本技術(shù)涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種靜電防護器件的電路、靜電防護器件、芯片和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、靜電放電(electro-static?discharge，esd)和浪涌是導(dǎo)致集成電路失效的主要原因，浪涌和靜電放電均會使得集成電路形成瞬時大電流，導(dǎo)致集成電路損壞。近年來，作為一種常用的靜電防護器件，可控硅整流器(silicon?controlled?rectifier，scr)以其單位面積上esd魯棒性極強的優(yōu)勢受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實施例提供了一種靜電防護器件的電路、靜電防護器件、芯片和電子設(shè)備。通過在可控硅整流器電路中增設(shè)三極管，利用三極管處于放大區(qū)(即三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，三極管的集電結(jié)反向偏置)時，可以加快靜電電流的導(dǎo)通速度，從而，可以在可控硅整流器電路中形成用于泄放靜電電流的泄放通路。在現(xiàn)有的靜電防護器件的基礎(chǔ)上，增加泄放通路的個數(shù)，進一步加快靜電防護器件泄放靜電電流的效率，通過將該靜電防護器件設(shè)置在集成電路中，可以進一步減少靜電電流對集成電路造成損壞的風(fēng)險。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種靜電防護器件的電路，靜電防護器件的電路包括：第一二極管、第二二極管和至少一組三極管，其中一組三極管包括兩個三極管，第一二極管的負極與電路的陽極連接，第一二極管的正極與第二二極管的正極連接，第二二極管的負極與電路的陰極連接，形成第一泄放通路；兩個三極管中的一個三極管的發(fā)射極與電路的陽極連接，兩個三極管中的一個三極管的基極與兩個三極管中的另一個三極管的集電極連接，兩個三極管中的另一個三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第二泄放通路；其中第一泄放通路和第二泄放通路均用于泄放靜電電流和浪涌。

3、在第一方面一些可選的實施例中，至少一組三極管包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管和第五三極管，第一三極管的發(fā)射極與電路的陽極連接，第一三極管的基極與第二三極管的集電極連接，第一三極管的集電極與第二三極管的基極連接，第二三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第一泄放子通路；第一三極管的基極與第三三極管的集電極連接，第一三極管的集電極與第三三極管的基極連接，第三三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第二泄放子通路；第四三極管的發(fā)射極與電路的陽極連接，第四三極管的基極與第五三極管的集電極連接，第四三極管的集電極與第五三極管的基極連接，第五三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第三泄放子通路；其中，第一泄放子通路、第二泄放子通路和第三泄放子通路，構(gòu)成第二泄放通路。

4、在第一方面一些可選的實施例中，至少一組三極管還包括第六三極管，第六三極管的發(fā)射極與電路的陽極連接，第六三極管的基極與第二三極管的集電極連接，第六三極管的集電極與第二三極管的基極連接，第二三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第四泄放子通路；并且，第六三極管的發(fā)射極與電路的陽極連接，第六三極管的基極與第三三極管的集電極連接，第六三極管的集電極與第三三極管的基極連接，第三三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第五泄放子通路；其中，第一泄放子通路、第二泄放子通路、第三泄放子通路、第四泄放子通路和第五泄放子通路，構(gòu)成第二泄放通路。

5、在第一方面一些可選的實施例中，靜電防護器件的電路還包括第一電阻和第二電阻，第一電阻的第一端與電路的陽極連接，第一電阻的第二端與第四三極管的發(fā)射極連接，第二電阻的第一端與第三三極管的發(fā)射極連接，第二電阻的第二端與電路的陰極連接。

6、在第一方面一些可選的實施例中，靜電防護器件的電路還包括第三電阻、第四電阻、第五電阻，第七三極管和第八三極管，第三電阻的第一端與第四三極管的基極連接，第三電阻的第二端與第六三極管的基極連接；第四電阻的第一端與第五三極管的基極連接，第四電阻的第二端與第六三極管的集電極連接；第五電阻的第一端與第五三極管的發(fā)射極連接，第五電阻的第二端與第三三極管的發(fā)射極連接；第七三極管的集電極與電路的陽極連接，第七三極管的基極與第二二極管的負極連接，第七三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第六泄放子通路；第八三極管的集電極與電路的陽極連接，第八三極管的發(fā)射極與第二電阻的第一端連接，第八三極管的基極與第二二極管的正極連接，形成第七泄放子通路。

7、在第一方面一些可選的實施例中，靜電防護器件的電路還包括第六電阻，第六電阻的第一端與電路的陽極連接，第六電阻的第二端與第二三極管的集電極連接，第二三極管的發(fā)射極與電路的陰極連接，形成第八泄放子通路；第六電阻的第一端與電路的陽極連接，第六電阻的第二端與第三三極管的集電極連接，第三三極管的發(fā)射極與第二電阻的第一端連接，第二電阻的第二端與電路的陰極連接，形成第九泄放子通路；第六泄放子通路、第七泄放子通路、第八泄放子通路和第九泄放子通路，構(gòu)成第三泄放通路。

