一種薄膜封裝的oled屏體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜封裝的OLED屏體及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]經(jīng)過(guò)近三十年的發(fā)展，薄膜封裝的OLED屏體(英文全稱為Organi c LightEmitting Device，簡(jiǎn)稱為0LED)作為下一代照明和顯示技術(shù)，具有色域?qū)?、響?yīng)快、廣視角、無(wú)污染、高對(duì)比度、平面化等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)在照明和顯示上得到一定程度的應(yīng)用。典型的薄膜封裝的OLED屏體一般包括透明基板、透明陽(yáng)極、反射電極以及設(shè)置在兩個(gè)電極之間的有機(jī)功能層。通常底發(fā)光OLED的陰極為平面金屬，具有良好的反射效果。
[0003]薄膜封裝的OLED屏體(OLED)包括有源電致發(fā)光器件(AMOLED)及無(wú)源電致發(fā)光器件(PMOLED)，其中無(wú)源電致發(fā)光器件(PMOLED)具有陰極帶、有機(jī)層功能層以及陽(yáng)極帶。PMOLED用來(lái)顯示文本和圖標(biāo)時(shí)效率最高，適于制作小屏幕(對(duì)角線2-3英寸)，常應(yīng)用與移動(dòng)電話、掌上電腦以及MP3播放器。隨著智能穿戴產(chǎn)品的普及，市場(chǎng)對(duì)PMOLED顯示屏提出了超薄、可彎曲的需求。通常對(duì)于彎曲屏體而言，需要采用薄膜封裝才能實(shí)現(xiàn)其彎曲。
[0004]然而由于無(wú)源薄膜封裝的OLED屏體PMOLED中存在隔離柱(Separator or rib)結(jié)構(gòu)，其上端高低不平，因此采用薄膜封裝技術(shù)時(shí)，薄膜封裝層容易出現(xiàn)膜層厚度不連續(xù)導(dǎo)致密封效果差的問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有無(wú)源電致發(fā)光器件(PMOLED)采用薄膜封裝是容易出現(xiàn)破損導(dǎo)致封裝不嚴(yán)的問(wèn)題，從而提供一種薄膜封裝的OLED屏體，該薄膜封裝的OLED屏體通過(guò)設(shè)置具有連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的平坦化層能夠使薄膜封裝層與其緊密貼合，從而能夠防止薄膜封裝層的破損問(wèn)題。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0007]一種薄膜封裝的OLED屏體，包括導(dǎo)電基板和薄膜封裝層，所述的導(dǎo)電基板和所述薄膜封裝層形成的密閉空間內(nèi)設(shè)置有機(jī)功能層，所述的有機(jī)功能層的上方設(shè)置有第二電極層，相鄰的第二電極層彼此絕緣，所述薄膜封裝層和所述第二電極層之間設(shè)置有平坦化層，所述平坦化層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。
[0008]相鄰的所述第二電極層之間通過(guò)隔離柱實(shí)現(xiàn)彼此絕緣，所述平坦化層的上端與所述隔離柱的頂端共同形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。
[0009]相鄰的所述第二電極層之間通過(guò)隔離柱實(shí)現(xiàn)彼此絕緣，所述平坦化層填充在隔離柱之間并覆蓋所述隔離柱后，其上端形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。
[0010]所述導(dǎo)電基板包括基板和設(shè)置在所述基板上的第一電極層，所述第一電極層上設(shè)置有若干形成連續(xù)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的像素限定層，所述的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中填充有機(jī)功能層，所述像素限定層上方設(shè)置有隔離柱，所述隔離柱將相鄰有機(jī)功能層上的第二電極層彼此隔離絕緣。[0011 ]所述平坦化層的透光率>70%，折射率為1.4-2.3，所述的平坦化層為有機(jī)材料層或無(wú)機(jī)材料層。
[0012]所述的平坦化層為NPB、ALq3、TBD、PBD、CBP中的一種；或者為例如亞克力、泰富龍、
聚酰亞胺中的一種。
[0013]所述的平坦化層和封裝層是由聚氫硅氮烷類材料、其衍生物或聚氫硅氮烷類材料組合物制備而成的一體結(jié)構(gòu)。
[0014]聚氫硅氮烷類材料組合物包括聚氫硅氮烷類材料、光固化劑和光引發(fā)劑。
[0015]一種薄膜封裝的OLED屏體的制備方法，包括下述步驟:
