晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶片的加工方法，尤其是涉及所謂的ΤΑΙΚ0磨削方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為用于將半導(dǎo)體晶片磨削為極薄并且提高操作性的加工方法，公知有對(duì)半導(dǎo)體晶片的與器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面進(jìn)行磨削來(lái)形成圓形凹部，而使環(huán)狀凸部殘留在外周部的磨削方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)2)。在本說(shuō)明書(shū)中，將該磨削方法定義為ΤΑΙΚ0磨削。在ΤΑΙΚ0磨削中，通過(guò)粗磨削大致形成圓形凹部之后，出于提高器件區(qū)域的抗彎強(qiáng)度的目的，通過(guò)粒徑較細(xì)的磨具對(duì)圓形凹部的底面進(jìn)一步進(jìn)行最終磨削。如果最終磨具與通過(guò)粗磨削形成的圓形凹部的內(nèi)周壁發(fā)生碰撞，則最終磨具會(huì)磨損，或者在內(nèi)周壁上產(chǎn)生崩裂，因此使最終磨具下降至比內(nèi)周壁稍微靠近內(nèi)側(cè)的位置，以最終磨削速度從規(guī)定距離的上方對(duì)底面進(jìn)行磨削。由于直至規(guī)定距離的上方的位置，最終磨具不進(jìn)行磨削，因此以高速下降，縮短了加工時(shí)間。
[0003]專利文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2009-176896號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2008-42081號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]由于將最終磨具相對(duì)于圓形凹部的內(nèi)周壁定位于哪個(gè)位置決定了器件區(qū)域(芯片的量)，因此希望將最終磨具定位于盡可能靠近內(nèi)周壁的位置。由于粗磨具因消耗產(chǎn)生的變形，因此圓形凹部的連接內(nèi)周壁與底面的角成為曲面狀，越是使最終磨具接近外周，越需要通過(guò)最終磨具對(duì)曲面部進(jìn)行磨削。雖然曲面部的體積較小，但是如果以高速進(jìn)行加工則會(huì)促進(jìn)最終磨具因消耗產(chǎn)生的變形，結(jié)果，最終加工后的曲面部增大因此能夠用作器件的區(qū)域變小。因此，以往通過(guò)最終磨具對(duì)與曲面部相比靠近內(nèi)側(cè)的部分進(jìn)行磨削，會(huì)以使最終磨具從曲面部向內(nèi)側(cè)退避的量、以及最終磨具的變形量成為不能形成器件的區(qū)域。
[0007]因此，研究了對(duì)曲面部進(jìn)行磨削而將能夠用作器件的區(qū)域擴(kuò)大的方法，也研究了在通過(guò)曲面部時(shí)也以最終磨削速度下降的方法，但是存在如下課題:對(duì)于曲面部而言，由于在其高度為例如200 μπι左右的情況下，要對(duì)以最終磨削速度進(jìn)行加工的下降距離加上200 μ m，因此加工時(shí)間變得很長(zhǎng)。
[0008]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，提供一種晶片的加工方法，能夠抑制加工時(shí)間變長(zhǎng)并且擴(kuò)大器件區(qū)域。
[0009]為了解決上述課題并達(dá)成目的，本發(fā)明的晶片的加工方法中，該晶片在正面上具備在通過(guò)形成為格子狀的多條間隔道劃分的區(qū)域內(nèi)形成有器件的器件區(qū)域以及圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，將所述晶片保持在卡盤(pán)工作臺(tái)的保持面上并通過(guò)磨具對(duì)與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面的區(qū)域進(jìn)行磨削，使該器件區(qū)域的厚度形成為規(guī)定的最終厚度，該晶片的加工方法具備如下步驟:第1磨削步驟，在加工進(jìn)給方向上移動(dòng)第1磨具來(lái)對(duì)晶片進(jìn)行磨肖|J，在晶片的背面形成第1圓形凹部，所述加工進(jìn)給方向是與該保持面垂直的方向；以及第2磨削步驟，在實(shí)施該第1磨削步驟之后，使由比該第1磨具細(xì)的磨粒形成的第2磨具從晶片的中心側(cè)朝向晶片的外周沿傾斜方向下降，對(duì)該第1圓形凹部進(jìn)行磨削。
[0010]此外，在所述晶片的加工方法中，在該第2磨削步驟中，使該第2磨具的末端外周傾斜地下降至與該第1圓形凹部的內(nèi)周壁相比以規(guī)定的距離位于內(nèi)側(cè)、并且與該第1圓形凹部的底面相比以規(guī)定的距離位于上方的位置，對(duì)該第1圓形凹部的連接內(nèi)周壁與底面的曲面部的一部分進(jìn)行磨削，該晶片的加工方法進(jìn)一步具備如下的第3磨削步驟:在實(shí)施該第2磨削步驟之后，在該加工進(jìn)給方向上移動(dòng)該第2磨具來(lái)對(duì)該第1圓形凹部的底面進(jìn)行磨削，使該器件區(qū)域的厚度形成為規(guī)定的最終厚度。
[0011]因此，在本申請(qǐng)發(fā)明的晶片的加工方法中，在使第2磨具下降時(shí)，通過(guò)使第2磨具從晶片的中心側(cè)的斜上方朝向晶片的外周傾斜地下降而實(shí)現(xiàn)了如下效果:能夠抑制加工時(shí)間變長(zhǎng)并且能夠?qū)⒕呐c器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面的平坦區(qū)域擴(kuò)大。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是通過(guò)第1實(shí)施方式的晶片的加工方法而進(jìn)行加工的晶片的立體圖。
[0013]圖2是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的保持部件配設(shè)步驟的立體圖。
