本實用新型涉及空氣凈化領域，具體是指一種線性放大式臭氧發(fā)生器用驅動電路。

背景技術：

臭氧由于具有強氧化性、環(huán)保性、便捷性等優(yōu)點，在空氣凈化領域得到了廣泛的應用。臭氧發(fā)生器是用于制取臭氧氣體的裝置，其已被廣泛的應用到人們的生活當中。然而目前的臭氧發(fā)生器的臭氧輸出的濃度不穩(wěn)定，其原因是由于臭氧發(fā)生器所采用的驅動電路的驅動頻率不穩(wěn)定所致。因此提供一種可以穩(wěn)定驅動臭氧發(fā)生器的驅動電路則是目前的當務之急。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于解決目前臭氧發(fā)生器所采用的驅動電路的驅動頻率不穩(wěn)定導致臭氧發(fā)生器所輸出的臭氧濃度不穩(wěn)定的缺陷，提供一種線性放大式臭氧發(fā)生器用驅動電路。

本實用新型的目的通過下述技術方案現(xiàn)實：一種線性放大式臭氧發(fā)生器用驅動電路，主要由振蕩芯片U，場效應管MOS，三極管VT1，三極管VT2，三極管VT3，三極管VT4，變壓器T，臭氧管G，正極與振蕩芯片U的RE管腳相連接、負極與振蕩芯片U的GND管腳相連接的電容C1，正極與電容C1的負極相連接、負極與電容C1的負極相連接的電容C2，正極順次經(jīng)電阻R2和電阻R1后與電容C1的正極相連接、負極與電容C2的負極相連接的電容C3，正極與控制芯片U的CONT管腳相連接、負極與電容C3的負極相連接的電容C4，正極與振蕩芯片U的OUT管腳相連接、負極與三極管VT1的基極相連接的電容C5，串接在電容C5的負極和電容C4的負極之間的電阻R3，串接在三極管VT1的發(fā)射極和電容C4的負極之間的電阻R4，正極與三極管VT1的發(fā)射極相連接、負極經(jīng)電阻R5后與三極管VT2的發(fā)射極相連接的電容C6，P極與三極管VT1的集電極相連接、N極與三極管VT2的基極相連接的二極管D2，N極與三極管VT1的集電極相連接、P極與振蕩芯片U的VCC管腳相連接的二極管D1，N極經(jīng)電阻R6后與三極管VT2的發(fā)射極相連接、P極與三極管VT4的基極相連接的二極管D3，一端與振蕩芯片U的VCC管腳相連接、另一端經(jīng)電阻R8后與電容C4的負極相連接的電阻R7，串接在振蕩芯片U的VCC管腳和場效應管MOS的漏極之間的電阻R9，P極與場效應管MOS的漏極相連接、N極與三極管VT4的基極相連接的二極管D4，串接三極管VT3的基極和電容C4的負極之間的電阻R10，以及串接在三極管VT3的發(fā)射極和電容C4的負極之間的電阻R11組成；所述臭氧管G串接在變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端之間；所述三極管VT4的集電極與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接，其發(fā)射極與電容C4的負極相連接，其基極與三極管VT3的發(fā)射極相連接；所述三極管VT3的基極與場效應管MOS的源極相連接，基集電極與振蕩芯片U的VCC管腳相連接；所述三極管VT2的發(fā)射極與場效應管MOS的柵極相連接、其集電極與二極管D2的P極相連接；所述振蕩芯片U的RE管腳與其VCC管腳相連接，其DIS管腳與電阻R1和電阻R2的連接點相連接，其TRI管腳和THRE管腳均與電容C3的正極相連接，GND管腳接地，VCC管腳與變壓器T的原邊電感線圈的同名端相連接；所述電容C1的正極和負極作為電源輸入端。

所述振蕩芯片U為NE555集成芯片。

本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點及有益效果：

(1)本實用新型可以對驅動頻率進行調(diào)整，使驅動頻率更加穩(wěn)定，從而可以穩(wěn)定的驅動臭氧管，使臭氧管可以穩(wěn)定的輸出的臭氧，提高空氣凈化效果。

(2)本實用新型可以對振蕩信號進行線性放大，從而使本實用新型能夠迅速啟動。

附圖說明

圖1為本實用新型的整體結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例對本實用新型作進一步地詳細說明，但本實用新型的實施方式并不限于此。

實施例

如圖1所示，本實用新型主要由振蕩芯片U，場效應管MOS，三極管VT1，三極管VT2，三極管VT3，三極管VT4，變壓器T，臭氧管G，電容C1，電容C2，電容C3，電容C4，電容C5，電容C6，二極管D1，二極管D2，二極管D3，二極管D4，電阻R1，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，電阻R6，電阻R7，電阻R8，電阻R9，電阻R10以及電阻R11組成。