[0016]S1、在導(dǎo)電基板上制作涂覆有機(jī)光刻膠層，曝光顯影使其形成具有開(kāi)口結(jié)構(gòu)的像素限定層；
[0017]S2、在像素限定層的上方通過(guò)涂膠、曝光、顯影、刻蝕的工藝制備隔離柱，采用蒸鍍掩膜板在具有開(kāi)口結(jié)構(gòu)的像素限定層中沉積有機(jī)功能層，在有機(jī)功能層的上方沉積第二電極層，所述的隔離柱使相鄰的所述第二電極層彼此絕緣；
[0018]S3、在所述第二電極層上方制作有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料的平坦化層，所述平坦化層填充在所述隔離柱之間，其上端與隔離柱上端形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，或，
[0019]所述平坦化層填充在隔離柱之間并覆蓋所述隔離柱后，其上端形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)；
[0020]S4、在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上方蒸鍍形成薄膜封裝層。
[0021]另一種薄膜封裝的OLED屏體的制備方法，包括下述步驟:
[0022]S1、在導(dǎo)電基板上制作涂覆有機(jī)光刻膠層，曝光顯影使其形成具有開(kāi)口結(jié)構(gòu)的像素限定層；
[0023]S2、在像素限定層的上方通過(guò)涂膠、曝光、顯影、刻蝕的工藝制備隔離柱，采用蒸鍍掩膜板在具有開(kāi)口結(jié)構(gòu)的像素限定層中沉積有機(jī)功能層，在有機(jī)功能層的上方沉積第二電極層，所述的隔離柱使相鄰的所述第二電極層彼此絕緣；
[0024]S3、在所述第二電極層上方濕法涂布或絲網(wǎng)印刷聚氫硅氮烷類材料或其衍生物、或聚氫硅氮烷類材料組合物，填充在隔離柱之間并覆蓋所述隔離柱后，固化即可形成一體結(jié)構(gòu)的平坦化層和薄膜封裝層。
[0025]所述步驟S3中的聚氫硅氮烷類材料組合物包括聚氫硅氮烷類材料、光固化劑和光引發(fā)劑。
[0026]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0027]本實(shí)用新型的一種薄膜封裝的OLED屏體，包括導(dǎo)電基板和薄膜封裝層，所述的導(dǎo)電基板和所述薄膜封裝層形成的密閉空間內(nèi)設(shè)置有機(jī)功能層，所述的有機(jī)功能層的上方設(shè)置有第二電極層，相鄰的第二電極層彼此絕緣，所述薄膜封裝層和所述第二電極層之間設(shè)置有平坦化層，所述平坦化層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。由于薄膜封裝層是形成在所述平坦化層的連續(xù)平面的一側(cè)，因此能夠與平坦化層緊密貼合，且成膜連續(xù)性好，封裝效果佳，且薄膜封裝層不容易破損。此外，本實(shí)用新型采用的所述平坦化層采用有機(jī)材料和/或無(wú)機(jī)材料制備而成，優(yōu)選透光率>70%，折射率為1.4-2.3的透明材料，可適用于透明屏體或背面發(fā)光層。
[0028]作為另一種實(shí)施方式，所述的平坦化層和封裝層是由聚氫硅氮烷類材料、其衍生物或聚氫硅氮烷類材料組合物制備而成的一體結(jié)構(gòu)。這種一體結(jié)構(gòu)具有優(yōu)良的密封效果，延長(zhǎng)器件的壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0029]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中，
[0030]圖1為本實(shí)用新型薄膜封裝的OLED屏體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為本實(shí)用新型薄膜封裝的OLED屏體另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖中附圖標(biāo)記表示為:
[0033]101-基板，102-第一電極層，103-有機(jī)功能層，104-第二電極層，105-隔離柱，106-平坦化層，107-薄膜封裝層。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0035]本實(shí)用新型可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開(kāi)將是徹底和完整的，并且將把本實(shí)用新型的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本實(shí)用新型將僅由權(quán)利要求來(lái)限定。在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時(shí)，不存在中間元件。
