一種新型的射頻晶體管版圖結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，尤其涉及射頻金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著CMOS技術(shù)在射頻(RF)領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，射頻MOS管的高頻性能日益受到關(guān)注。高頻情況下，射頻MOS管的寄生電阻及寄生電容通常對(duì)射頻電路的性能有不利影響，例如寄生電阻越高，射頻電路的噪聲通常越大；寄生電容越高，射頻MOS管的截止頻率越低，射頻電路的工作速度就越低。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種射頻MOS管的部分版圖(未包含襯底部分)結(jié)構(gòu)TK意圖，圖中網(wǎng)格區(qū)域表示第二層金屬，斜線區(qū)域表示第一層金屬，結(jié)合該圖可知:
該射頻MOS管的柵極包括多個(gè)子?xùn)?1，及連接子?xùn)?1的左側(cè)柵120和右側(cè)柵121，左側(cè)柵120上設(shè)置有柵第一金屬層，柵第一金屬層上設(shè)置有柵第二金屬層，左側(cè)柵120與柵第一金屬層之間及柵第一金屬層與柵第二金屬層之間用通孔連接，左側(cè)柵120用作柵極輸入端，所述柵第一金屬層由第一層金屬形成，柵第二金屬層由第二層金屬形成。
[0004]該射頻MOS管的漏極13 (Drain)上設(shè)置有漏金屬層,漏金屬層延伸出子漏極13,連接至漏端14 ;所述漏金屬層由第一層金屬形成，漏端14由相互連接的漏第一金屬層及漏第二金屬層構(gòu)成，其中漏第一金屬層由第一層金屬形成，與漏金屬層連接；漏第二金屬層由第二層金屬形成。
[0005]該射頻MOS管的源極15 (Source)上設(shè)置有源金屬層,所述源金屬層由單獨(dú)覆蓋于子源極15上的子源金屬層及覆蓋于漏金屬層、子?xùn)?1和子源金屬層上的主源金屬層構(gòu)成，其中子源金屬層分別與子源極15與主源金屬層通過(guò)通孔連接，子源金屬層由第一層金屬形成，主源金屬層由第二層金屬形成，圖中源金屬層用作源極輸入端。
[0006]本申請(qǐng)發(fā)明人通過(guò)分析得出，上述結(jié)構(gòu)的射頻MOS管中，主源金屬層覆蓋所有子?xùn)?1和漏極13，一方面增大源漏極間及柵源極間交疊區(qū)域的面積，而交疊區(qū)域的面積越大，射頻MOS管的寄生電容越大，所以上述結(jié)構(gòu)的射頻MOS管寄生電容較大，進(jìn)而降低射頻MOS管的工作速度；另一方面由于通常情況下柵極是高頻信號(hào)輸入端，因此源極信號(hào)在源金屬層傳遞時(shí)，必然與其覆蓋下的各子?xùn)?1中高頻信號(hào)有干擾效應(yīng)，降低射頻MOS管的可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供射頻MOS管版圖結(jié)構(gòu)，以提高射頻MOS管的工作速度及降低源金屬層的源極信號(hào)與柵極中高頻信號(hào)間交叉耦合引起的干擾效應(yīng)，提高射頻MOS管的可靠性。
[0008]本發(fā)明提供的射頻MOS管包括源極、漏極和柵極以及陳底，所述柵極由子?xùn)藕瓦B接子?xùn)诺膫?cè)柵構(gòu)成，還包括連接源極及源端的源金屬層、連接漏極及漏端的漏金屬層和連接側(cè)柵及柵輸入端的側(cè)柵金屬層，其中源金屬層覆蓋并延伸出源極，其在有源區(qū)的投影與漏極和子?xùn)艧o(wú)交疊；漏金屬層覆蓋并延伸出漏極，其在有源區(qū)的投影與源極和子?xùn)艧o(wú)交疊；側(cè)柵金屬層覆蓋并延伸出側(cè)柵，其在有源區(qū)的投影與源極和漏極無(wú)交疊；以及源金屬層、漏金屬層及柵金屬層中，由相同層金屬形成的部分無(wú)交叉。
[0009]可選的，所述源金屬層的結(jié)構(gòu)為:覆蓋于源極上的源金屬層由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出源極的源金屬層由第二層金屬形成；以及所述漏金屬層的結(jié)構(gòu)為:覆蓋于漏極上的漏金屬層由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出漏極的漏金屬層為第二層金屬形成。柵輸入端由相互連接的柵第一金屬層和柵第二金屬層構(gòu)成，其中柵第一金屬層由第一層金屬形成，柵第二金屬層由第二層金屬形成，且柵第一金屬層連接至側(cè)柵金屬層；及源端和漏端均由第二金屬層形成。
[0010]可選的，所述側(cè)柵有兩條，其中一條側(cè)柵上覆蓋有側(cè)柵金屬層，另一條側(cè)柵未覆蓋側(cè)柵金屬層。
[0011 ] 可選的，源金屬層向側(cè)柵金屬層的方位，漏金屬層向未覆蓋側(cè)柵金屬層的側(cè)柵的方位延伸；以及源金屬層的結(jié)構(gòu)為:覆蓋于源極上的部分由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出源極的部分由第二層金屬形成；源端由第二層金屬形成；漏金屬層由第一層金屬形成；漏端由第一層金屬及第二層金屬連接形成，其中漏端的第一層金屬與漏金屬層連接。
[0012]可選的，漏金屬層向側(cè)柵金屬層的方位，源金屬層向未覆蓋側(cè)柵金屬層的側(cè)柵的方位延伸；以及漏金屬層的結(jié)構(gòu)為:覆蓋于漏極上的部分由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出漏極的部分由第二層金屬形成；漏端由第二層金屬形成；源金屬層由第一層金屬形成；源端由第一層金屬及第二層金屬連接形成，其中源端的第一層金屬與源金屬層連接。
[0013]可選的，所述側(cè)柵有兩條；以及各個(gè)側(cè)柵上均有側(cè)柵金屬層；且所有側(cè)柵金屬層均連接至柵輸入端。
[0014]本發(fā)明提出的一種射頻MOS管的源金屬層覆蓋并延伸出源極，且其在有源區(qū)的投影與子?xùn)藕吐O無(wú)交疊，一方面減少了源柵極與源漏極間的交疊的面積，從而減少了射頻MOS管的寄生電容，提高了射頻MOS管的工作速度，另一方面降低了源金屬層的源極信號(hào)與柵極中高頻信號(hào)間交叉耦合引起的干擾效應(yīng)，提高了射頻MOS管的可靠性。
[0015]本發(fā)明提供的另一種射頻MOS管的兩條側(cè)柵上均有側(cè)柵金屬層連接至柵輸入端，使得柵輸入端輸入的信號(hào)分別從兩條側(cè)柵并聯(lián)進(jìn)入柵極，使得射頻MOS管的等效寄生電阻降低為單端輸入的一半，從而降低了射頻電路的MOS管柵極引起的熱噪聲。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種射頻MOS管的部分版圖結(jié)構(gòu)TJK意圖；
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例中射頻MOS管的部分版圖結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]盡管下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0018]為了清楚，不描述實(shí)際版圖結(jié)構(gòu)的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公認(rèn)已知的結(jié)構(gòu)和版圖構(gòu)成，因?yàn)樗鼈儠?huì)是本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際版圖結(jié)構(gòu)優(yōu)化與開發(fā)中，必須作出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0019]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率