本發(fā)明屬于電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，涉及電子設(shè)備的散熱，具體涉及一種電子設(shè)備的殼體及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備已經(jīng)普及到人們的學(xué)習(xí)生活中，成為生活的必需品。電子產(chǎn)品的功能越來(lái)越完善，相應(yīng)的電路的集成化程度也越來(lái)越高。電子元器件在使用過(guò)程中會(huì)不可避免地產(chǎn)生熱量，若這些熱量不能被及時(shí)散失掉，將會(huì)導(dǎo)致電子元器件的溫度升高。小型化、多功能化以及集成化使得電子產(chǎn)品的“熱障”問(wèn)題日益凸顯。以智能手機(jī)為例，人們對(duì)手機(jī)的cpu、內(nèi)存、屏幕尺寸、屏幕分辨率、攝像頭和電池等元件要求越來(lái)越高，手機(jī)硬件不斷升級(jí)，其所執(zhí)行的任務(wù)計(jì)算處理更加復(fù)雜，cpu等芯片部件面臨著過(guò)熱的威脅?！盁帷彪m然看上去只是稍微影響用戶體驗(yàn)，但是一旦控制不好變成了“燙”的話，這樣對(duì)于手機(jī)使用者來(lái)說(shuō)不僅影響了手機(jī)的流暢度，而且對(duì)手機(jī)本身的危害很大，降低了手機(jī)的效率、穩(wěn)定性和使用壽命，甚至引起失效、起火或爆炸。因此，手機(jī)等電子產(chǎn)品的的導(dǎo)熱、散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。

目前，電子設(shè)備的殼體的散熱主要用風(fēng)冷和水冷的模式。風(fēng)冷的模式主要采用電子設(shè)備電池或自帶的電池給風(fēng)扇供電；采用電子設(shè)備電池給風(fēng)扇供電的模式大量的消耗了電子設(shè)備電池的電量，縮短待機(jī)時(shí)間；而采用自帶電池給風(fēng)扇供電的模式，雖解決了電源的問(wèn)題，但電子設(shè)備殼體的體積變大，不利于攜帶和使用。采用水冷模式，吸收的熱量相對(duì)較少，不利于持續(xù)使用，限制了水冷手機(jī)殼的使用。

此外，由于相變材料具有節(jié)能環(huán)保、性能穩(wěn)定、無(wú)功耗、相變溫度易于調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)，故將將相變材料應(yīng)用在電子產(chǎn)品的散熱中，成為目前研究的熱點(diǎn)。然而，目前所研究的用于電子產(chǎn)品的相變材料還普遍存在以下缺陷：(1)泄漏和體積膨脹問(wèn)題，散熱效率低，溫度一致性差；(2)熱導(dǎo)率低，一般在1.0w/mk以下，導(dǎo)致熱量不能被高效的傳遞和吸收；(3)熱穩(wěn)定性差，相變壽命短。

鑒于此，特提出本發(fā)明。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一目的在于提供一種溫度一致性好，導(dǎo)熱系數(shù)高，穩(wěn)定性好，相變壽命長(zhǎng)的電子設(shè)備的殼體，進(jìn)而有效解決電子設(shè)備的散熱問(wèn)題。

本發(fā)明的第二目的在于提供一種電子設(shè)備的殼體的制備方法，該方法具有操作方便，易于實(shí)施，效率高，成本低的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)該方法制備得到的電子設(shè)備的殼體，散熱效果好，導(dǎo)熱系數(shù)高，相變材料不會(huì)泄露。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種電子設(shè)備的殼體，包括殼體本體，所述殼體本體由內(nèi)而外依次包括散熱片、導(dǎo)熱片、殼體本體內(nèi)層、中空腔體和殼體本體外層；

所述中空腔體內(nèi)填充有相變材料，所述相變材料包括癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述癸酸和月桂酸的重量份數(shù)比為1～3：5；

優(yōu)選地，所述相變材料的體積占所述中空腔體的體積的85％～95％；

優(yōu)選地，所述相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)為1.0～1.5w/mk，相變溫度為35℃～45℃，厚度為0.5mm～1.5mm。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述相變材料還包括填料，所述填料的質(zhì)量百分比為0.5％～5％；

