(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板I包括襯底基板10、形成在襯底基板10上的柵極11、第一絕緣保護(hù)層12、半導(dǎo)體層13、源極14a、漏極14b、數(shù)據(jù)線14c、第二絕緣保護(hù)層15、第一電極16、第三絕緣保護(hù)層17和第二電極18。第一絕緣保護(hù)層12形成在襯底基板10上。數(shù)據(jù)線14c形成在第一絕緣保護(hù)層12上。第二絕緣保護(hù)層15形成在第一絕緣保護(hù)層12上，并覆蓋數(shù)據(jù)線14c。第一電極16形成在第二絕緣保護(hù)層15上。第三絕緣保護(hù)層17覆蓋第一電極16。第二電極18形成在第三絕緣保護(hù)層17上。數(shù)據(jù)線14c與第一電極16之間僅設(shè)置有一層第二絕緣保護(hù)層15，使得數(shù)據(jù)線14c與第一電極16之間的距離較小，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線14c與第一電極16之間的電容較大，從而增大薄膜晶體管陣列基板的電極上的總電容。基于信號延遲的時(shí)間常數(shù)τ正比于總電容和總電阻的乘積，當(dāng)薄膜晶體管陣列基板的總電阻基本保持不變，且總電容較大時(shí)，導(dǎo)致該薄膜晶體管陣列基板的信號延遲增大，從而影響具有該薄膜晶體管陣列基板的顯示裝置的顯示特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，其有助于提高液晶顯示裝置的穿透率并減小液晶顯示裝置的信號延遲。
[0006]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其所制作的薄膜晶體管陣列基板有助于提高液晶顯示裝置的穿透率并減小液晶顯示裝置的信號延遲。
[0007]本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置，其具有較高的穿透率與較小的信號延遲。
[0008]本發(fā)明解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。
[0009]—種薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板、第一金屬層、第一絕緣保護(hù)層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第二絕緣保護(hù)層、第一導(dǎo)電層、第三絕緣保護(hù)層和第二導(dǎo)電層。第一金屬層形成在該襯底基板上。該第一金屬層包括柵極和掃描線。第一絕緣保護(hù)層形成在該襯底基板上并覆蓋該第一金屬層。半導(dǎo)體層形成在該第一絕緣保護(hù)層上并位于該柵極上方。第二金屬層形成在該第一絕緣保護(hù)層上，該第二金屬層包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線，該源極和該漏極彼此分隔并分別與該半導(dǎo)體層接觸，該半導(dǎo)體層的一部分從該源極和該漏極之間露出，該數(shù)據(jù)線與該源極相連，由多條該掃描線和多條該數(shù)據(jù)線交叉形成多個(gè)像素單元。第二絕緣保護(hù)層形成在該第一絕緣保護(hù)層上并覆蓋該源極、該漏極、該數(shù)據(jù)線、以及從該源極和該漏極之間露出的部分該半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電層形成在該第二絕緣保護(hù)層上，該第一導(dǎo)電層包括橫跨該數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電連接部。第三絕緣保護(hù)層形成在該第一導(dǎo)電層上，該第三絕緣保護(hù)層于對應(yīng)該導(dǎo)電連接部的位置具有第一通孔以露出部分的該導(dǎo)電連接部，該第三絕緣保護(hù)層和該第二絕緣層于對應(yīng)該漏極的位置具有第二通孔以露出部分的該漏極。第二導(dǎo)電層形成在該第三絕緣保護(hù)層上，該第二導(dǎo)電層包括彼此分隔設(shè)置的第一部分和第二部分，該第一部分對應(yīng)位于該數(shù)據(jù)線上方并順延該數(shù)據(jù)線設(shè)置，該第一部分還填入該第一通孔中與該導(dǎo)電連接部接觸實(shí)現(xiàn)電連接，由該第一導(dǎo)電層和該第二導(dǎo)電層的該第一部分共同形成第一電極，該第一電極是公共電極，該第二部分位于對應(yīng)的像素單元內(nèi)且還填入該第二通孔中與該漏極接觸實(shí)現(xiàn)電連接，該第二部分形成第二電極，該第二電極是像素電極。
[0010]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，該第一導(dǎo)電層于對應(yīng)該數(shù)據(jù)線的位置形成第一缺口以露出下方的該第二絕緣保護(hù)層，形成在該第一導(dǎo)電層上的該第三絕緣保護(hù)層還填入該第一缺口中與該第二絕緣保護(hù)層接觸。
[0011]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，該第一導(dǎo)電層于對應(yīng)薄膜晶體管所在的位置形成第二缺口以露出下方的該第二絕緣保護(hù)層，形成在該第一導(dǎo)電層上的該第三絕緣保護(hù)層還填入該第二缺口中與該第二絕緣保護(hù)層接觸。
