低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著物聯(lián)網(wǎng)，智能移動終端小型化、多功能化的需求，、三維集成，特別是基于硅通孔(TSV)的晶圓級封裝技術(shù)扮演越來越重要的角色。
[0003]中國專利201520550505.5提出一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)，包括硅基體和若干個硅通孔，所述硅基體的上面設(shè)置半導(dǎo)體工藝層，所述硅通孔上下貫穿硅基體，并填充金屬形成金屬柱，所述金屬柱與半導(dǎo)體工藝層形成電氣連通，所述金屬柱與硅通孔的內(nèi)壁之間設(shè)置鈍化層I，在金屬柱和鈍化層的的下表面設(shè)置金屬塊，金屬塊將硅通孔完全覆蓋，在金屬塊周圍和硅基體的下表面覆蓋鈍化層II，并設(shè)置金屬塊開口露出金屬塊的下表面，在鈍化層II上選擇性的重布線金屬層，并在再布線金屬層的表面覆蓋保護(hù)層，開設(shè)保護(hù)層開口，該方案能夠很好的解決之前將金屬柱露出采用化學(xué)-機(jī)械拋光造成的漏電問題，同時提高了封裝的可靠性。但是該工藝復(fù)雜，成本高，對于不是金屬柱的結(jié)構(gòu)不再適用。
[0004]中國專利201210570600.2公開了一種基于化學(xué)鍍鎳合金的通孔填充方法及其應(yīng)用，首先在基體上制備通孔，然后在通孔的側(cè)壁表面上直接或間接地通過化學(xué)鍍的方法制備化學(xué)鍍鎳合金層，再以化學(xué)鍍鎳合金層作為種子層進(jìn)行電鍍填充。本實(shí)用新型提出一種通過化學(xué)鍍鎳合金作為通孔的阻擋層和電鍍的種子層的技術(shù)，此技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)阻擋層和種子層的一體化，可以簡化傳統(tǒng)的工藝流程，大大節(jié)省成本;通過化學(xué)鍍的方法，在高深徑比的通孔內(nèi)可以使鍍膜分布更加均勻，有效避免離子濺射方法產(chǎn)生的“盲區(qū)”，這有利于獲得完整的電鍍填充效果。該方法用于微電子三維封裝的硅通孔互連技術(shù)，或者用于玻璃或樹脂基體的通孔連接技術(shù)，但是該技術(shù)中的通孔側(cè)壁也需要化鍍，增加了工藝的難度，可靠性較低。
[0005]后通孔(Vialast)技術(shù)是硅通孔技術(shù)中成本較低的方案。主要的工藝步驟包括芯片背面減薄，硅刻蝕，硅背面和側(cè)壁絕緣層制備，焊墊介質(zhì)層開口，金屬填充，植球等工藝。但半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展一直在追求保證可靠性的前提下，降低成本。后通孔技術(shù)也需要進(jìn)一步降低成本。
[0006]目前，主要通過降低3D縱向疊加的高度，并降低TSV所需的孔深，為TSV制造技術(shù)的應(yīng)用減少障礙，降低成本。從降低成本角度看，后通孔(Via last)技術(shù)的深孔物理氣相沉積，電鍍，背面再布線是主要的成本構(gòu)成。此外，后通孔(Via last)技術(shù)形成的硅通孔結(jié)構(gòu)通常是部分填充方式，孔底和焊墊連接部分較薄，容易造成分層、斷裂等問題，且無介質(zhì)層填充保護(hù)會導(dǎo)致金屬的氧化，腐蝕以及應(yīng)力造成的失效;此外，芯片焊墊較為密集時，硅通孔電性扇出時也存在連接可靠性的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提出一種低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結(jié)構(gòu)，不需要化鍍硅通孔側(cè)壁，并可避免使用深孔物理氣相沉積及深孔電鍍，還可以提高硅通孔外接點(diǎn)扇出到芯片背面時連接的可靠性，具有成本低、工藝簡單和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
[0008]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0009]一種低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結(jié)構(gòu)，包括至少一正面帶有焊墊的芯片，所述芯片背面形成有對應(yīng)所述焊墊的通孔，所述通孔的底部開口暴露所述焊墊;所述芯片背面及所述通孔的側(cè)壁上覆蓋有絕緣層，靠近所述通孔的頂部開口的絕緣層上及所述芯片背面鋪設(shè)有至少一層金屬線路層;所述芯片背面上的金屬線路層上形成有鈍化層，所述鈍化層上開設(shè)有預(yù)植焊球的開口，所述通孔的底部開口暴露的焊墊表面上、所述通孔的頂部開口處的金屬線路層上及所述開口內(nèi)的金屬線路層上采用化鍍的方法形成有一定厚度的金屬層;所述通孔內(nèi)采用非電鍍的方法填充滿了導(dǎo)電材料，所述開口內(nèi)的金屬層上植有焊球。
[0010]進(jìn)一步的，所述焊墊的材質(zhì)是鋁、鋁合金、銅和銅合金中的一種。
[0011 ]進(jìn)一步的，所述焊墊正面部分或全部被無機(jī)介質(zhì)層或有機(jī)介質(zhì)層覆蓋，所述焊墊背面邊緣被無機(jī)介質(zhì)層或有機(jī)介質(zhì)層覆蓋。
[0012]進(jìn)一步的，所述絕緣層的材質(zhì)為二氧化硅、氮化硅、聚合物絕緣材料中的一種。
[0013]進(jìn)一步的，所述通孔為直孔或斜孔或直孔與斜孔的組合。
[0014]進(jìn)一步的，所述金屬層為一層金屬或多層金屬，每層金屬的材質(zhì)為鎳、鎳磷、銀、銅、鈷、金、鈀中的一種。