優(yōu)選地，所述填料為膨脹石墨、泡沫金屬或納米顆粒；

優(yōu)選地，所述泡沫金屬為泡沫鋁、泡沫銅、泡沫鎳或泡沫銀；

優(yōu)選地，所述納米顆粒為石墨烯或碳納米管。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述散熱片為石墨散熱片；

優(yōu)選地，所述石墨散熱片的導(dǎo)熱系數(shù)為150～2000w/mk，厚度為0.05mm～0.1mm。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述導(dǎo)熱片為導(dǎo)熱硅膠片，所述導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)為2～5w/mk，厚度為0.1mm～0.3mm；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱硅膠片主要由以下重量份的原料制備而成：導(dǎo)熱粉體80～100份、甲基乙烯基硅橡膠1～4份、乙烯基硅膠5～8份，二甲基硅油8～10份、抑制劑0.1～0.5份和鉑金催化劑0.1～0.6份；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱粉體為氧化鋁、氮化鋁、氧化鎂或氧化鋅中的一種或至少兩種的組合。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述殼體本體內(nèi)層和殼體本體外層的的制作材料為塑料、硅膠或高導(dǎo)熱的輕質(zhì)金屬；

優(yōu)選地，所述高導(dǎo)熱的輕質(zhì)金屬為鋁、鋁合金、銅或銅合金；

優(yōu)選地，所述殼體本體內(nèi)層的厚度為0.05mm～0.1mm，所述殼體本體外層的厚度為0.05mm～0.1mm；

優(yōu)選地，所述殼體本體的總厚度為0.8mm～2mm。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述殼體本體還包括自所述殼體本體外層周緣向內(nèi)延伸的側(cè)壁，所述側(cè)壁與所述殼體本體外層共同圍設(shè)形成殼體的收容空間；

優(yōu)選地，所述殼體本體上設(shè)置有攝像頭預(yù)留孔。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明還提供一種以上所述的電子設(shè)備的殼體的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(a)分別稱取癸酸和月桂酸，進(jìn)行混合、加熱，在加熱的過(guò)程中不斷攪拌，直至將癸酸和月桂酸全部加熱到熔融狀態(tài)，得到所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料；

(b)將所述殼體本體置于38℃～45℃的水浴中，將所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料注入至中空腔體內(nèi)，注入完成后，將所述殼體本體取出；

(c)將所述導(dǎo)熱片粘貼在所述殼體本體內(nèi)層上，再將所述散熱片貼附在所述導(dǎo)熱片上。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述步驟(b)中，將所述殼體本體置于40℃的恒溫水浴中，所述殼體本體外層上設(shè)置有小孔，且該小孔位于水面之上，采用注射器將所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料通過(guò)該小孔注入至所述中空腔體內(nèi)，待所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料占中空腔體體積的85％～95％時(shí)，完成注入，將殼體本體取出并用玻璃硅膠將所述小孔密封。

作為進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述步驟(c)中，還包括對(duì)于散熱片的預(yù)處理，所述的預(yù)處理為將散熱片開(kāi)設(shè)攝像頭預(yù)留孔；

優(yōu)選地，在所述步驟(a)和步驟(b)之間，還包括以填料為基體材料，在溫度為25℃～60℃、時(shí)間為20min～60min的條件下浸漬所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料，得到填料/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料的步驟；

優(yōu)選地，所述步驟(b)中，將所述殼體本體置于38℃～45℃的水浴中，將填料/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料注入至中空腔體內(nèi)，注入完成后，將所述殼體本體取出。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：

1、本發(fā)明提供的電子設(shè)備的殼體，在中空腔體內(nèi)填充有相變材料，通過(guò)相變材料、散熱片與導(dǎo)熱片三者的配合，將熱源端的熱量高效地轉(zhuǎn)移給相變材料，并將熱量快速的導(dǎo)出，強(qiáng)化了熱交換。同時(shí)還增大了散熱面積，減低局部熱沉，有效改善局部高溫狀態(tài)，加強(qiáng)了電子設(shè)備的散熱效果，具有高效、節(jié)能、可靠的優(yōu)點(diǎn)。

