本發(fā)明涉及金屬配線接合結(jié)構(gòu)及其制法。

背景技術(shù)：

以往，作為柔性基板與印刷基板的接合結(jié)構(gòu)，已知有通過軟釬焊將柔性基板上的接點(diǎn)圖案等的接點(diǎn)部分與印刷基板上的相對應(yīng)的接點(diǎn)部分電連接的接合結(jié)構(gòu)(例如專利文獻(xiàn)1)。將這樣的接合結(jié)構(gòu)的一個例子示于圖15。柔性基板110中，在基板端去除覆蓋膜(coverlayfilm)112，從而以一定間距平行排列的銅箔圖案的端部作為接點(diǎn)圖案114而露出。而后，使接點(diǎn)圖案114與在印刷基板120上形成的接點(diǎn)圖案124重合，使預(yù)先附著于接點(diǎn)圖案114及接點(diǎn)圖案124中至少一方的表面的焊料熔融，從而電連接。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平5-90725號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，在圖15的接合結(jié)構(gòu)中，附著于接點(diǎn)圖案114和接點(diǎn)圖案124中至少一方的表面的焊料的量有時不夠充分。另外，在使焊料熔融時，有時熱無法遍及焊料整體，引起連接不良。

本發(fā)明為了解決上述課題而完成，其主要目的在于將具有第1接點(diǎn)部的第1構(gòu)件與具有第2接點(diǎn)部的第2構(gòu)件牢固地接合。

用于解決課題的手段

本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)為具備如下構(gòu)件的金屬配線接合結(jié)構(gòu)：

第1構(gòu)件，其在樹脂制的第1支撐層與樹脂制的第1被覆層之間具有多個第1金屬配線，形成各第1金屬配線的端部的第1接點(diǎn)部從前述第1被覆層露出；

第2構(gòu)件，其在樹脂制的第2支撐層的表面具有多個第2接點(diǎn)部，前述第2接點(diǎn)部與前述多個第1接點(diǎn)部分別對置地配置；以及

接合構(gòu)件，其將前述第1接點(diǎn)部與前述第2接點(diǎn)部釬焊；

前述第1構(gòu)件中，在前述第1支撐層中與設(shè)置有前述第1金屬配線的面相反一側(cè)的面上，在與前述多個第1接點(diǎn)部分別對置的位置具有金屬制的第1接點(diǎn)部對置連接盤，并且具有將前述第1接點(diǎn)部對置連接盤、前述第1支撐層以及前述第1接點(diǎn)部貫通的第1貫通孔，

前述接合構(gòu)件被覆前述第1接點(diǎn)部對置連接盤的表面，并且填充于前述第1貫通孔的內(nèi)部以及前述第1接點(diǎn)部與前述第2接點(diǎn)部之間的接合用空間。

在該金屬配線接合結(jié)構(gòu)中，接合構(gòu)件被覆第1接點(diǎn)部對置連接盤的表面，并且填充于第1貫通孔的內(nèi)部以及第1接點(diǎn)部與前述第2接點(diǎn)部之間的接合用空間。在制作該金屬配線接合結(jié)構(gòu)時，能夠?qū)⒃诘?接點(diǎn)部對置連接盤中熔融的釬焊材料經(jīng)第1貫通孔向接合用空間供給。因此，與沒有第1接點(diǎn)部對置連接盤以及第1貫通孔的情況相比，更容易向接合用空間供給釬焊材料。其結(jié)果是，能夠避免接合用空間的釬焊材料不足而導(dǎo)致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，如果將第1接點(diǎn)部對置連接盤進(jìn)行加熱，則該熱介由第1支撐層傳導(dǎo)至接合用空間，并且熔融狀態(tài)的釬焊材料的熱也傳導(dǎo)至接合用空間。因此，接合用空間整體被高溫化。其結(jié)果是，供給于接合用空間的熔融狀態(tài)的釬焊材料容易均勻地在接合用空間內(nèi)潤濕鋪展。這樣，可避免接合用空間的釬焊材料不足而導(dǎo)致接合變得不充分這樣的不良情況，并且由于釬焊材料均勻地在接合用空間內(nèi)潤濕鋪展，因而第1接點(diǎn)部與第2接點(diǎn)部牢固地接合。

予以說明的是，“釬焊”是指軟釬焊(熔融溫度小于450℃)、硬釬焊(熔融溫度為450℃以上)。

在本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)中，前述第1貫通孔的橫截面可以是圓形、橢圓形或圓角長方形。如果這樣設(shè)定，則在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料能夠順暢地通過第1貫通孔。特別優(yōu)選為橢圓形或圓角長方形。通常，俯視第1接點(diǎn)部時的形狀大多為長方形，因而如果按照使長徑朝向該長方形的長邊方向的方式設(shè)置截面橢圓形或截面圓角長方形的第1貫通孔，則能夠增大第1貫通孔的開口面積。其結(jié)果是，在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料更順暢地到達(dá)接合用空間。