[0014]圖3是實(shí)施第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削裝置的主要部位的立體圖。
[0015]圖4是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第1磨削步驟的概要的側(cè)視圖。
[0016]圖5是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的概要的側(cè)視圖。
[0017]圖6是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的使第2磨具與第1圓形凹部的底面接觸的狀態(tài)的側(cè)視圖。
[0018]圖7是將圖6中的VII部放大而示出的側(cè)視圖。
[0019]圖8是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的磨削至最終厚度的狀態(tài)的側(cè)視圖。
[0020]圖9是示出第2實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的概要的側(cè)視圖。
[0021]圖10是示出第2實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟后的概要的側(cè)視圖。
[0022]圖11是將圖10中的XI部放大而示出的側(cè)視圖。
[0023]圖12是將第2實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的概要放大而示出的側(cè)視圖。
[0024]圖13是將第2實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟后的概要放大而示出的側(cè)視圖。
[0025]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0026]10:卡盤(pán)工作臺(tái)；10a:保持面；24:第1磨具(磨具)；34:第2磨具(磨具)；D:器件；s:間隔道；T:最終厚度；W:晶片；W1:器件區(qū)域；W2:外周剩余區(qū)域;WS:正面;WR:背面；R1:第1圓形凹部；B1:底面；C1:曲面部；11:內(nèi)周壁。
【具體實(shí)施方式】
[0027]參照附圖并對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式(實(shí)施方式)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明不被以下的實(shí)施方式中記載的內(nèi)容而限定。此外，在以下所述的構(gòu)成要素中，包含了本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地推斷出的構(gòu)成要素、以及實(shí)質(zhì)上等同的構(gòu)成要素。進(jìn)而，能夠?qū)σ韵滤龅慕Y(jié)構(gòu)進(jìn)行適當(dāng)組合。此外，在不脫離本發(fā)明的主要內(nèi)容的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)的各種省略、取代或者變更。
[0028]〔第1實(shí)施方式〕
[0029]基于附圖對(duì)第1實(shí)施方式的晶片的加工方法進(jìn)行說(shuō)明。圖1是通過(guò)第1實(shí)施方式的晶片的加工方法而進(jìn)行加工的晶片的立體圖。
[0030]第1實(shí)施方式的晶片的加工方法(以下，簡(jiǎn)單記為加工方法)是對(duì)圖1所示的晶片W進(jìn)行加工的方法。
[0031]通過(guò)第1實(shí)施方式的加工方法而進(jìn)行加工的晶片W在第1實(shí)施方式中是以硅、藍(lán)寶石、鎵等為母材的圓板狀的半導(dǎo)體晶片及光器件晶片。如圖1所示，晶片W在正面WS上具備:器件區(qū)域W1，其在由形成為格子狀的多個(gè)間隔道S劃分的區(qū)域內(nèi)形成有器件D ;以及外周剩余區(qū)域W2，其圍繞器件區(qū)域W1。另外，在圖1中，為了方便而用點(diǎn)劃線來(lái)表示器件區(qū)域W1與外周剩余區(qū)域W2的邊界，但是實(shí)際上，在邊界上不存在線。
[0032]接下來(lái)，對(duì)加工方法進(jìn)行說(shuō)明。圖2是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的保持部件配設(shè)步驟的立體圖，圖3是實(shí)施第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削裝置的主要部位的立體圖，圖4是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第1磨削步驟的概要的側(cè)視圖，圖5是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的概要的側(cè)視圖，圖6是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的使第2磨具與第1圓形凹部的底面接觸的狀態(tài)的側(cè)視圖，圖7是將圖6中的VII部放大而示出的側(cè)視圖，圖8是示出第1實(shí)施方式的晶片的加工方法的第2磨削步驟的磨削至最終厚度的狀態(tài)的側(cè)視圖。
[0033]第1實(shí)施方式的加工方法中是如下的方法:使晶片W保持于磨削裝置1 (在圖3中示出)的卡盤(pán)工作臺(tái)10的保持面10a，通過(guò)磨具24、34(在圖4及圖5中示出)對(duì)背面WR的與器件區(qū)域W1對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行磨削，使器件區(qū)域W1的厚度形成為規(guī)定的最終厚度T (在圖8中示出)。如圖3所示，磨削裝置1具備:卡盤(pán)工作臺(tái)10，其保持晶片W ;第1磨削單元20，其對(duì)保持于卡盤(pán)工作臺(tái)1