2、本發(fā)明的相變材料為癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料，具有潛熱高的優(yōu)點(diǎn)，可以吸收更多的熱量，給電子設(shè)備提供更持久的降溫效果；同時(shí)，該二元復(fù)合相變材料的熱穩(wěn)定性好，相變壽命長(zhǎng)，從而延長(zhǎng)了電子設(shè)備的殼體的使用壽命；再有，相較于現(xiàn)有的十六醇、十二酸等相變材料，該二元復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)高，具有更好的散熱性能。

3、本發(fā)明將相變材料填充在中空腔體內(nèi)，可防止相變材料的泄漏，在相變過(guò)程中，可以保持定型，電池溫度的一致性好，不存在液體流動(dòng)性及泄漏問(wèn)題，使用維護(hù)方便，成本低，一致性好。

4、本發(fā)明的電子設(shè)備的殼體，具有優(yōu)異的導(dǎo)熱、散熱性能，不影響電子設(shè)備的正常工作；而且具有體積小，攜帶方便，制造成本低，使用安全等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦及個(gè)人數(shù)字助理等電子設(shè)備，達(dá)到控溫和保護(hù)電子設(shè)備的目的。

5、本發(fā)明提供的電子設(shè)備的殼體的制備方法，操作方便，易于實(shí)施，效率高，成本低，易于工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的殼體的主視示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的殼體的側(cè)視示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的殼體中空狀態(tài)側(cè)視剖面示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的殼體中空狀態(tài)俯視剖面示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的殼體側(cè)視剖面示意圖；

圖6為圖5中a處的局部放大圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的殼體的制備方法的流程圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子設(shè)備的殼體的制備方法的示意圖。

圖標(biāo)：1－殼體本體；101－散熱片；102－導(dǎo)熱片；103－殼體本體內(nèi)層；104－中空腔體；105－殼體本體外層；106－相變材料；107－側(cè)壁；108－攝像頭預(yù)留孔；2－小孔；3－玻璃硅膠；4－水浴。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

第一方面，本實(shí)施方式提供一種電子設(shè)備的殼體，包括殼體本體，所述殼體本體由內(nèi)而外依次包括散熱片、導(dǎo)熱片、殼體本體內(nèi)層、中空腔體和殼體本體外層；

所述中空腔體內(nèi)填充有相變材料，所述相變材料包括癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料。

本實(shí)施方式中，所述的電子設(shè)備可以為手機(jī)、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理或小靈通等。

所述的電子設(shè)備的殼體可以為電子設(shè)備本身固有的外殼，也可以為電子設(shè)備后背外殼外部額外套設(shè)的保護(hù)殼體或保護(hù)套。

本實(shí)施方式中，所述的中空腔體設(shè)置在殼體本體內(nèi)層和殼體本體外層之間，且為封閉式的結(jié)構(gòu)，在該中空腔體內(nèi)填充有相變材料。散熱片與導(dǎo)熱片相貼合，導(dǎo)熱片與殼體本體內(nèi)層相貼合。電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量經(jīng)散熱片傳遞給導(dǎo)熱片，又通過(guò)散熱片傳遞給相變材料，進(jìn)而使相變材料發(fā)生相變而將電子設(shè)備的熱量傳遞出去。

需要說(shuō)明的是：本發(fā)明所述的相變材料指的是隨溫度變化而改變物質(zhì)狀態(tài)并能提供潛熱的物質(zhì)，轉(zhuǎn)變物理性質(zhì)的過(guò)程稱為相變過(guò)程，在相變過(guò)程中相變材料將吸收或釋放大量的潛熱。此外，相變材料還具有在一定溫度范圍內(nèi)改變其物理狀態(tài)的能力，以固－液相變?yōu)槔?，在加熱到熔化溫度時(shí)，產(chǎn)生從固態(tài)到液態(tài)的相變，熔化的過(guò)程中，相變材料吸收并儲(chǔ)存大量的潛熱；當(dāng)相變材料冷卻時(shí)，儲(chǔ)存的熱量在一定的溫度范圍內(nèi)散發(fā)到環(huán)境中去，進(jìn)行從液態(tài)到固態(tài)的逆相變。