在本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)中，前述第1貫通孔的內(nèi)壁可以用金屬膜進(jìn)行被覆。如果這樣設(shè)定，則在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料變得容易在第1貫通孔的內(nèi)壁潤濕鋪展。

在本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)中，也可以相對于1個前述第1接點(diǎn)部設(shè)置有2個以上的前述第1貫通孔。如果這樣設(shè)定，則在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料高效地到達(dá)接合用空間。

在本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)中，前述第2接點(diǎn)部除了具有與前述第1接點(diǎn)部對置的基本面，還可以具有與將前述第1接點(diǎn)部假想地向前方延長而得到的假想延長部對置的延長面，前述接合構(gòu)件可以被覆前述第1接點(diǎn)部對置連接盤的表面、前述第1構(gòu)件的前端面以及前述第2接點(diǎn)部的延長面，并且填充于前述第1貫通孔的內(nèi)部以及前述接合用空間。如果這樣設(shè)定，則由于可以從外部檢查接合構(gòu)件中的被覆第1接點(diǎn)部對置連接盤的表面、第1構(gòu)件的前端面的部分，因而能夠容易地確認(rèn)連接狀況。

在本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)中，前述第1構(gòu)件可以是柔性印刷基板(fpc)。如果這樣設(shè)定，則能夠牢固地接合fpc的第1接點(diǎn)部與第2構(gòu)件的第2接點(diǎn)部。

在本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)中，前述第2構(gòu)件是發(fā)揮加熱器作用的片狀加熱器，其配置于靜電卡盤與金屬制的支撐臺之間，前述第1構(gòu)件可以插入于前述支撐臺的貫通孔而與前述第2構(gòu)件接合。如果這樣設(shè)定，則在靜電卡盤與支撐臺之間配置片狀加熱器而得到的靜電卡盤加熱器中，能夠?qū)⒌?構(gòu)件的第1接點(diǎn)部與片狀加熱器的第2接點(diǎn)部牢固地接合。

本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)的制法包含如下工序：

(a)準(zhǔn)備如下構(gòu)件的工序：

第1構(gòu)件，其在樹脂制的第1支撐層與樹脂制的第1被覆層之間具有多個第1金屬配線，形成各第1金屬配線的端部的第1接點(diǎn)部從前述第1被覆層露出，在前述第1支撐層中與設(shè)置有前述第1金屬配線的面相反一側(cè)的面上，在與前述多個第1接點(diǎn)部分別對置的位置具有金屬制的第1接點(diǎn)部對置連接盤，并且具有將前述第1接點(diǎn)部對置連接盤、前述第1支撐層以及前述第1接點(diǎn)部貫通的第1貫通孔；以及

第2構(gòu)件，其在樹脂制的第2支撐層的表面具有多個第2接點(diǎn)部；

(b)在使前述第1接點(diǎn)部與前述第2接點(diǎn)部對置的狀態(tài)下，將釬焊材料貼著前述第1接點(diǎn)部對置連接盤進(jìn)行加熱，使其熔融，使該熔融的釬焊材料從前述第1接點(diǎn)部對置連接盤經(jīng)前述第1貫通孔供給于前述第1接點(diǎn)部與前述第2接點(diǎn)部之間的接合用空間，在預(yù)先用預(yù)備的釬焊材料將前述第1接點(diǎn)部與前述第2接點(diǎn)部進(jìn)行了臨時固定的情況下利用傳熱使該預(yù)備的釬焊材料熔融的工序；

(c)使前述釬焊材料整體進(jìn)行固化的工序。

該金屬配線接合結(jié)構(gòu)的制法中，在使第1接點(diǎn)部與第2接點(diǎn)部對置的狀態(tài)下，將釬焊材料貼著第1接點(diǎn)部對置連接盤進(jìn)行加熱，使其熔融。于是，在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料經(jīng)第1貫通孔供給于接合用空間。因此，與沒有第1接點(diǎn)部對置連接盤以及第1貫通孔的情況相比，更容易向接合用空間供給釬焊材料。其結(jié)果是，能夠避免接合用空間的釬焊材料不足而導(dǎo)致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，第1接點(diǎn)部對置連接盤也被加熱，該熱介由第1支撐層而傳導(dǎo)到接合用空間，并且熔融狀態(tài)的釬焊材料的熱也傳導(dǎo)到接合用空間。因此，接合用空間整體被高溫化。其結(jié)果是，供給于接合用空間的熔融狀態(tài)的釬焊材料容易均勻地在接合用空間內(nèi)潤濕鋪展。予以說明的是，在預(yù)先用預(yù)備的釬焊材料將第1接點(diǎn)部與第2接點(diǎn)部進(jìn)行了臨時固定的情況下，該預(yù)備的釬焊材料通過傳熱而熔融，與供給于接合用空間的熔融狀態(tài)的釬焊材料成為一體。其后，使熔融狀態(tài)的釬焊材料固化。作為固化后的釬焊材料的接合構(gòu)件成為在被覆第1接點(diǎn)部對置連接盤的表面的同時填充于第1貫通孔的內(nèi)部以及接合用空間的狀態(tài)。這樣，可避免接合用空間的釬焊材料不足而導(dǎo)致接合變得不充分這樣的不良情況，并且由于釬焊材料均勻地在接合用空間內(nèi)潤濕鋪展，因而第1接點(diǎn)部與第2接點(diǎn)部可牢固地接合。