連接時，電容C1的正極與振蕩芯片U的RE管腳相連接，負極與振蕩芯片U的GND管腳相連接。電容C2的正極與電容C1的負極相連接，負極與電容C1的負極相連接。電容C3的正極順次經(jīng)電阻R2和電阻R1后與電容C1的正極相連接，負極與電容C2的負極相連接。電容C4的正極與控制芯片U的CONT管腳相連接，負極與電容C3的負極相連接。電容C5的正極與振蕩芯片U的OUT管腳相連接，負極與三極管VT1的基極相連接。電阻R3串接在電容C5的負極和電容C4的負極之間。電阻R4串接在三極管VT1的發(fā)射極和電容C4的負極之間。電容C6的正極與三極管VT1的發(fā)射極相連接，負極經(jīng)電阻R5后與三極管VT2的發(fā)射極相連接。二極管D2的P極與三極管VT1的集電極相連接，N極與三極管VT2的基極相連接。二極管D1的N極與三極管VT1的集電極相連接，P極與振蕩芯片U的VCC管腳相連接。二極管D3的N極經(jīng)電阻R6后與三極管VT2的發(fā)射極相連接，P極與三極管VT4的基極相連接。電阻R7的一端與振蕩芯片U的VCC管腳相連接，另一端經(jīng)電阻R8后與電容C4的負極相連接。電阻R9串接在振蕩芯片U的VCC管腳和場效應管MOS的漏極之間。二極管D4的P極與場效應管MOS的漏極相連接，N極與三極管VT4的基極相連接。電阻R10串接三極管VT3的基極和電容C4的負極之間。電阻R11串接在三極管VT3的發(fā)射極和電容C4的負極之間。

所述臭氧管G串接在變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端之間。所述三極管VT4的集電極與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接，其發(fā)射極與電容C4的負極相連接，其基極與三極管VT3的發(fā)射極相連接。所述三極管VT3的基極與場效應管MOS的源極相連接，基集電極與振蕩芯片U的VCC管腳相連接。所述三極管VT2的發(fā)射極與場效應管MOS的柵極相連接、其集電極與二極管D2的P極相連接。所述振蕩芯片U的RE管腳與其VCC管腳相連接，其DIS管腳與電阻R1和電阻R2的連接點相連接，其TRI管腳和THRE管腳均與電容C3的正極相連接，GND管腳接地，VCC管腳與變壓器T的原邊電感線圈的同名端相連接。所述電容C1的正極和負極作為電源輸入端并接9V電壓。

該振蕩芯片U為NE555集成芯片，場效應管MOS的型號為2SK15，三極管VT1和三極管VT2的型號均為3DG6，三極管VT3的型號為2SD3061，三極管VT4的型號為2SC400，電容C1的容值為100μF，電容C2的容值為0.01μF，電阻R1的阻值為4.2KΩ，電阻R2的阻值為16KΩ，電容C3和電容C4的容值均為1μF，電容C5的容值為0.1μF，電容C6的容值為4.7μF，電阻R3～R5的阻值均為10KΩ，二極管D1和二極管D2的型號均為1N4001，電阻R6的阻值為22KΩ，電阻R7和電阻R8的阻值均為15KΩ，電阻R9的阻值為10KΩ，電阻R10和電阻R11的阻值均為12KΩ；變壓器T為升壓變壓器，其次極輸出電壓為1.5KV；臭氧管G則采用H63815型臭氧管。

電源輸入進來后由電容C1和電容C2進行濾波后提供給后級電路。該振蕩芯片U，電阻R1，電阻R2以及電容C3共同組成一個多諧振蕩器；當電源輸入進來后該振蕩芯片U的OUT管腳輸出振蕩頻率為18KHz的振蕩信號。該三極管VT1，三極管VT2，二極管D2，電容C6以及電阻R5組成一個線性放大器。振蕩信號由電容C5耦合到線性放大器，此時三極管VT1對振蕩信號放大后通過其集電極輸出到三極管VT2的基極，再由三極管VT2放大后從其發(fā)射極輸出。該場效應管MOS，三極管VT3，電阻R6，二極管D3，二極管D4，電阻R9以及電阻R10共同組成頻率校正電路；三極管VT2發(fā)射極輸出的振蕩信號加到場效應管MOS的柵極，使場效應管MOS導通，而三極管VT3也導通，振蕩信號從三極管VT3的發(fā)射極輸出經(jīng)二極管D3和電阻R6后返回場效應管MOS的柵極，如此則形成一個反饋回路，從而可以不斷的對振蕩信號的頻率進行調(diào)整，使振蕩信號更加穩(wěn)定，從而可以穩(wěn)定的驅動臭氧管。同時，從三極管VT3的發(fā)射極輸出的振蕩信號還加到三極管VT4的基極，使三極管VT4導通，此時變壓器T開始工作，其次級輸出1.5KV的高壓，從而驅動臭氧管G，使臭氧管G產(chǎn)生臭氧。

如上所述，便可很好的實現(xiàn)本實用新型。