本實(shí)施方式提供的電子設(shè)備的殼體，主要有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)通過(guò)相變材料、散熱片與導(dǎo)熱片三者的配合，將熱源端的熱量高效地轉(zhuǎn)移給相變材料，并將熱量快速的導(dǎo)出，強(qiáng)化了熱交換。(2)相變材料為癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料，具有潛熱高、熱穩(wěn)定性好、相變壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，可以給電子設(shè)備提供更持久的降溫效果，延長(zhǎng)了電子設(shè)備的使用壽命；而且相較于現(xiàn)有的十六醇、十二酸等相變材料，該二元復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)高，具有更好的散熱性能。(3)將相變材料填充在中空腔體內(nèi)，可防止相變材料的泄漏，在相變過(guò)程中，可以保持定型，電池溫度的一致性好，不存在液體流動(dòng)性及泄漏問(wèn)題。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述癸酸和月桂酸的重量份數(shù)比為1～3：5；

優(yōu)選地，所述相變材料的體積占所述中空腔體的體積的85％～95％；

優(yōu)選地，所述相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)為1.0～1.5w/mk，相變溫度為35℃～45℃，厚度為0.5mm～1.5mm。

在一些具體的實(shí)施方式中，所述癸酸和月桂酸的重量份數(shù)比為1：3、1：3.5、1：4、1：4.5或1：5；所述相變材料的體積占所述中空腔體的體積的85％、86％、87％、88％、89％、90％、91％、92％、93％、94％或95％；所述相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)為1.0w/mk、1.1w/mk、1.2w/mk、1.3w/mk、1.4w/mk或1.5w/mk；相變溫度為35℃、36℃、37℃、38℃、39℃、40℃、41℃、42℃、43℃、44℃或45℃；厚度為0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm或1.5mm。

通過(guò)上述比例制備而成的癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料，相較于現(xiàn)有常用的相變材料，具有導(dǎo)熱系數(shù)高的優(yōu)點(diǎn)，例如相變材料十六醇的導(dǎo)熱系數(shù)為0.15w/mk，十二酸的導(dǎo)熱系數(shù)為0.2w/mk，而本發(fā)明的癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)可以達(dá)到1.0～1.5w/mk。此外，該相變材料的相變溫度為35℃～45℃，該相變溫度正是綜合了手機(jī)等電子設(shè)備正常運(yùn)行的極限溫度和人手能夠接受的適宜溫度，從而能夠保證手機(jī)等電子設(shè)備在數(shù)據(jù)處理量大或充電時(shí)溫度保持在正常范圍內(nèi)，達(dá)到控溫和保護(hù)電子設(shè)備的目的。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述相變材料還包括填料，所述填料的質(zhì)量百分比為0.5％～5％；

優(yōu)選地，所述填料為膨脹石墨、泡沫金屬或納米顆粒；

優(yōu)選地，所述泡沫金屬為泡沫鋁、泡沫銅、泡沫鎳或泡沫銀；

優(yōu)選地，所述納米顆粒為石墨烯或碳納米管。

所述填料的質(zhì)量百分比為0.5％～5％，優(yōu)選為1％～4％，更優(yōu)選為1.5％～2.5％。

在一些實(shí)施方式中，相變材料可以為癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料；在另一些實(shí)施方式中，相變材料可以為填料/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料。所述的填料可以為膨脹石墨、泡沫金屬或納米顆粒，優(yōu)選為膨脹石墨或納米顆粒。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)實(shí)際需求和經(jīng)濟(jì)成本核算進(jìn)行選擇添加。