本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)的制法中，前述第1貫通孔的橫截面可以制成圓形、橢圓形或圓角長方形。如果這樣設(shè)定，則在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料能夠順暢地通過第1貫通孔。特別優(yōu)選為橢圓形或圓角長方形。

本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)的制法中，前述第1貫通孔的內(nèi)壁可以用金屬膜進(jìn)行被覆。如果這樣設(shè)定，則在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料變得容易在第1貫通孔的內(nèi)壁潤濕鋪展。

本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)的制法中，相對于1個前述第1接點(diǎn)部也可以設(shè)置2個以上的前述第1貫通孔。如果這樣設(shè)定，則在第1接點(diǎn)部對置連接盤熔融的釬焊材料高效地到達(dá)接合用空間。

本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)的制法中，前述第2接點(diǎn)部除了具有與前述第1接點(diǎn)部對置的基本面，還可以具有與將前述第1接點(diǎn)部假想地向前方延長而得到的假想延長部對置的延長面，在前述工序(b)中，也可以進(jìn)一步使前述熔融的釬焊材料從前述第1接點(diǎn)部對置連接盤經(jīng)前述第1構(gòu)件的前端面以及前述第2接點(diǎn)部的前述延長面而到達(dá)前述第1接點(diǎn)部與前述第2接點(diǎn)部之間的接合用空間。如果這樣設(shè)定，則由于可以從外部檢查接合構(gòu)件中的被覆第1接點(diǎn)部對置連接盤的表面、第1構(gòu)件的前端面的部分，因而能夠容易地確認(rèn)連接狀況。另外，將第1構(gòu)件的第1接點(diǎn)部按照與第2構(gòu)件的第2接點(diǎn)部對置的方式進(jìn)行對位時，由于從第1構(gòu)件的上方既看得見第2接點(diǎn)部的延長面也看得見第1接點(diǎn)部對置連接盤，因而如果利用它們則能夠容易地進(jìn)行對位。

本發(fā)明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)的制法中，前述第1構(gòu)件可以是柔性印刷基板(fpc)。另外，前述第2構(gòu)件是發(fā)揮加熱器作用的片狀加熱器，其配置于靜電卡盤與金屬制的支撐臺之間，前述第1構(gòu)件可以插入于前述支撐臺的貫通孔而與前述第2構(gòu)件接合。

附圖說明

圖1是表示等離子體處理裝置10的概略構(gòu)成的截面圖。

圖2是表示片狀加熱器30的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖3是從片狀加熱器30的下表面30b觀察金屬配線接合結(jié)構(gòu)100時的平面圖。

圖4是圖3的a-a截面圖。

圖5是表示金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的制造工序的說明圖。

圖6是表示連接用fpc75的制造工序的說明圖。

圖7是表示金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的其他制造工序的說明圖。

圖8是金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的變形例的截面圖。

圖9是將連接用fpc75與片狀加熱器30進(jìn)行對位的工序的說明圖。

圖10是金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的變形例的截面圖。

圖11是金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的變形例的平面圖。

圖12是圖11的b-b截面圖。

圖13是金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的變形例的平面圖。

圖14是連接用fpc75的變形例的截面圖。

圖15是以往的金屬配線接合結(jié)構(gòu)的立體圖。

具體實(shí)施方式

一邊參照附圖一邊在以下說明本發(fā)明的適合的實(shí)施方式。圖1是表示等離子體處理裝置10的概略構(gòu)成的截面圖，圖2是表示片狀加熱器30的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體圖。

如圖1所示，作為半導(dǎo)體制造裝置的等離子體處理裝置10具備真空腔室12、噴頭14以及靜電卡盤加熱器20。真空腔室12是利用鋁合金等而形成為箱狀的容器。噴頭14設(shè)置于真空腔室12的頂棚面。噴頭14將由氣體導(dǎo)入管16供給的工藝氣體從多個氣體噴射孔18向真空腔室12的內(nèi)部釋放。另外，噴頭14發(fā)揮作為等離子體生成用的陰極板的作用。靜電卡盤加熱器20是將晶片w吸附保持于晶片載置面22a的裝置。以下，對靜電卡盤加熱器20進(jìn)行詳細(xì)說明。

靜電卡盤加熱器20具備靜電卡盤22、片狀加熱器30以及支撐臺60。靜電卡盤22的下表面與片狀加熱器30的上表面30a介由第1接合片材81而相互粘接。支撐臺60的上表面與片狀加熱器30的下表面30b介由第2接合片材82而相互粘接。作為各接合片材81、82，可舉出在聚丙烯制的芯材的兩面具備丙烯酸系樹脂層的片材、在聚酰亞胺制的芯材的兩面具備有機(jī)硅樹脂層的片材、環(huán)氧樹脂單獨(dú)的片材等。

