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一種無極性led芯片結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:10081776閱讀:519來源:國知局
一種無極性led芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種無極性LED芯片結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de,LED)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。這種電子元件早在1962年出現(xiàn),早期只能發(fā)出低光度的紅光,之后發(fā)展出其他單色光的版本,時(shí)至今日能發(fā)出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線,光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛取6猛疽灿沙鯐r(shí)作為指示燈、顯示板等;隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,發(fā)光二極管已被廣泛的應(yīng)用于顯示器、電視機(jī)采光裝飾和照明。
[0003]發(fā)光二極管(LED)是利用半導(dǎo)體材料中的電子與空穴結(jié)合時(shí)能量帶位階的改變,以發(fā)光形式,釋放出能量。目前在市場上應(yīng)用的發(fā)光二極管所發(fā)出的光為紅、綠、藍(lán)及白光等多種。由于發(fā)光二極管具有體積小、壽命長、驅(qū)動電壓低、耗電量低、反應(yīng)速率快、耐震性佳等優(yōu)點(diǎn),可應(yīng)用在銀行匯率看板、汽車第三剎車燈、交通標(biāo)志、戶外信息看板與日常照明等各種應(yīng)用領(lǐng)域中?,F(xiàn)有的發(fā)光二極管(LED)主要由二極管芯片、引出電極和透明封裝外殼構(gòu)成。由于其具備壽命長、體積小、發(fā)熱量低、耗電量少、反應(yīng)速度快、無輻射及單色性發(fā)光的特性及優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各項(xiàng)產(chǎn)品中。
[0004]眾所周知,LED芯片的電極有正負(fù)極性之分,所以在芯片的使用過程中會特別注意芯片電極的極性,會對LED芯片后續(xù)的封裝和應(yīng)用端對生產(chǎn)和使用的效率造成影響。
[0005]因此,針對上述技術(shù)問題,有必要提供一種不分正負(fù)極,安裝更換方便的無極性LED芯片結(jié)構(gòu)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種無極性LED芯片結(jié)構(gòu)。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:一種無極性LED芯片結(jié)構(gòu),所述芯片結(jié)構(gòu)包括:
[0008]第一 LED芯片,其上設(shè)有無極性接線端和極性電極;
[0009]第二 LED芯片,其上設(shè)有無極性接線端和極性電極;
[0010]第三LED芯片,其上設(shè)有極性電極;
[0011]所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片通過所述第三LED芯片串聯(lián),所述第三LED芯片上的極性電極分別與所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上的極性電極電性連接,形成至少兩條導(dǎo)電通路,所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上的無極性接線端與其中任一條所述導(dǎo)電通路電性連接。
[0012]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述極性電極包括第一極性電極和第二極性電極。
[0013]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上均至少設(shè)有一個所述第一極性電極和一個所述第二極性電極,所述無極性接線端與所述第一極性電極或所述第二極性電極電性連接。
[0014]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述第三LED芯片上至少設(shè)有兩組電性導(dǎo)通的所述第一極性電極和所述第二極性電極。
[0015]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一 LED芯片上的所述第一極性電極和所述第三LED芯片上的一組所述第一極性電極和所述第二極性電極電性連接;所述第二 LED芯片上的所述第一極性電極和所述第三LED芯片上的另一組所述第一極性電極和所述第二極性電極電性連接。
[0016]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一 LED芯片上的所述第一極性電極與所述第三LED芯片上的所述第二極性電極電性連接,所述第二 LED芯片上的所述第二極性電極與所述第三LED芯片上的所述第一極性電極電性連接;所述第二 LED芯片上的所述第一極性電極與所述第三LED芯片上的所述第二極性電極電性連接,所述第一 LED芯片上的所述第二極性電極與所述第三LED芯片上的所述第一極性電極電性連接。
[0017]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片通過多個所述第三LED芯片串聯(lián)。
[0018]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一極性電極與所述第二極性電極形狀不同。
[0019]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述無極性LED芯片從下向上依次包括:
[0020]襯底;
[0021]位于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層;
[0022]位于所述N型半導(dǎo)體層上的發(fā)光層;
[0023]位于所述發(fā)光層上的P型半導(dǎo)體層;
[0024]所述第一極性電極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體層上,并與所述P型半導(dǎo)體層電性連接,所述第二極性電極設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層,并與所述N型半導(dǎo)體層電性連接,所述第一LED芯片、第二 LED芯片上的無極性接線端分別與第一 LED芯片、第二 LED芯片上的N型半導(dǎo)體層電性連接。
[0025]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一 LED芯片、第二 LED芯片、第三LED芯片的襯底相互分離設(shè)置或?yàn)橐徽麄€襯底。
[0026]本實(shí)用新型的有益效果是:提供一種簡易無極性LED芯片結(jié)構(gòu),在芯片的使用過程中無需注意芯片的極性,可任意接入通電,提高生產(chǎn)和使用的效率,同時(shí),第三LED芯片的數(shù)量可以根據(jù)需求增加,所以該無極性LED芯片結(jié)構(gòu)兼?zhèn)潆妷嚎勺兲匦浴?br>【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型中記載的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中單顆LED芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中三顆LED芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中三顆LED芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖4為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中將多顆LED芯片串聯(lián)結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖5為本實(shí)用新型第三實(shí)施例中三顆LED芯片共用一個襯底的串聯(lián)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型中的技術(shù)方案,下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0034]此外,在不同的實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰緦?shí)用新型,不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。
[0035]參圖1至圖3所示,在本實(shí)用新型的第一實(shí)施例中,單顆LED芯片從下至上分別為:
[0036]襯底100,襯底可以是藍(lán)寶石、S1、SiC、GaN、ZnO等;
[0037]N型半導(dǎo)體層200,N型半導(dǎo)體層可以是N型GaN等;
[0038]發(fā)光層300,發(fā)光層可以是GaN、InGaN等;
[0039]P型半導(dǎo)體層400,P型半導(dǎo)體層可以是P型GaN等。
[0040]參圖3,第一 LED芯片10從下至上分別為:襯底101 ;N型半導(dǎo)體層102 ;發(fā)光層103 ;P型半導(dǎo)體層104 ;透明導(dǎo)電層(圖未示),第一 LED芯片10上還設(shè)有第一極性電極105和第二極性電極106,第一極性電極105設(shè)置在P型半導(dǎo)體層104上,并與P型半導(dǎo)體層104電性導(dǎo)通,第二極性電極106設(shè)置在N型半導(dǎo)體層102,并與N型半導(dǎo)體層102電性導(dǎo)通。特別地,第一極性電極105與第二極性電極106形狀不同,其中,第一極性電極105為圓形電極,第二極性電極106為方形電極。
[0041]第二 LED芯片20的結(jié)構(gòu)與第一 LED芯片10的結(jié)構(gòu)相同,從下至上分別為:襯底201 ;N型半導(dǎo)體層202 ;發(fā)光
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