本實用新型屬于電子電路領(lǐng)域，尤其是涉及一種分離元器件驅(qū)動電路。

背景技術(shù)：

H橋（H-Bridge), ，即全橋（因外形與H相似故得名），常用于逆變器（DC-AC轉(zhuǎn)換，即直流變交流）。通過開關(guān)的開合，將直流電（來自電池等）逆變?yōu)槟硞€頻率或可變頻率的交流電，用于驅(qū)動交流電機（異步電機等）。在傳統(tǒng)的H橋驅(qū)動方式中，大多數(shù)H橋采用驅(qū)動芯片來驅(qū)動，這樣大大的增加成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種分離元器件驅(qū)動電路，解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為：

一種分離元器件驅(qū)動電路，所述的分離元器件驅(qū)動電路為H橋電路，包括上橋電路和下橋電路。

所述的上橋電路為IC16和IC17的2腳分別串聯(lián)限流電阻R10且并聯(lián)加速電容C42、接下拉電阻R9、對GND接反向二極管D17和串聯(lián)限流電阻R22且并聯(lián)加速電容C43、接下拉電阻R21、對GND接反向二極管D16；IC16和IC17的1腳都接GND；

IC16和IC17的6腳和5腳之間分別接來自VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3過來的上拉電阻R7、接限流電阻R8且并聯(lián)加速電容C22和接來自VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13過來的上拉電阻R19、接限流電阻R20且并聯(lián)加速電容C26；

IC16和IC17的4腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源；

IC16和IC17的3腳分別連接 IC1和IC2的2腳、5腳并且對U_phase和V_phase連接電阻R69和電阻R70；

IC1和IC2的6腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源；IC1和IC2的3腳連接U_phase和V_phase；IC1和IC2的1腳和4腳連接U_H和V_H。

所述的下橋電路為IC14和IC15的2腳串聯(lián)限流電阻R30且并聯(lián)加速電容C44、接下拉電阻R29、對GND接反向二極管D15和串聯(lián)限流電阻R42且并聯(lián)加速電容C45、接下拉電阻R40、對GND接反向二極管D14；

IC14和IC15的1腳都接GND；

IC14和IC15的6腳和5腳分別連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R27、接限流電阻R28且并聯(lián)加速電容C28和連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R36、接限流電阻R39且并聯(lián)加速電容C33；

IC14和IC15的4腳都連接VCC1；

IC14和IC15的3腳分別連接IC4和IC6的2腳、5腳并且都對GND連接電阻R71和電阻R72；

IC4和IC6的6腳都連接VCC1；

IC4和IC6的3腳都連接GND；

IC4和IC6的1腳和4腳連接U_L和V_L。

本實用新型所述的分離元器件驅(qū)動電路，整個電路所選的元器件成本低廉，全部采用普通的常規(guī)器件，但實現(xiàn)了專有芯片的功能，經(jīng)濟效益十分可觀。其次，此電路的通用性比較好，可靠性高。本實用新型所述的分離元器件驅(qū)動電路經(jīng)過一系列測試驗證，電路一致性很好，具有很好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1A-B為本實用新型實施例上橋電路示意圖；

圖2A-B為本實用新型實施例上下電路示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。

如圖1A-B，圖2A-B所示，所述的分離元器件驅(qū)動電路為H橋電路，包括上橋電路和下橋電路。

所述的上橋電路為IC16和IC17的2腳分別串聯(lián)限流電阻R10且并聯(lián)加速電容C42、接下拉電阻R9、對GND接反向二極管D17和串聯(lián)限流電阻R22且并聯(lián)加速電容C43、接下拉電阻R21、對GND接反向二極管D16；IC16和IC17的1腳都接GND；

IC16和IC17的6腳和5腳之間分別接來自VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3過來的上拉電阻R7、接限流電阻R8且并聯(lián)加速電容C22和接來自VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13過來的上拉電阻R19、接限流電阻R20且并聯(lián)加速電容C26；

IC16和IC17的4腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源；

IC16和IC17的3腳分別連接 IC1和IC2的2腳、5腳并且對U_phase和V_phase連接電阻R69和電阻R70；

IC1和IC2的6腳分別連接VCC串聯(lián)二極管D2、限流電阻R1、再對U_phase連接穩(wěn)壓二極管Z1、并聯(lián)坦電容C39和瓷介電容C3的電源和連接VCC串聯(lián)二極管D5、限流電阻R15、再對V_phase連接穩(wěn)壓二極管Z2、并聯(lián)坦電容C40和瓷介電容C13的電源；IC1和IC2的3腳連接U_phase和V_phase；IC1和IC2的1腳和4腳連接U_H和V_H。