在相變材料中添加膨脹石墨或納米顆粒的填料，可以進(jìn)一步提高相變材料的表觀導(dǎo)熱系數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)散熱性能，將熱量快速的導(dǎo)出。而且膨脹石墨具有良好的微米級(jí)別的孔道結(jié)構(gòu)，癸酸－月桂酸能夠通過(guò)毛細(xì)結(jié)構(gòu)充分地負(fù)載在膨脹石墨的孔道間，還可以增強(qiáng)溫度的一致性。

例如，膨脹石墨的導(dǎo)熱系數(shù)約為2000w/mk，納米顆粒石墨烯的導(dǎo)熱系數(shù)約為10000w/mk，碳納米管的導(dǎo)熱系數(shù)約為2000w/mk。本發(fā)明提供的癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料導(dǎo)熱系數(shù)為1.0～1.5w/mk。在該二元復(fù)合相變材料中添加一定量的膨脹石墨，可以使得復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)變?yōu)?.5～3.2w/mk；在該二元復(fù)合相變材料中添加一定量的納米顆粒石墨烯可以使得復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)變?yōu)?.5～4.5w/mk，從而提高了相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述散熱片為石墨散熱片；

優(yōu)選地，所述石墨散熱片的導(dǎo)熱系數(shù)為150～2000w/mk，厚度為0.05mm～0.1mm。

在一些具體的實(shí)施方式中，石墨散熱片的導(dǎo)熱系數(shù)為150w/mk、500w/mk、1000w/mk、1500w/mk或2000w/mk；石墨散熱片的厚度為0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm或0.1mm。

石墨散熱片具有散熱速率快的優(yōu)點(diǎn)，能夠電子設(shè)備的熱量迅速傳給導(dǎo)熱片，進(jìn)而傳遞給相變材料，將熱量散發(fā)出去，增強(qiáng)了熱靈敏性。同時(shí)石墨散熱片的質(zhì)地柔軟，還能起到緩沖的效果。

此外，石墨散熱片擁有超高的水平橫向?qū)崧?，可以將局部集中熱量迅速擴(kuò)散到更寬的界面，以增大散熱面積，減低局部熱沉，有效改善局部高溫狀態(tài)，進(jìn)而增加了殼體的散熱效果。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述導(dǎo)熱片為導(dǎo)熱硅膠片，所述導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)為2～5w/mk，厚度為0.1mm～0.3mm；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱硅膠片主要由以下重量份的原料制備而成：導(dǎo)熱粉體80～100份、甲基乙烯基硅橡膠1～4份、乙烯基硅膠5～8份，二甲基硅油8～10份、抑制劑0.1～0.5份和鉑金催化劑0.1～0.6份；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱粉體為氧化鋁、氮化鋁、氧化鎂或氧化鋅中的一種或至少兩種的組合。

在一些具體的實(shí)施方式中，導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)為2w/mk、2.5w/mk、3w/mk、3.5w/mk、4w/mk、4.5w/mk或5w/mk；導(dǎo)熱硅膠片的厚度為0.1mm、0.12mm、0.15mm、0.18mm、0.2mm、0.22mm、0.25mm、0.28mm或0.3mm。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱硅膠片主要由以下重量份的原料制備而成：導(dǎo)熱粉體85～95份、甲基乙烯基硅橡膠2～3份、乙烯基硅膠6～7份，二甲基硅油8.5～9.5份、抑制劑0.2～0.3份和鉑金催化劑0.2～0.4份；

更優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱硅膠片主要由以下重量份的原料制備而成：導(dǎo)熱粉體90份、甲基乙烯基硅橡膠2.5份、乙烯基硅膠6.5份，二甲基硅油9份、抑制劑0.25份和鉑金催化劑0.3份。

所述的抑制劑可以為炔醇類抑制劑，例如1－乙炔基－1－環(huán)己醇或2－甲基－3丁炔－醇等?？刹捎矛F(xiàn)有技術(shù)中常用的方法制備該導(dǎo)熱硅膠片。

本實(shí)施方式提供的導(dǎo)熱硅膠片導(dǎo)熱系數(shù)高，不僅保持了原有導(dǎo)熱硅膠可壓縮、可自粘接的特點(diǎn)，而且通過(guò)石墨散熱片和導(dǎo)熱硅膠片之間的貼合，還可以省略掉二者之間的膠水或膠帶；既提高了散熱效率，又節(jié)省了成本，方便了使用。