靜電卡盤22是圓板狀的構(gòu)件，其是在陶瓷燒結(jié)體26中埋設(shè)有靜電電極24而成的構(gòu)件。作為陶瓷燒結(jié)體26，可舉出例如氮化鋁燒結(jié)體、氧化鋁燒結(jié)體等。靜電卡盤22的上表面成為載置晶片w的晶片載置面22a。陶瓷燒結(jié)體26的厚度沒有特別限定，但優(yōu)選為0.5～4mm。

片狀加熱器30是圓板狀的構(gòu)件，其是在耐熱性的樹脂片材32中內(nèi)置有修正加熱電極34、跳線36、接地電極40以及基準(zhǔn)加熱電極44而成的構(gòu)件。作為樹脂片材32的材質(zhì)，可舉出例如聚酰亞胺樹脂、液晶聚合物等。片狀加熱器30具有與片狀加熱器30的上表面30a平行且高度不同的第1電極區(qū)域a1～第4電極區(qū)域a4(參照圖2)。

第1電極區(qū)域a1分為多個區(qū)z1(例如100區(qū)或者300區(qū))。在各區(qū)z1中，修正加熱電極34按照一筆畫的要領(lǐng)以遍及該區(qū)z1整體的方式從一端34a配線至另一端34b。圖2中，在第1電極區(qū)域a1中劃出由虛線表示的假想線，將被該假想線包圍的部分作為區(qū)z1。該圖2中，為了方便，僅在1個區(qū)z1中示出了修正加熱電極34，但在其他的區(qū)z1也設(shè)置有同樣的修正加熱電極34。另外，用點(diǎn)劃線示出片狀加熱器30的外形。

在第2電極區(qū)域a2中設(shè)置有分別向多個修正加熱電極34供電的跳線36。因此，跳線36的數(shù)量與修正加熱電極34的數(shù)量一致。第2電極區(qū)域a2分為數(shù)量比區(qū)z1的數(shù)量少(例如6區(qū)或者8區(qū))的區(qū)z2。圖2中，在第2電極區(qū)域a2中劃出由虛線表示的假想線，將被該假想線包圍的部分作為區(qū)z2。該圖2中，為了方便，僅在1個區(qū)z2中示出了跳線36(一部分)，但在其他的區(qū)z2也設(shè)置有同樣的跳線36。在本實(shí)施方式中，對在將一個區(qū)z2投影于第1電極區(qū)域a1時進(jìn)入投影區(qū)域中的多個修正加熱電極34設(shè)為屬于同組的電極而進(jìn)行說明。屬于一個組的修正加熱電極34的一端34a，介由在上下方向上將第1電極區(qū)域a1與第2電極區(qū)域a2之間貫穿的導(dǎo)通孔35(參照圖1)而連接于與該組對應(yīng)的區(qū)z2內(nèi)的跳線36的一端36a。該跳線36的另一端36b被拉出至設(shè)置在該區(qū)z2的外周區(qū)域38。其結(jié)果是，與屬于同組的修正加熱電極34連接的跳線36的另一端36b匯總配置在一個外周區(qū)域38。在將該外周區(qū)域38投影于片狀加熱器30的下表面30b而得到的區(qū)域x內(nèi)，并列配置有介由導(dǎo)通孔41(參照圖1)與各跳線36的另一端36b連接的跳線盤(jumperland)46a。換言之，多個跳線盤46a以2個以上為一組并按照露出于外部的方式配置在相同區(qū)域x。予以說明的是，修正加熱電極34的電阻率優(yōu)選設(shè)為跳線36的電阻率以上。

在第3電極區(qū)域a3中設(shè)置有多個修正加熱電極34共用的接地電極40。各修正加熱電極34介由從第1電極區(qū)域a1經(jīng)第2電極區(qū)域a2到達(dá)第3電極區(qū)域a3的導(dǎo)通孔42(參照圖1)而與接地電極40連接。另外，接地電極40具有從外周向外側(cè)突出的突起40a。該突起40a設(shè)置于與各外周區(qū)域38的缺口39正對的位置。該突起40a介由導(dǎo)通孔43(參照圖1)而與設(shè)置在片狀加熱器30的下表面30b的接地連接盤46b連接。接地連接盤46b與跳線盤46a一同設(shè)置在片狀加熱器30的下表面30b的區(qū)域x內(nèi)。

第4電極區(qū)域a4分為數(shù)量比設(shè)置于第1電極區(qū)域a1的修正加熱電極34的總數(shù)少(例如4區(qū)或者6區(qū))的區(qū)z4。在各區(qū)z4中，輸出比修正加熱電極34高的基準(zhǔn)加熱電極44按照一筆畫的要領(lǐng)以遍及該區(qū)z4整體的方式從一端44a配線至另一端44b。圖2中，在第4電極區(qū)域a4劃出由虛線表示的假想線，將被該假想線包圍的部分作為區(qū)z4。該圖2中，為了方便，僅在1個區(qū)z4中示出了基準(zhǔn)加熱電極44，但在其他的區(qū)z4也設(shè)置有同樣的基準(zhǔn)加熱電極44。各基準(zhǔn)加熱電極44的兩端44a、44b介由從第4電極區(qū)域a4到達(dá)片狀加熱器30的下表面30b的未圖示的導(dǎo)通孔而與設(shè)置在片狀加熱器30的下表面30b的一對基準(zhǔn)連接盤50a、50b連接。

