像素單元以及陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領域，特別是涉及一種像素單元以及陣列基板。
【背景技術】
[0002]伴隨著液晶LCD以及有機發(fā)光二極管OLED為代表的平板顯示器向著大尺寸、高分辨率的方向發(fā)展，薄膜晶體管TFT作為平板顯示行業(yè)的核心部件，也得到廣泛的關注。現(xiàn)有技術中常用的薄膜晶體管包括非晶硅薄膜晶體管以及氧化物薄膜晶體管，由于氧化物薄膜晶體管具有載流子迀移率高的優(yōu)勢，在導入時無需大幅改變現(xiàn)有的液晶面板生產線等優(yōu)勢，而得到了廣泛應用。
[0003]在液晶顯示器得到廣泛應用的同時，用戶對液晶顯示畫面的解析度要求也越來越高，為了保證顯示過程中高要求的解析度，要求液晶顯示器在顯示時TFT具有充足的電位，因此，在顯示器的制備過程中，會在像素單元中設置存儲電容，來保證電位。
[0004]然而，由于存儲電容一般是由金屬電極夾置絕緣層而制成，由于金屬不透光，會造成顯示器開口率的降低，影響了顯示效果。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種像素單元以及陣列基板，能夠在保證液晶顯示裝置解析度的前提下，有效提高液晶顯示裝置的開口率。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種像素單元，所述像素單元包括:薄膜晶體管TFT以及與所述TFT漏極連接的存儲電容，所述存儲電容包括相對設置的第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層相對所述第二金屬層的一面設置有凹凸圖案。
[0007]其中，所述凹凸圖案是通過在所述第一金屬層的表面設置凹槽而形成。
[0008]其中，所述凹凸圖案是通過壓印、激光加工以及光刻中的至少一種方式對所述第一金屬層進行處理而形成。
[0009]其中，所述凹凸圖案的類型包括網(wǎng)格結構。
[0010]其中，所述第一金屬層與所述第二金屬層之間填充有絕緣層。
[0011]其中，所述像素單元還包括像素電極，所述像素電極與所述存儲電容并聯(lián)。
[0012]其中，所述薄膜晶體管TFT為氧化物薄膜晶體管。
[0013]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是:提供一種陣列基板，所述陣列基板包括由多條兩兩交叉且不相交的掃描線和數(shù)據(jù)線所組成的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT以及與所述TFT漏極連接的存儲電容，所述存儲電容包括相對設置的第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層相對所述第二金屬層的一面設置有凹凸圖案。
[0014]其中，所述凹凸圖案是通過在所述第一金屬層的表面設置凹槽而形成。
[0015]其中，所述凹凸圖案是通過壓印、激光加工以及光刻中的至少一種方式對所述第一金屬層進行處理而形成。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本實施方式的像素單元包括薄膜晶體管TFT以及與薄膜晶體管TFT電連接的存儲電容，該存儲電容包括相對設置的第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層相對所述第二金屬層的一面設置有凹凸圖案。通過在第一金屬層的表現(xiàn)形成凹凸圖案，增大了存儲電容兩端的第一金屬層與第二金屬層的正對面積，進一步增大了存儲電容的容量，因此，能夠在不改變甚至增大存儲電容容量的前提下，減小存儲電容的物理大小，提高了液晶顯示器的開口率，進一步改善了液晶顯示器的顯示畫面。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明像素單元一實施方式的剖面結構示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明存儲電容一實施方式的結構示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明存儲電容的第一金屬層一實施方式的俯視示意圖；