本實(shí)施方式，結(jié)合了石墨散熱片的優(yōu)異散熱性和柔韌性，導(dǎo)熱硅膠片的優(yōu)異導(dǎo)熱性、可壓縮性和可自粘接性，以及相變材料的優(yōu)異散熱性和相變儲(chǔ)能特性，強(qiáng)化了熱交換，有效防止大量熱量產(chǎn)生時(shí)的沖擊，獲得了優(yōu)異的導(dǎo)熱、散熱性能，不影響電子設(shè)備的正常工作，而且還提高了工作的穩(wěn)定性、可靠性，延長(zhǎng)了使用壽命。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述殼體本體內(nèi)層和殼體本體外層的的制作材料為塑料、硅膠或高導(dǎo)熱的輕質(zhì)金屬；

優(yōu)選地，所述高導(dǎo)熱的輕質(zhì)金屬為鋁、鋁合金、銅或銅合金；

優(yōu)選地，所述殼體本體內(nèi)層的厚度為0.05mm～0.1mm，所述殼體本體外層的厚度為0.05mm～0.1mm；

優(yōu)選地，所述殼體本體的總厚度為0.8mm～2mm。

本實(shí)施方式中的殼體本體內(nèi)層和殼體本體外層的制作材料優(yōu)選為高導(dǎo)熱的輕質(zhì)金屬，如銅或鋁，從而使得該殼體具有全方位的導(dǎo)熱性能。

在一些具體的實(shí)施方式中，殼體本體內(nèi)層的厚度為0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm或0.1mm；殼體本體外層的厚度為0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm或0.1mm；殼體本體的總厚度為0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm或2mm。

本實(shí)施方式中，通過(guò)對(duì)相變材料、石墨散熱片、導(dǎo)熱硅膠片、殼體本體內(nèi)層、殼體本體外層以及殼體本體總厚度的限制，可以使得熱能比較順利的流通，更便于熱量的疏散。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述殼體本體還包括自所述殼體本體外層周緣向內(nèi)延伸的側(cè)壁，所述側(cè)壁與所述殼體本體外層共同圍設(shè)形成殼體的收容空間；

優(yōu)選地，所述殼體本體上設(shè)置有攝像頭預(yù)留孔。

優(yōu)選地，所述側(cè)壁一端與殼體本體外層之間平滑連接，另一端為朝向收容空間逐漸收攏的弧形。

第二方面，本實(shí)施方式還提供一種以上所述的電子設(shè)備的殼體的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(a)分別稱取癸酸和月桂酸，進(jìn)行混合、加熱，在加熱的過(guò)程中不斷攪拌，直至將癸酸和月桂酸全部加熱到熔融狀態(tài)，得到所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料；

(b)將所述殼體本體置于38℃～45℃的水浴中，將所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料注入至中空腔體內(nèi)，注入完成后，將所述殼體本體取出；

(c)將所述導(dǎo)熱片粘貼在所述殼體本體內(nèi)層上，再將所述散熱片貼附在所述導(dǎo)熱片上。

本實(shí)施方式提供的電子設(shè)備的殼體的制備方法，通過(guò)先將癸酸和月桂酸全部加熱到熔融狀態(tài)，然后在一定溫度下，將其注入至中空腔體內(nèi)，然后再粘貼導(dǎo)熱片和散熱片的方式，制得電子設(shè)備的殼體，具有操作方便，易于實(shí)施，效率高，成本低，易于工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述步驟(b)中，將所述殼體本體置于40℃的恒溫水浴中，所述殼體本體外層上設(shè)置有小孔，且該小孔位于水面之上，采用注射器將所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料通過(guò)該小孔注入至所述中空腔體內(nèi)，待所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料占中空腔體體積的85％～95％時(shí)，完成注入，將殼體本體取出并用玻璃硅膠將所述小孔密封。

