本申請涉及移動終端技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種移動終端的PCB板以及移動終端。

背景技術(shù)：

為了方便對移動終端的USB(Universal Serial Bus，通用串行總線)信號線進(jìn)行調(diào)試，通常在PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)的最外層預(yù)留露銅點(diǎn)，該露銅點(diǎn)即為測試焊盤。

相關(guān)技術(shù)中，最外層與參考層之間設(shè)置有介質(zhì)層，其中，參考層為銅層，測試焊盤、介質(zhì)層以及參考層三者形成電容，并且，由于測試焊盤與參考層之間的距離較小，在測試焊盤與參考層之間產(chǎn)生的寄生電容的電容值較大，這就相當(dāng)于在USB信號線的線路上增加了對地的電容，使得USB差分信號的上升邊沿和下降邊沿變緩，影響了信號的質(zhì)量，導(dǎo)致測試結(jié)果失敗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請實(shí)施例提供了一種移動終端的PCB板以及移動終端，能夠減小寄生電容的電容值，改善USB信號線的信號質(zhì)量。

本申請的第一方面提供了一種移動終端的PCB板，包括依次設(shè)置的頂層、第一介質(zhì)層以及參考層，所述頂層上設(shè)置有測試焊盤，

所述參考層上與所述測試焊盤正對的區(qū)域?yàn)閰⒖紖^(qū)域，所述參考層上開設(shè)有降容孔，所述降容孔的至少一部分位于所述參考區(qū)域內(nèi)。

優(yōu)選的，所述降容孔的橫截面的面積大于或等于所述測試焊盤的面積，所述橫截面為垂直于所述降容孔的軸線的平面。

優(yōu)選的，所述降容孔貫穿所述第一介質(zhì)層。

優(yōu)選的，所述測試焊盤的外廓形狀與所述降容孔的外廓形狀相同。

優(yōu)選的，所述測試焊盤的外廓形狀與所述降容孔的外廓形狀均為圓形。

優(yōu)選的，所述測試焊盤的直徑為1mm。

優(yōu)選的，還包括若干第二介質(zhì)層，所述參考層的數(shù)量為多個，相鄰兩個所述參考層通過第二介質(zhì)層隔開。

優(yōu)選的，所述降容孔穿透各所述參考層以及各所述第二介質(zhì)層。

優(yōu)選的，所述第一介質(zhì)層以及所述第二介質(zhì)層的介電系數(shù)為3～4。

本申請的第二方面提供了一種移動終端，包括移動終端的PCB板，所述移動終端的PCB板為上述任一項(xiàng)所述的移動終端的PCB板。

本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案可以達(dá)到以下有益效果：

本申請實(shí)施例提供了一種移動終端的PCB板，其中，在參考層上開設(shè)降容孔，該降容孔的至少一部分位于參考層上與測試焊盤正對的區(qū)域內(nèi)，如此設(shè)置后，測試焊盤與參考區(qū)域相互正對的面積減小，從而減小了產(chǎn)生在測試焊盤與參考層之間的寄生電容的電容值，改善了USB信號線的信號質(zhì)量。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本申請。

附圖說明

圖1為本申請實(shí)施例提供的移動終端的PCB板的頂層的示意圖；

圖2為本申請實(shí)施例提供的移動終端的PCB板的參考層的示意圖；

圖3為本申請實(shí)施例提供的移動終端的PCB板進(jìn)行調(diào)試時的連接示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-頂層；

11-測試焊盤；

2-參考層；

21-降容孔；

3-USB座子；

4-TVS管。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本申請的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本申請的原理。

具體實(shí)施方式

下面通過具體的實(shí)施例并結(jié)合附圖對本申請做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

如圖1-2所示，本申請?zhí)峁┝艘环N移動終端的PCB板，該P(yáng)CB板包括依次設(shè)置的頂層1、第一介質(zhì)層以及參考層2。其中，頂層1上設(shè)置有測試焊盤11，測試焊盤11用于對PCB板進(jìn)行調(diào)試，通常情況下，測試焊盤11為設(shè)置在頂層1上的露銅點(diǎn)。

參考層2用于布設(shè)信號線、電源線等，參考層2通常設(shè)置為銅層，第一介質(zhì)層為設(shè)置在頂層1與參考層2之間的絕緣層，第一介質(zhì)層的介電系數(shù)通常為3～4之間。