如圖1所示，支撐臺60是由al或al合金等金屬制作的圓板狀的構(gòu)件，在內(nèi)部設(shè)置有制冷劑流路62。在制冷劑流路62的入口62a和出口62b連接有用于調(diào)整制冷劑溫度的冷卻器70。如果制冷劑從冷卻器70供給于制冷劑流路62的入口62a，則會通過按照遍及支撐臺60整體的方式設(shè)置的制冷劑流路62，并從制冷劑流路62的出口62b返回至冷卻器70，在冷卻器70內(nèi)冷卻為設(shè)定溫度后，再次供給于制冷劑流路62的入口62a。支撐臺60具有在上下方向上將支撐臺60貫通的多種貫通孔64～67。貫通孔64是用于使靜電電極24的供電端子25露出于外部的孔。貫通孔65是用于使設(shè)置在片狀加熱器30的下表面30b的區(qū)域x中的連接盤組(跳線盤46a和接地連接盤46b，參照圖2)露出于外部的孔。貫通孔66、67是分別使基準(zhǔn)加熱電極44的基準(zhǔn)連接盤50a、50b露出于外部的孔。在貫通孔66、67中插入有電絕緣筒66a、67a。予以說明的是，除上述以外，雖沒有圖示但支撐臺60還具有用于使頂起晶片w的頂針上下移動的貫通孔等。

等離子體處理裝置10進(jìn)一步具備靜電卡盤電源72、修正加熱器電源74、基準(zhǔn)加熱器電源76以及rf電源79。靜電卡盤電源72是直流電源，其介由插入于貫通孔64的供電棒73而與靜電電極24的供電端子25連接。修正加熱器電源74是直流電源，其介由插入于貫通孔65且作為金屬配線集合體的連接用柔性印刷基板(連接用fpc)75而與修正加熱電極34的跳線盤46a以及接地連接盤46b連接。具體而言，圖2所示的屬于同組的跳線盤46a以及接地連接盤46b，由于并列設(shè)置在相同區(qū)域x，因而介由一個連接用fpc75而連接。連接用fpc75是將用樹脂皮膜覆蓋的金屬配線75a、75b束成帶狀而成的電纜，與區(qū)域x對置的端部的各金屬配線75a、76b露出。金屬配線75a是用于將跳線盤46a與修正加熱器電源74的正極連接的導(dǎo)線，金屬配線75b是用于將接地連接盤46b與修正加熱器電源74的負(fù)極連接的導(dǎo)線?；鶞?zhǔn)加熱器電源76是交流電源，其介由插入于貫通孔66的電纜端子77而與基準(zhǔn)加熱電極44的一個基準(zhǔn)連接盤50a連接，并且介由插入于貫通孔67的電纜端子78而與基準(zhǔn)加熱電極44的另一個基準(zhǔn)連接盤50b連接。rf電源79是等離子體生成用的電源，按照將高頻電力供給于作為陽極板而發(fā)揮功能的支撐臺60的方式進(jìn)行連接。予以說明的是，作為陰極板而發(fā)揮功能的噴頭14介由可變電阻而接地。

此處，使用圖3以及圖4對片狀加熱器30與連接用fpc75的金屬配線接合結(jié)構(gòu)100進(jìn)行說明。圖3為從片狀加熱器30的下表面30b觀察金屬配線接合結(jié)構(gòu)100時的平面圖，圖4為圖3的a-a截面圖。予以說明的是，為了方便，跳線盤46a與接地連接盤46b不加以區(qū)分而僅稱為加熱器連接盤46；金屬配線75a、75b也不加以區(qū)分而稱為金屬配線750。片狀加熱器30具有露出于下表面30b的區(qū)域x(參照圖2)的多個加熱器連接盤46(46a、46b)。連接用fpc75是用樹脂被覆多個金屬配線750而得到的扁平的配線材料。具體而言，連接用fpc75在樹脂制的支撐層751與樹脂制的被覆層752之間具有多個金屬配線750。形成各金屬配線750的端部的接點(diǎn)部753從被覆層752露出。在支撐層751中與設(shè)置有金屬配線750的面相反一側(cè)的面上，在與多個接點(diǎn)部753分別對置的位置設(shè)置有金屬制的接點(diǎn)部對置連接盤754。連接用fpc75具有貫通孔755。予以說明的是，在該實(shí)例中設(shè)置有2個貫通孔755。貫通孔755貫通接點(diǎn)部對置連接盤754、支撐層751以及接點(diǎn)部753。另外，貫通孔755的橫截面(在水平面切斷的截面)成為圓形或大致圓形。焊料接合構(gòu)件756被覆接點(diǎn)部對置連接盤754的表面，并且填充于貫通孔755的內(nèi)部以及接點(diǎn)部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c。