[0020]圖4是本發(fā)明陣列基板一實施方式的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]參閱圖1，圖1是本發(fā)明像素單元一實施方式的剖面結構示意圖。如圖1所示，本實施方式的像素單元包括薄膜晶體管TFTlOl以及與所述薄膜晶體管TFT電連接的存儲電容102，其中，該存儲電容102包括相對設置的第一金屬層1021以及第二金屬層1022，該薄膜晶體管TFTlOl包括氧化物薄膜晶體管，還可以為其他類型的晶體管，只要能起到開關作用即可，在此不做限定。
[0022]如圖1所示，薄膜晶體管TFT101包括設置在玻璃基板上1011上的柵極1012，柵極1012上形成的有絕緣層1013、設置在絕緣層1013上方的有源層1014、還包括分隔在該有源層1014的兩端，以一溝道分開并暴露部分有源層1014的源極1015以及漏極1016。在像素電極的表面還設置有鈍化層1017以及平坦層1018，還設置有觸控電極1019以電連接該存儲電容 102。
[0023]進一步地，所述像素單元還包括像素電極(圖中未示出)，像素電極與存儲電容通過觸控電極電連接在薄膜晶體管TFT 101的漏極1016上，該薄膜晶體管TFT 101的柵極1012電連接在掃描線上，該掃描線為TFT 101提薄膜晶體管供控制信號，薄膜晶體管TFT 101的源極1015電連接在數(shù)據(jù)線上，該數(shù)據(jù)線為該像素單元提供數(shù)據(jù)驅動信號。具體地，在該薄膜晶體管TFT 101接通電信號時，在為像素電極提供工作電壓的同時，也為該存儲電容102提供充電電壓，該存儲電容將該電荷進行存儲，以補充在該薄膜晶體管TFT 1I斷開時像素電極所需要的電位。
[0024]為了給像素電極提供足夠的電壓，進一步地，第一金屬層1021相對于第二金屬層1022的一面設置有凹凸圖案。具體地，如圖2所示，圖2為圖1中存儲電容102的細化結構示意圖，第一金屬層201相對第二金屬層202的表面設置有凹凸圖案2011。
[0025]另外，在第一金屬層201與第二金屬層202之間還夾置有絕緣層203，，該絕緣層203包括無機氧化物，如二氧化硅，也可以為其他絕緣物質，在此不做限定。
[0026]具體地，當在第一金屬層201的表面設置了起伏不平的凹凸圖案，能夠有效增大形成存儲電容電極的相對正對面積，根據(jù)電容容量公式C = ε S/(4KJid)，其中，ε、κ、Ji均為常數(shù)，S為第一金屬層401和第二金屬層402的正對面積，d為第一金屬層201和第二金屬層202的相對距離，在相對距離d保持不變的條件下，正對面積S越大，存儲電容的容量就越大。
[0027]因此，第一金屬層201的表面設置起伏不平的凹凸圖案，通過增大第一金屬層201和第二金屬層202的正對面積，在不改變原有薄膜晶體管的存儲電容體積的前提下，增大存儲電容的容量。
[0028]另外，還可以通過在以上述方式增加存儲電容容量的基礎上，減小存儲電容的所占位置，增大液晶顯示裝置的開口率。
[0029]其中，該凹凸圖案可通過壓印、激光加工或者光刻中的至少一種工藝對第一金屬層進行處理，以在第一金屬層201的表面形成起伏的凹槽，從而形成不同形狀的凹凸圖案，增加第一金屬層201的表面積。
[0030]其中，壓印工藝是將板料放在上、下模之間，在壓力作用下使其材料厚度發(fā)生變化，并將擠壓外的材料，充塞在有起伏細紋的模具形腔凸、凹處，而在工件表面得到形成起伏鼓凸及字樣或花紋的一種成形方法。激光加工是通過激光在第一金屬層表面雕刻各種凹凸圖案。光刻工藝是指在第一金屬層的表面將特定部分除去，以在第一金屬層上留下凸凹不平的圖案的工藝。應用到本實施方式中，只要能在第一金屬層201的表面形成高低起伏的凹凸圖案，在此不做限定。
[0031]所述凹凸圖案的具體呈現(xiàn)形式不做限定，如網(wǎng)格