[0015]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電材料為導(dǎo)電膠或金屬焊料。
[0016]進(jìn)一步的，所述焊球與所述金屬線路層之間以及所述導(dǎo)電材料與所述金屬線路層形成有焊接擴(kuò)散阻擋層和潤濕金屬層。
[0017]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0018]本實(shí)用新型提供一種低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結(jié)構(gòu)，通過在芯片背面形成金屬線路層，將硅通孔的外接點(diǎn)扇出到了芯片背面，且通過在通孔的底部開口暴露的焊墊表面上、通孔的頂部開口處金屬線路層上及所述開口內(nèi)的金屬線路層上采用化鍍的方法形成一定厚度的金屬層，并在通孔內(nèi)采用非電鍍的方法填充滿導(dǎo)電材料，可以增強(qiáng)導(dǎo)電材料與焊墊之間連接、導(dǎo)電材料與金屬線路層之間連接以及金屬線路層與焊球之間連接的可靠性，解決部分填充孔底與焊墊連接部分較薄，金屬線路層與導(dǎo)電材料連接以及金屬線路層與焊球連接不可靠，造成的分層、斷裂等可靠性問題；由于該制備方法只化鍍了硅通孔底部而沒有化鍍硅通孔的側(cè)壁，因此，大大降低了工藝的難度，可靠性較高;且導(dǎo)電材料采用非電鍍的焊料回流填充或?qū)щ娔z印刷/點(diǎn)膠填充形成，避免了使用深孔物理氣相沉積及深孔電鍍，大大降低了后通孔(Via last)技術(shù)的工藝成本，因此，本實(shí)用新型具有成本低、工藝簡單和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型晶圓與載片鍵合后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本實(shí)用新型在晶圓背面對應(yīng)焊墊位置刻蝕硅通孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本實(shí)用新型在晶圓背面整面制備絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為本實(shí)用新型刻蝕去除通孔底部絕緣層及介質(zhì)層，露出焊墊背面，并形成金屬線路層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5為本實(shí)用新型在晶圓背面形成鈍化層，并開設(shè)預(yù)植焊球的開口的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6為本實(shí)用新型在通孔底部焊墊背面上、通孔頂部開口及預(yù)植焊球開口內(nèi)化鍍金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖7為本實(shí)用新型利用焊料回流或?qū)щ娔z填充的方式填充硅通孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖8本實(shí)用新型晶圓與載片解鍵合并晶圓切割后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖9為本實(shí)用新型中硅通孔為斜孔時的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖10為本實(shí)用新型一應(yīng)用實(shí)例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖11為本實(shí)用新型另一應(yīng)用實(shí)例結(jié)構(gòu)不意圖；
[0030]1-芯片，101-焊墊，102-介質(zhì)層，2-載片，3_通孔，4_絕緣層，5_金屬線路層，6-鈍化層，7-開口，8-金屬層，9-導(dǎo)電材料，I O-焊球，11 一鍵合膠，12—空腔，13-蓋板
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本實(shí)用新型能夠更加易懂，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。為方便說明，實(shí)施例附圖的結(jié)構(gòu)中各組成部分未按正常比例縮放，故不代表實(shí)施例中各結(jié)構(gòu)的實(shí)際相對大小。
[0032]如圖8所示，一種低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結(jié)構(gòu)，包括至少一正面帶有焊墊101的芯片I，所述芯片背面形成有對應(yīng)所述焊墊的通孔3，所述通孔的底部開口暴露所述焊墊且尺寸小于所述焊墊的尺寸;所述芯片背面及所述通孔的側(cè)壁上覆蓋有絕緣層4，靠近所述通孔的頂部開口的絕緣層上及所述芯片背面鋪設(shè)有至少一層金屬線路層5;所述芯片背面上的金屬線路層上形成有鈍化層6，所述鈍化層上開設(shè)有預(yù)植焊球的開口 7，所述通孔的底部開口暴露的焊墊表面上、所述通孔的頂部開口處的金屬線路層上及所述開口內(nèi)的金屬線路層上采用化鍍的方法形成有一定厚度的金屬層8;所述通孔內(nèi)采用非電鍍的方法填充滿了導(dǎo)電材料9，所述開口內(nèi)的金屬層上植有焊球1。
[0033]這樣，通過在芯片背面形成金屬線路層，將硅通孔的外接點(diǎn)扇出到芯片背面，并通過在通孔的底部開口暴露的焊墊表面上、通孔的頂部開口處金屬線路層上及所述開口內(nèi)的金屬線路層上采用化鍍的方法形成一定厚度的金屬層，并在通孔內(nèi)采用非電鍍的方法填充滿導(dǎo)電材料，可以增強(qiáng)導(dǎo)電材料與焊墊之間連接、導(dǎo)電