使用圖5對這樣的金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的制法進(jìn)行說明。圖5是表示金屬配線接合結(jié)構(gòu)100的制造工序的說明圖。

首先，如圖5(a)所示，在片狀加熱器30的加熱器連接盤46上涂布預(yù)備焊料770。作為預(yù)備焊料770，可使用例如乳酪焊劑。

接著，如圖5(b)所示，準(zhǔn)備連接用fpc75，按照各接點(diǎn)部753在與各加熱器連接盤46對置的狀態(tài)下與預(yù)備焊料770接觸的方式進(jìn)行配置。連接用fpc75按照以下步驟進(jìn)行準(zhǔn)備。圖6是表示連接用fpc75的制造工序的說明圖。首先，準(zhǔn)備在樹脂制的支撐層751的兩面貼附有銅箔761、762的雙面帶銅箔支撐層(參照圖6(a))。予以說明的是，也可以使用其他的金屬箔來替代銅箔761、762。接著，在銅箔761上圖案形成金屬配線750，并且在銅箔762上圖案形成接點(diǎn)部對置連接盤754(參照圖6(b))。作為圖案形成的方法，可以使用濕蝕刻法。接著，用樹脂制的被覆層752覆蓋金屬配線750。作為用被覆層752覆蓋的方法，可使用層壓法。但是，作為金屬配線750的前端部分的接點(diǎn)部753沒有用被覆層752覆蓋而露出于外部(參照圖6(c))。接著，利用鉆孔機(jī)、激光器等形成在上下方向上將接點(diǎn)部對置連接盤754、支撐層751以及接點(diǎn)部753貫通的貫通孔755(參照圖6(d))。由此，獲得連接用fpc75。貫通孔755的直徑?jīng)]有特別限制，但優(yōu)選為0.1mm以上。予以說明的是，通過將接點(diǎn)部對置連接盤754與接點(diǎn)部753制成相同形狀從而能夠容易地設(shè)置貫通孔755，但如果能夠設(shè)置貫通孔755，則不一定需要制成相同形狀。

接著，如圖5(c)所示，用點(diǎn)式加熱器780的熱風(fēng)向預(yù)備焊料770賦予熱而使預(yù)備焊料770熔融，然后通過冷卻固化，從而將片狀加熱器30與連接用fpc75進(jìn)行臨時固定。預(yù)備焊料770大多無法確?？梢詿o間隙地填埋接點(diǎn)部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c的量，或者來自點(diǎn)式加熱器780的熱不能遍及整體而導(dǎo)致熔融不充分。因此，僅通過預(yù)備焊料770，無法將接點(diǎn)部753與加熱器連接盤46牢固地進(jìn)行軟釬焊。

接著，如圖5(d)所示，一邊將焊條784按壓于接點(diǎn)部對置連接盤754的上表面，一邊用釬焊烙鐵782使焊條784熔融。于是，熔融焊料從接點(diǎn)部對置連接盤754進(jìn)入貫通孔755，經(jīng)貫通孔755而供給于接合用空間c。因此，與沒有接點(diǎn)部對置連接盤754以及貫通孔755的情況相比，更容易向接合用空間c供給熔融焊料。其結(jié)果是，能夠避免接合用空間c的焊料不足而導(dǎo)致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，接點(diǎn)部對置連接盤754也被加熱，該熱介由支撐層751而傳導(dǎo)到接合用空間c，并且熔融焊料的熱也傳導(dǎo)到接合用空間c。因此，接合用空間c的整體被高溫化。其結(jié)果是，供給于接合用空間c的熔融焊料容易均勻地在接合用空間c內(nèi)潤濕鋪展。另外，預(yù)備焊料770通過傳熱而熔融，與供給于接合用空間c的熔融焊料成為一體。其后，使熔融焊料固化而制成焊料接合構(gòu)件756。作為固化后的釬焊材料的接合構(gòu)件，成為在被覆第1接點(diǎn)部對置連接盤的表面的同時填充于第1貫通孔的內(nèi)部以及接合用空間的狀態(tài)。焊料接合構(gòu)件756成為在被覆接點(diǎn)部對置連接盤754的表面的同時填充于貫通孔755的內(nèi)部以及接合用空間c的狀態(tài)。