[0036]如圖1所示，本實(shí)用新型的一種薄膜封裝的OLED屏體，包括導(dǎo)電基板和薄膜封裝層107，所述的導(dǎo)電基板和所述薄膜封裝層107形成的密閉空間內(nèi)設(shè)置有機(jī)功能層103，所述的有機(jī)功能層103的上方設(shè)置有第二電極層104，相鄰的第二電極層104彼此絕緣，所述薄膜封裝層107和所述第二電極層104之間設(shè)置有平坦化層106，所述平坦化層106遠(yuǎn)離所述第二電極層104的一側(cè)形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層107貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。
[0037]具體地，如圖2所示，相鄰的所述第二電極層104之間通過(guò)隔離柱105實(shí)現(xiàn)彼此絕緣，所述平坦化層106的上端與所述隔離柱105的頂端共同形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層107貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。
[0038]作為另一種實(shí)施方式，相鄰的所述第二電極層104之間通過(guò)隔離柱105實(shí)現(xiàn)彼此絕緣，所述平坦化層106填充在隔離柱105之間并覆蓋所述隔離柱105后，其上端形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層107貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。
[0039]所述導(dǎo)電基板包括基板101和設(shè)置在所述基板101上的第一電極層102，所述第一電極層102上設(shè)置有若干形成連續(xù)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的像素限定層108，所述的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中填充有機(jī)功能層103，所述像素限定層108上方設(shè)置有隔離柱105，所述隔離柱105將相鄰有機(jī)功能層103上的第二電極層104彼此隔離絕緣。
[0040]所述平坦化層106的透光率>70%，折射率為1.4-2.3，所述的平坦化層106為有機(jī)材料層或無(wú)機(jī)材料層。
[0041]所述的平坦化層可以是小分子有機(jī)材料:優(yōu)選分子量在500-1000之間，材料禁帶寬度在2.0-3.0^間。例如即8^1^3、了80、？80工8?等等，該類材料可以通過(guò)真空熱蒸鍍的方式進(jìn)行制備。
[0042]所述平坦化層可以為聚合物材料:例如亞克力、泰富龍、聚酰亞胺等。該類材料可以通過(guò)打印、絲印、熱沉積等方式制備。
[0043]所述平坦化層可以為無(wú)機(jī)材料:如ZnSe、Mo03、W03中的一種或多種制備而成。該類材料可以通過(guò)真空熱蒸鍍、濺射等方式制備。
[0044]所述的平坦化層可以由聚氫硅氮烷類材料、其衍生物或聚氫硅氮烷類材料組合物制備而成的一體結(jié)構(gòu)。聚氫硅氮烷分子式為:[SiH2NH]n;所述聚氫硅氮烷類材料組合物包括聚氫硅氮烷類材料、光固化劑和光引發(fā)劑。
[0045]根據(jù)平坦化層106的厚度和使用的材料的不同，具有下述實(shí)施例。
[0046]實(shí)施例1
[0047]如圖1所示，本實(shí)施例的薄膜封裝的OLED屏體，包括基板101和設(shè)置在所述基板101上的第一電極層102(陽(yáng)極)，所述第一電極層102上設(shè)置有若干形成連續(xù)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的像素限定層108，所述的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中填充有機(jī)功能層103，所述像素限定層108上方設(shè)置有隔離柱105，所述隔離柱105將相鄰有機(jī)功能層103上的第二電極層104(陰極)彼此隔離絕緣。所示的有機(jī)功能層103包括堆疊設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，其中空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層可以省略一層或多層。
[0048]所述第二電極層104的上方設(shè)置有平坦化層106，所述的平坦化層106填充在所述的隔離柱105之間并覆蓋所述隔離柱105后，其上端形成連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，所述薄膜封裝層107貼合設(shè)置在所述連續(xù)平面結(jié)構(gòu)上。所述的平坦化層是由分子量在500-1000之間，材料禁帶寬度在2.0-3.0^間，例如即8^1^3、了80、？80工8?等等，該類材料可以通過(guò)真空熱蒸鍍的方式進(jìn)行制備