的制作方法流程圖，該方法包括以下步驟:
[0025]步驟1:在III族氮化物歐姆接觸區(qū)域注入N型雜質(zhì)；在本步驟中，N型雜質(zhì)可以是Si元素、Ge元素、Se元素或者是以上元素與N元素的共摻注入。
[0026]步驟2:在注入N型雜質(zhì)的III族氮化物歐姆接觸區(qū)域之上淀積歐姆金屬；在本步驟中，歐姆金屬可以是含金多層金屬，或者是無(wú)金多層金屬，其中，含金多層金屬為Ti/Al/Ni/Au結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Mo/Au結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Pt/Au結(jié)構(gòu)和Ti/Al/Ti/Au結(jié)構(gòu)中任何結(jié)構(gòu)。所述無(wú)金多層金屬為Ti/Al結(jié)構(gòu)，Ti/Al/W結(jié)構(gòu)，Ti/Al/TiN結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ti/TiN結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ni/Ta/Cu/Ta 結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ni/Pt 結(jié)構(gòu)，Ta/Al/Ta 結(jié)構(gòu)和 Ta/Ti/Al/Ti/TiN 結(jié)構(gòu)中的任何結(jié)構(gòu)。
[0027]步驟3:采用微波退火技術(shù)在低溫下實(shí)現(xiàn)歐姆接觸；在本步驟中，是利用微波退火技術(shù)在低于800°C的低溫條件下實(shí)現(xiàn)III族氮化物N型雜質(zhì)的低溫激活，形成N++摻雜。
[0028]實(shí)施例二
[0029]如圖3和圖4所示，圖3是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作工藝流程圖，圖4是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法流程圖，該方法包括以下步驟:
[0030]步驟a:在III族氮化物歐姆接觸區(qū)域注入N型雜質(zhì)；在本步驟中，N型雜質(zhì)可以是Si元素、Ge元素、Se元素或者是以上元素與N元素的共摻注入。
[0031]步驟b:采用微波退火技術(shù)激活注入的N型雜質(zhì)；在本步驟中，是利用微波退火技術(shù)在低于800°C的低溫條件下N型雜質(zhì)的低溫激活，形成N++摻雜。
[0032]步驟c:在注入N型雜質(zhì)的III族氮化物歐姆接觸區(qū)域之上淀積歐姆金屬；在本步驟中，歐姆金屬可以是含金多層金屬，或者是無(wú)金多層金屬，其中，含金多層金屬為Ti/Al/Ni/Au結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Mo/Au結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Pt/Au結(jié)構(gòu)和Ti/Al/Ti/Au結(jié)構(gòu)中任何結(jié)構(gòu)。所述無(wú)金多層金屬為Ti/Al結(jié)構(gòu)，Ti/Al/W結(jié)構(gòu)，Ti/Al/TiN結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ti/TiN結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ni/Ta/Cu/Ta 結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ni/Pt 結(jié)構(gòu)，Ta/Al/Ta 結(jié)構(gòu)和 Ta/Ti/Al/Ti/TiN 結(jié)構(gòu)中的任何結(jié)構(gòu)。
[0033]步驟d:采用微波退火技術(shù)在低溫下實(shí)現(xiàn)歐姆接觸；在本步驟中，是利用微波退火技術(shù)在低于800°C的低溫條件下實(shí)現(xiàn)III族氮化物N型雜質(zhì)的低溫激活，形成N++摻雜。
[0034]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，該方法包括: 在III族氮化物歐姆接觸區(qū)域注入N型雜質(zhì)； 在注入N型雜質(zhì)的III族氮化物歐姆接觸區(qū)域之上淀積歐姆金屬； 采用微波退火技術(shù)在低溫下實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述在III族氮化物歐姆接觸區(qū)域注入N型雜質(zhì)，是Si元素、Ge元素、Se元素，或者是S1、Ge或Se元素與N元素的共摻注入。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述淀積歐姆金屬的步驟中，所述歐姆金屬是含金多層金屬，或者是無(wú)金多層金屬。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述含金多層金屬為Ti/Al/Ni/Au結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Mo/Au結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Pt/Au結(jié)構(gòu)和Ti/Al/Ti/Au結(jié)構(gòu)中任何一種結(jié)構(gòu)；所述無(wú)金多層金屬為Ti/Al結(jié)構(gòu)，Ti/Al/W結(jié)構(gòu)，Ti/Al/TiN結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ti/TiN 結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ni/Ta/Cu/Ta 結(jié)構(gòu)，Ti/Al/Ni/Pt 結(jié)構(gòu)，Ta/Al/Ta 結(jié)構(gòu)和 Ta/Ti/Al/Ti/TiN結(jié)構(gòu)中的任何一種結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述采用微波退火技術(shù)在低溫下實(shí)現(xiàn)歐姆接觸，是利用微波退火技術(shù)在低于800°C的低溫條件下實(shí)現(xiàn)III族氮化物N型雜質(zhì)的低溫激活，形成N++摻雜。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，在III族氮化物歐姆接觸區(qū)域注入N型雜質(zhì)之后，該方法還包括:采用微波退火技術(shù)激活注入的N型雜質(zhì)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述采用微波退火技術(shù)激活注入的N型雜質(zhì)，是利用微波退火技術(shù)在低于800°C的低溫條件下實(shí)現(xiàn)N型雜質(zhì)的低溫激活，形成N++摻雜。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述采用微波退火技術(shù)在低溫下實(shí)現(xiàn)歐姆接觸，是利用微波退火技術(shù)在低于800°C的低溫條件下增強(qiáng)歐姆金屬與III族氮化物之間的界面反應(yīng)，降低接觸勢(shì)皇，增加歐姆接觸面積。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述III族氮化物電子器件是A1N、GaN、InN薄膜材料，或者是AlxInyGai x yN合成組分薄膜材料，或者是A1 (In，Ga) N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種III族氮化物電子器件低溫歐姆接觸的制作方法，該方法包括：在III族氮化物歐姆接觸區(qū)域注入N型雜質(zhì)；在注入N型雜質(zhì)的III族氮化物歐姆接觸區(qū)域之上淀積歐姆金屬；采用微波退火技術(shù)在低溫下實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。在III族氮化物歐姆接觸區(qū)域注入N型雜質(zhì)之后，該方法還包括：采用微波退火技術(shù)激活注入的N型雜質(zhì)。本發(fā)明利用微波退火方法，一方面可實(shí)現(xiàn)注入N型雜質(zhì)在III族氮化物中的低溫激活，以便形成N型重?fù)诫s層，提高電子隧穿幾率，降低歐姆接觸電阻；另一方面，可增強(qiáng)歐姆金屬與III族氮化物半導(dǎo)體的界面反應(yīng)，降低接觸勢(shì)壘，提高歐姆接觸面積，進(jìn)一步降低接觸電阻。
【IPC分類】H01L21/324, H01L29/45, H01L21/28
【公開號(hào)】CN105390382
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510690191
【發(fā)明人】黃森, 劉新宇, 王鑫華, 魏珂, 包琦龍, 羅軍, 趙超
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
【公開日】2016年3月9日
【申請(qǐng)日】2015年10月22日