[0012]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，該第二導(dǎo)電層的第一部分為與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的條狀結(jié)構(gòu)并覆蓋該數(shù)據(jù)線。
[0013]—種液晶顯示裝置，包括上述的薄膜晶體管陣列基板。
[0014]—種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上制作形成第一金屬層，該第一金屬層包括柵極和掃描線；在該襯底基板上制作形成第一絕緣保護(hù)層，該第一絕緣保護(hù)層覆蓋該第一金屬層；在該第一絕緣保護(hù)層上制作形成半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層位于該柵極上方；在該第一絕緣保護(hù)層上制作形成第二金屬層，該第二金屬層包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線，該源極和該漏極彼此分隔并分別與該半導(dǎo)體層接觸，該半導(dǎo)體層的一部分從該源極和該漏極之間露出，該數(shù)據(jù)線與該源極相連，由多條該掃描線和多條該數(shù)據(jù)線交叉形成多個(gè)像素單元；在該第一絕緣保護(hù)層上制作形成第二絕緣保護(hù)層，該第二絕緣保護(hù)層覆蓋該源極、該漏極、該數(shù)據(jù)線、以及從該源極和該漏極之間露出的部分該半導(dǎo)體層；在該第二絕緣保護(hù)層上制作形成第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層包括橫跨該數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電連接部；在該第一導(dǎo)電層上制作形成第三絕緣保護(hù)層，該第三絕緣保護(hù)層于對應(yīng)該導(dǎo)電連接部的位置形成第一通孔以露出部分的該導(dǎo)電連接部，該第三絕緣保護(hù)層和該第二絕緣層于對應(yīng)該漏極的位置形成第二通孔以露出部分的該漏極；以及在該第三絕緣保護(hù)層上制作形成第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層包括彼此分隔設(shè)置的第一部分和第二部分，該第一部分對應(yīng)位于該數(shù)據(jù)線上方并順延該數(shù)據(jù)線設(shè)置，該第一部分還填入該第一通孔中與該導(dǎo)電連接部接觸實(shí)現(xiàn)電連接，由該第一導(dǎo)電層和該第二導(dǎo)電層的第一部分共同形成第一電極，該第一電極是公共電極，該第二部分位于對應(yīng)的像素單元內(nèi)且還填入該第二通孔中與該漏極接觸實(shí)現(xiàn)電連接，該第二部分形成第二電極，該第二電極是像素電極。
[0015]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，在該第二絕緣保護(hù)層上制作形成該第一導(dǎo)電層時(shí)，包括在該第一導(dǎo)電層于對應(yīng)該數(shù)據(jù)線的位置制作形成第一缺口以露出下方的該第二絕緣保護(hù)層，使形成在該第一導(dǎo)電層上的該第三絕緣保護(hù)層還填入該第一缺口中與該第二絕緣保護(hù)層接觸。
[0016]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，在該第二絕緣保護(hù)層上制作形成該第一導(dǎo)電層時(shí)，包括在該第一導(dǎo)電層于對應(yīng)薄膜晶體管所在的位置制作形成第二缺口以露出下方的該第二絕緣保護(hù)層，使形成在該第一導(dǎo)電層上的該第三絕緣保護(hù)層還填入該第二缺口中與該第二絕緣保護(hù)層接觸。
[0017]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，該第二導(dǎo)電層的第一部分為與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的條狀結(jié)構(gòu)并覆蓋該數(shù)據(jù)線。
[0018]在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，該第一部分和該第二部分是在制作該第二導(dǎo)電層的同一道光罩制程中制作形成的。
[0019]本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的第二導(dǎo)電層包括第一部分和第二部分，第一部分填入第一通孔中與第一導(dǎo)電層的導(dǎo)電連接部接觸實(shí)現(xiàn)電連接，由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的第一部分共同形成第一電極，即第一電極由位于不同層的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的第一部分共同形成，第二部分位于對應(yīng)的像素單元內(nèi)且還填入第二通孔中與漏極接觸實(shí)現(xiàn)電連接，第二部分形成第二電極。除了由位于