接著，對這樣構(gòu)成的等離子體處理裝置10的使用例進(jìn)行說明。首先，在靜電卡盤22的晶片載置面22a載置晶片w。而后，通過真空泵對真空腔室12內(nèi)進(jìn)行減壓，調(diào)整為預(yù)定的真空度，對靜電卡盤22的靜電電極24施加直流電壓而產(chǎn)生庫侖力或約翰生·拉別克力，將晶片w吸附固定于靜電卡盤22的晶片載置面22a。接著，將真空腔室12內(nèi)設(shè)為預(yù)定壓力(例如數(shù)十～數(shù)百pa)的工藝氣體氣氛。在該狀態(tài)下，對噴頭14與支撐臺60之間施加高頻電壓，產(chǎn)生等離子體。利用所產(chǎn)生的等離子體對晶片w的表面進(jìn)行蝕刻。在此期間，未圖示的控制器進(jìn)行控制以使得晶片w的溫度成為預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)溫度。具體而言，對于控制器，輸入來自用于測定晶片w溫度的測溫傳感器(沒有圖示)的檢測信號，按照使晶片w的測定溫度與目標(biāo)溫度一致的方式，控制向各基準(zhǔn)加熱電極44供給的電流、向各修正加熱電極34供給的電流、在制冷劑流路62中循環(huán)的制冷劑的溫度。特別是，為了不產(chǎn)生晶片w的溫度分布，控制器精細(xì)地控制向各修正加熱電極34供給的電流。予以說明的是，測溫傳感器可以埋設(shè)于樹脂片材32，也可以粘接于樹脂片材32的表面。

此處，明確本實(shí)施方式的構(gòu)成要素與本發(fā)明的構(gòu)成要素的對應(yīng)關(guān)系。本實(shí)施方式的連接用fpc75相當(dāng)于本發(fā)明的第1構(gòu)件，片狀加熱器30相當(dāng)于第2構(gòu)件，焊料接合構(gòu)件756相當(dāng)于接合構(gòu)件。另外，連接用fpc75的支撐層751相當(dāng)于第1支撐層，被覆層752相當(dāng)于第1被覆層，金屬配線750相當(dāng)于第1金屬配線，接點(diǎn)部753相當(dāng)于第1接點(diǎn)部，接點(diǎn)部對置連接盤754相當(dāng)于第1接點(diǎn)部對置連接盤，貫通孔755相當(dāng)于第1貫通孔。另外，片狀加熱器30的樹脂片材32相當(dāng)于第2支撐層，加熱器連接盤46相當(dāng)于第2接點(diǎn)部。

根據(jù)以上說明的金屬配線接合結(jié)構(gòu)100，可避免接合用空間c的焊料不足而導(dǎo)致接合變得不充分這樣的不良情況，并且由于焊料均勻地在接合用空間c內(nèi)潤濕鋪展，因而連接用fpc75的接點(diǎn)部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46牢固地接合。另外，通過相對于1個接點(diǎn)部753設(shè)置多個(此處是2個)貫通孔755，從而在接點(diǎn)部對置連接盤754熔融的焊料高效地到達(dá)接合用空間c。進(jìn)一步，由于貫通孔755的截面是圓形，因而在接點(diǎn)部對置連接盤754熔融的焊料能夠順暢地通過于貫通孔755。

予以說明的是，自不用言，本發(fā)明不受上述實(shí)施方式的任何限定，只要屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍就可以以各種方式實(shí)施。

上述實(shí)施方式中，用預(yù)備焊料770將連接用fpc75的接點(diǎn)部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46進(jìn)行了臨時固定，但不需要特別利用預(yù)備焊料770進(jìn)行臨時固定。將一個例子示于圖7。首先，如圖7(a)所示，預(yù)先使接合用空間c成為空隙。此時，優(yōu)選預(yù)先利用膠帶、夾具(沒有圖示)等，按照使連接用fpc75的接點(diǎn)部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46在相互對置的位置上不發(fā)生偏離的方式進(jìn)行固定。接著，如圖7(b)所示，可以一邊將焊條784按壓于接點(diǎn)部對置連接盤754的上表面，一邊用釬焊烙鐵782使焊條784熔融，從接點(diǎn)部對置連接盤754經(jīng)貫通孔755向接合用空間c供給熔融的焊料。在該情況下，在接點(diǎn)部對置連接盤754熔融的焊料也經(jīng)貫通孔755而供給于接合用空間c。因此，與沒有接點(diǎn)部對置連接盤754以及貫通孔755的情況相比，更容易向接合用空間c供給焊料。其結(jié)果是，能夠避免接合用空間c的焊料不足而導(dǎo)致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，接點(diǎn)部對置連接盤754也被加熱，該熱介由支撐層751而傳導(dǎo)到接合用空間c，并且熔融焊料的熱也傳導(dǎo)到接合用空間c。因此，接合用空間c的整體被高溫化。其結(jié)果是，供給于接合用空間c的焊料容易均勻地在接合用空間c內(nèi)潤濕鋪展。因此，與上述實(shí)施方式同樣地，接點(diǎn)部753與加熱器連接盤46牢固地接合。這樣操作，即使不用預(yù)備焊料770進(jìn)行臨時固定，接點(diǎn)部753與加熱器連接盤46也可牢固地接合。