8、第二方面，本技術(shù)提供了一種靜電防護器件，其特征在于，靜電防護器件的電路為上述第一方面的電路，靜電防護器件包括p型襯底、第一n型深阱、第二n型深阱、第一n阱、第一p阱、第二n阱、第二p阱、第三p阱、第一p型體注入層、第二p型體注入層、第一p注入?yún)^(qū)、第二p注入?yún)^(qū)、第三p注入?yún)^(qū)、第四p注入?yún)^(qū)、第一n注入?yún)^(qū)、第二n注入?yún)^(qū)、第三n注入?yún)^(qū)和第四n注入?yún)^(qū)；p型襯底上依次設(shè)有第一n型深阱和第二n型深阱，第一n型深阱和第二n型深阱間隔設(shè)置；第一n型深阱上依次設(shè)有第一p阱、第一n阱和第二p阱的部分區(qū)域；第二n型深阱上依次設(shè)有第二p阱的部分區(qū)域、第二n阱和第三p阱；第二p阱中設(shè)有第一p型體注入層和第二p型體注入層，第一p型體注入層和第二p型體注入層間隔設(shè)置，第一p型體注入層中設(shè)有第二n注入?yún)^(qū)，第二p型體注入層中設(shè)有第三n注入?yún)^(qū)；第一p注入?yún)^(qū)的部分區(qū)域設(shè)置在第一n阱中，第一p注入?yún)^(qū)的另一部分區(qū)域設(shè)置在第一p阱中，第一n阱中設(shè)有第一n注入?yún)^(qū)和第三p注入?yún)^(qū)，第二n阱中設(shè)有第四n注入?yún)^(qū)和第四p注入?yún)^(qū)，第二p注入?yún)^(qū)的部分區(qū)域設(shè)置在第二n阱中，第二p注入?yún)^(qū)的另一部分區(qū)域設(shè)置在第三p阱。

9、在第二方面一些可選的實施例中，靜電防護器件還包括：第三p注入?yún)^(qū)和第四p注入?yún)^(qū)，第三p注入?yún)^(qū)設(shè)置在第一n阱中，第四p注入?yún)^(qū)設(shè)置在第二n阱中。

10、在第二方面一些可選的實施例中，靜電防護器件為中心對稱結(jié)構(gòu)。

11、在第二方面一些可選的實施例中，第一p注入?yún)^(qū)、第三p注入?yún)^(qū)、第一n注入?yún)^(qū)和第二n注入?yún)^(qū)連接構(gòu)成電路的陽極，第三n注入?yún)^(qū)，第四n注入?yún)^(qū)、第四p注入?yún)^(qū)和第二p注入?yún)^(qū)連接構(gòu)成電路的陰極。

12、在第二方面一些可選的實施例中，第一電阻為第一p阱的體電阻，第二電阻為第二n阱的體電阻，第三電阻為第一n型深阱的體電阻，第四電阻為第二p阱的體電阻，第五電阻為第二n型深阱的體電阻，第六電阻為第一n阱的體電阻；第二n注入?yún)^(qū)和第一p型體注入層構(gòu)成第一二極管，第三n注入?yún)^(qū)和第二p型體注入層構(gòu)成第二二極管；第一p注入?yún)^(qū)、第一n阱和第二p阱構(gòu)成第一三極管，第一n阱、第二p阱和第二二極管構(gòu)成第二三極管，第一n阱、第二p阱和第二n阱構(gòu)成第三三極管，第一p阱、第一n型深阱和p型襯底構(gòu)成第四三極管，第一n型深阱、p型襯底和第二n型深阱構(gòu)成第五三極管，第三p注入?yún)^(qū)、第一n阱和第二p阱構(gòu)成第六三極管，第一二極管、第二二極管和第二p阱構(gòu)成第七三極管，第一二極管、第二p阱和第二n阱構(gòu)成第八三極管。

13、第三方面，本技術(shù)提供一種芯片，芯片包括如上述第一方面提及的靜電防護器件的電路。

14、第四方面，本技術(shù)提供一種電子設(shè)備，包括上述第三方面提及的芯片。

15、本技術(shù)的有益效果為：利用多條泄放通路并聯(lián)泄放靜電電流和浪涌，可以提高集成電路靜電防護的響應(yīng)速度，可以保護集成電路不被靜電和浪涌損傷，可以增強靜電防護器件的魯棒性，增加集成電路靜電防護性能的穩(wěn)定性，減少靜電電流對集成電路造成損壞的風(fēng)險。