本申請中，為了減小測試焊盤11的容性效應(yīng)，從而減小USB信號的容性衰減，特此提出，在參考層2上開設(shè)有降容孔21，并使得降容孔21的至少一部分位于參考層2上與測試焊盤11正對的區(qū)域內(nèi)，為了便于描述，可以將參考層2上與測試焊盤11正對的區(qū)域定義為參考區(qū)域。

采用上述的方案后，測試焊盤11與參考區(qū)域相互正對的面積減小，從而減小了產(chǎn)生在測試焊盤11與參考層2之間的寄生電容的電容值，改善了USB信號線的信號質(zhì)量。

進(jìn)一步，為了使寄生電容的電容值進(jìn)一步減小，優(yōu)選降容孔21的橫截面的面積大于或等于測試焊盤11的面積，這樣一來，相當(dāng)于掏空了參考層2上與測試焊盤11正對部分的銅，使得測試焊盤11不會與與其最鄰近的參考層2產(chǎn)生電容，達(dá)到了進(jìn)一步減小寄生電容的電容值的目的，進(jìn)一步改善了信號的質(zhì)量。需要說明的是，降容孔21的橫截面為垂直于降容孔21的軸線的平面。

根據(jù)前述可知，測試焊盤11與參考層2之間設(shè)置有第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層的介電系數(shù)為3～4之間，根據(jù)電容值的計算公式C＝εA/h可知，當(dāng)介電系數(shù)ε越大，電容值C越大，由此，本申請設(shè)置降容孔21貫穿第一介質(zhì)層，也就是說，第一介質(zhì)層上與測試焊盤11正對的區(qū)域被部分掏空或全部掏空，以此使得第一介質(zhì)層由原來介電系數(shù)較大的絕緣材料變成介電系數(shù)相對較小的空氣，由于介電系數(shù)ε減小，則電容值C相應(yīng)減小。

測試焊盤11與降容孔21可以設(shè)置為相同的形狀，也可以設(shè)置為不同的形狀，本實(shí)施例中，優(yōu)選兩者的外廓形狀相同，如此設(shè)置后，可以方便設(shè)置降容孔21，使得降容孔21的面積可以與測試焊盤11的面積相重合，或者使得降容孔21的外廓線與測試焊盤11的外廓線的距離差在任意位置處均相等，這樣可以避免距離參考區(qū)域相對較遠(yuǎn)的銅被除掉，從而造成參考層2的面積相對較小，不利于信號線、電源線等的布置。本實(shí)施例中，為了加工制造的方便，降容孔21和測試焊盤11的外廓形狀均設(shè)置為圓形。

此外，在PCB板調(diào)試的過程中，測試焊盤11用于與測試夾具接觸，形成電連接回路，為了確保測試焊盤11與測試夾具之間可靠的電接觸，根據(jù)一個實(shí)施例，測試焊盤11的尺寸可以設(shè)置為1mm，該尺寸即保證了測試焊盤11與測試夾具可靠的電接觸，同時可以有效利用頂層1上的空間。

本申請?zhí)峁┑囊苿咏K端的PCB板，還包括若干第二介質(zhì)層，參考層2的數(shù)量為多個，且相鄰兩個參考層2通過第二介質(zhì)層隔開。多個參考層2的設(shè)置為PCB板的布線提供了更多的空間，可以使得PCB板具有更多的功能。其中，第二介質(zhì)層的介電系數(shù)為3～4之間，以避免相鄰兩參考層2之間發(fā)生短路。

需要說明的是，根據(jù)第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的介電系數(shù)，其采用的材料例如可以采用環(huán)氧樹脂、填充劑以及玻璃纖維等復(fù)合而成的復(fù)合材料。

當(dāng)包括多個參考層2和若干第二介質(zhì)層時，可以進(jìn)一步優(yōu)選降容孔21穿透各參考層2以及各第二介質(zhì)層，使得測試焊盤11與參考層2之間的間距進(jìn)一步加大，從而使得測試焊盤11的容性衰減進(jìn)一步減少。

圖3示出了移動終端的PCB板的USB信號線的測試時的連接示意圖。USB座子3為外接接口，USB座子3與CPU電連接，兩者之間進(jìn)行信號傳輸，TVS管4(Transient Voltage Suppressors，瞬變電壓抑制二極管)的作用是防靜電，測試焊盤11是測試夾具的接觸點(diǎn)。

本申請的第二方面提供了一種移動終端，該移動終端包括移動終端的PCB板，所述移動終端的PCB板為上述任一項(xiàng)實(shí)施例中的移動終端的PCB板。

以上所述僅為本申請的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。