上述實(shí)施方式中，如圖8所示，也可以使加熱器連接盤46除了具有與接點(diǎn)部753對置的基本面461，還具有與將接點(diǎn)部753假想地向前方延長而得到的假想延長部753b對置的延長面462。而且，焊料接合構(gòu)件756可以被覆接點(diǎn)部對置連接盤754的表面、連接用fpc75的前端面以及片狀加熱器30的加熱器連接盤46的延長面462，并且填充于貫通孔755的內(nèi)部以及接點(diǎn)部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c。如果這樣設(shè)定，則由于可以從外部檢查(例如目視)焊料接合構(gòu)件756中的被覆接點(diǎn)部對置連接盤754的表面、連接用fpc75的前端面的部分，因而能夠容易地確認(rèn)連接狀況。另外，將連接用fpc75的接點(diǎn)部753按照與加熱器連接盤46對置的方式進(jìn)行對位時，由于從連接用fpc75的上方既看得見加熱器連接盤46的延長面462也看得見連接用fpc75的接點(diǎn)部對置連接盤754，因而如果利用它們則能夠容易地進(jìn)行對位。圖9示出如下情形：在使片狀加熱器30的下表面30b朝上的狀態(tài)下，相對于1個加熱器連接盤46從其上方將連接用fpc75的1個接點(diǎn)部753進(jìn)行對位。予以說明的是，點(diǎn)劃線是將加熱器連接盤46分為基本面461和延長面462的假想線。在接合時，使片狀加熱器30與連接用fpc75從分離的狀態(tài)(參照圖9(a))相互靠近，以使得連接用fpc75的接點(diǎn)部對置連接盤754與露出于片狀加熱器30的下表面30b的加熱器連接盤46重疊(參照圖9(b))。接著，按照加熱器連接盤46的基本面461被接點(diǎn)部對置連接盤754覆蓋并隱藏的方式進(jìn)行配置(參照圖9(c))。此時，按照接點(diǎn)部對置連接盤754的長方形與包圍加熱器連接盤46的延長面462的長方形緊挨著而形成一個長方形的方式進(jìn)行配置。通過這樣設(shè)定，使得形成于接點(diǎn)部對置連接盤754的背側(cè)的接點(diǎn)部753與、大小與該接點(diǎn)部753相同的基本面461彼此相對。予以說明的是，如圖10所示，在加熱器連接盤46具有延長面462的情況下，也可以通過焊料接合構(gòu)件756從接點(diǎn)部對置連接盤754經(jīng)貫通孔755供給于接合用空間c并滲出于延長面462，從而確認(rèn)焊料的連接狀況。

上述實(shí)施方式中，如圖11所示，也可以將貫通孔765的截面形狀(從上方觀察的形狀)設(shè)為橢圓形，利用焊料接合構(gòu)件766將連接用fpc75與片狀加熱器30進(jìn)行接合。通常，從上方觀察連接用fpc75的接點(diǎn)部753的形狀大多為長方形(長邊是金屬配線750的延伸方向)。因此，如果按照使長徑朝向該長方形的長邊方向的方式設(shè)置截面橢圓形的貫通孔765，則能夠增大貫通孔765的開口面積。其結(jié)果是，如圖12所示，在接點(diǎn)部對置連接盤754熔融的焊料高效地到達(dá)接點(diǎn)部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c。因此，連接用fpc75的接點(diǎn)部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46通過焊料接合構(gòu)件766而更加牢固地接合。另外，也可以一邊確保開了貫通孔765后的接點(diǎn)部對置連接盤754的剩余面積一邊確保貫通孔765的截面面積?；蛘?，如圖13所示，也可以將貫通孔765的截面形狀(從上方觀察的形狀)設(shè)為圓角長方形。如果這樣設(shè)定，則由于能夠使貫通孔765的截面面積變得更大，因而焊料以及熱變得容易通過。

上述實(shí)施方式中，也可以將貫通孔755的內(nèi)壁用金屬膜被覆。例如，對連接用fpc75進(jìn)行加工時，也可以利用鉆孔機(jī)、激光器等形成在上下方向上將接點(diǎn)部對置連接盤754、支撐層751以及接點(diǎn)部753貫通的貫通孔755(參照圖6(d))，其后，利用化學(xué)鍍、濺射、電鍍等在貫通孔755的內(nèi)壁形成金屬層755a(參照圖14)。作為金屬層755a的材質(zhì)，可以使用cu、ni、au、sn等。如果這樣設(shè)定，則在接點(diǎn)部對置連接盤754熔融的焊料變得容易在貫通孔755的內(nèi)壁潤濕鋪展。

上述實(shí)施方式中，例示了連接用fpc75作為第1構(gòu)件，片狀加熱器30作為第2構(gòu)件，但不特別限定于該組合。例如，也可以使用扁平電纜作為第1構(gòu)件，也可以使用印刷配線板作為第2構(gòu)件。

本申請將在2016年3月29日申請的美國臨時申請第62/314,547號以及美國臨時申請第62/314,556號、在2016年6月29日申請的日本國專利申請第2016-128765號以及日本國專利申請第2016-128766號作為優(yōu)先權(quán)主張的基礎(chǔ)，通過引用將其全部內(nèi)容包含于本說明書中。