所述的下橋電路為IC14和IC15的2腳串聯(lián)限流電阻R30且并聯(lián)加速電容C44、接下拉電阻R29、對GND接反向二極管D15和串聯(lián)限流電阻R42且并聯(lián)加速電容C45、接下拉電阻R40、對GND接反向二極管D14；

IC14和IC15的1腳都接GND；

IC14和IC15的6腳和5腳分別連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R27、接限流電阻R28且并聯(lián)加速電容C28和連接VCC1串聯(lián)上拉電阻R36、接限流電阻R39且并聯(lián)加速電容C33；

IC14和IC15的4腳都連接VCC1；

IC14和IC15的3腳分別連接IC4和IC6的2腳、5腳并且都對GND連接電阻R71和電阻R72；

IC4和IC6的6腳都連接VCC1；

IC4和IC6的3腳都連接GND；

IC4和IC6的1腳和4腳連接U_L和V_L。

上橋電路和下橋電路中晶體管多采用由普通二極管、穩(wěn)壓二極管、坦電容、片狀瓷介電容、精密貼片電阻和復(fù)合三極管（NPN和PNP）。

在電路中，電路的信號連接為：

UH和VH：MCU給高低電平信號端口，信號可以沿著路徑到達U_H和V_H，也可以自檢是否器件的損壞。

UL和VL：MCU給高低電平信號端口，信號沿著路徑到達U_L和V_L，也可以自檢是否器件的損壞。

下橋工作原理：

此電路通過MCU給出高低電平信號來達到驅(qū)動的效果。

當MCU給出高電平信號“1”到VL和UL時， IC14和IC15的NPN管的基極導(dǎo)通，IC14和IC15的NPN管的集電極為信號“0”， IC14和IC15的PNP管的基極導(dǎo)通，IC14和IC15的PNP管的集電極為高電平“1”，IC6和IC4的NPN管基極導(dǎo)通，此時VL為高電平“1”來驅(qū)動N-MOS管。IC6和IC4的PNP管為N-MOS管關(guān)斷時，提供柵極寄生電容儲存電荷的泄放回路。

當MCU給出低電平信號“0”到VL和UL時， IC14和IC15的NPN管的基極截止，IC14和IC15的NPN管的集電極為信號“1”， IC14和IC15的PNP管的基極截止，IC14和IC15的PNP管的集電極為低電平“0”，IC6和IC4的NPN管基極截止，此時VL為低電平“0”，N- MOS管關(guān)斷。IC6和IC4的PNP管為N-MOS管關(guān)斷時，提供柵極寄生電容儲存電荷的泄放回路。

上橋工作原理：

此電路通過MCU給出高低電平信號來達到驅(qū)動N-MOS管的效果。

當MCU給出高電平信號“1”到VH和UH時，IC17和 IC16的NPN管的基極導(dǎo)通，IC17和 IC16的NPN管的集電極為低電平為“0”， IC17和 IC16的PNP管的基極導(dǎo)通，此時，IC17和 IC16的NPN管的參考地是V_phase和U_phase，IC17和 IC16的PNP管的集電極為高電平“1”，IC1和IC2的NPN管的基極導(dǎo)通，那么U_H和V_H為高電平“1”來驅(qū)動N-MOS管。 IC1和IC2的PNP管為N-MOS管關(guān)斷時，提供柵極寄生電容儲存電荷的泄放回路。

當MCU給出低電平信號“0”到VH和UH時，IC17和 IC16的NPN管的基極截止，IC17和 IC16的NPN管的集電極為高電平為“1”， IC17和 IC16的PNP管的基極截止，此時，IC17和 IC16的NPN管的參考地是V_phase和U_phase，IC17和 IC16的PNP管的集電極為低電平“0”， IC1和IC2的NPN管的基極截止，N-MOS管此時處于關(guān)斷狀態(tài)。

在此電路中D2、D5二極管,R1、R15電阻，Z1、Z2穩(wěn)壓二極管，C39、C13坦電容,C3、C40瓷介電容起自舉升壓作用。

本實施例所述的驅(qū)動電路穩(wěn)定高。從UH、VH、UL、VL到U_H、V_H、U_L、V_L延遲時間比較短。同時也大大的降低了成本。