需要說(shuō)明的是，將殼體本體從恒溫水浴中取出時(shí)，需豎直取出，以防止癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料流出，取出之后再用玻璃硅膠將小孔密封。

優(yōu)選地，待所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料占中空腔體體積的90％時(shí)，完成注入。

在一種可選的實(shí)施方式中，所述步驟(c)中，還包括對(duì)于散熱片的預(yù)處理，所述的預(yù)處理為將散熱片開(kāi)設(shè)攝像頭預(yù)留孔；

優(yōu)選地，在所述步驟(a)和步驟(b)之間，還包括以填料為基體材料，在溫度為25℃～60℃、時(shí)間為20min～60min的條件下浸漬所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料，得到填料/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料的步驟；

優(yōu)選地，所述步驟(b)中，將所述殼體本體置于38℃～45℃的水浴中，將填料/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料注入至中空腔體內(nèi)，注入完成后，將所述殼體本體取出。

若所述的相變材料中還包括填料，則還包括填料/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料的制備步驟，采用浸漬法的制備方式，實(shí)用性強(qiáng)，效果好，可避免滲漏現(xiàn)象，便于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。

下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例1

如圖1－圖6所示，本實(shí)施例提供一種電子設(shè)備的殼體，包括殼體本體1，殼體本體1由內(nèi)而外依次包括散熱片101、導(dǎo)熱片102、殼體本體內(nèi)層103、中空腔體104和殼體本體外層105；中空腔體104內(nèi)填充有相變材料106，相變材料106包括癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料。

本實(shí)施例中的電子設(shè)備為手機(jī)。

如圖2所示，殼體本體1還包括自殼體本體外層105周緣向內(nèi)延伸的側(cè)壁107，側(cè)壁107與殼體本體外層105共同圍設(shè)形成殼體的收容空間；側(cè)壁107一端與殼體本體外層105之間平滑連接，另一端為朝向收容空間逐漸收攏的弧形。殼體本體1上設(shè)置有攝像頭預(yù)留孔108。

本實(shí)施例中，癸酸和月桂酸的重量份數(shù)比為1：3，相變材料106的體積占中空腔體104的體積的90％。

散熱片101為石墨散熱片；導(dǎo)熱片102為導(dǎo)熱硅膠片；殼體本體內(nèi)層103和殼體本體外層105的的制作材料均為鋁。

相變材料106的厚度為0.8mm，石墨散熱片的厚度為0.08mm，導(dǎo)熱硅膠片的厚度為0.3mm，殼體本體內(nèi)層103和殼體本體外層105的厚度均為0.06mm；殼體本體1的總厚度為1.3mm。

如圖7和圖8所示，電子設(shè)備的殼體的制備方法，包括以下步驟：

(a)按配比分別稱取癸酸和月桂酸，進(jìn)行混合、加熱，在加熱的過(guò)程中不斷攪拌，直至將癸酸和月桂酸全部加熱到熔融狀態(tài)，得到癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料；

(b)將殼體本體1置于40℃的恒溫水浴4中，殼體本體外層105上設(shè)置有小孔2，且該小孔2位于水面之上，采用注射器將癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料通過(guò)該小孔2注入至中空腔體104內(nèi)，待癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料占中空腔體104體積的90％時(shí)，完成注入，將殼體本體1從恒溫水浴4中豎直取出，并用玻璃硅膠3將小孔2密封。

(c)取與殼體本體內(nèi)層103大小相同的石墨散熱片，在該石墨散熱片對(duì)應(yīng)攝像頭的位置處開(kāi)設(shè)攝像頭預(yù)留孔108；將導(dǎo)熱硅膠片粘貼在殼體本體內(nèi)層103上，再將上述石墨散熱片貼附在導(dǎo)熱硅膠片上，即完成了電子設(shè)備殼體的制作。

經(jīng)檢測(cè)，癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)為1.2w/mk，相變溫度為35℃。石墨散熱片的導(dǎo)熱系數(shù)為2000w/mk，導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)為3w/mk。

實(shí)施例2

與實(shí)施例1不同的是，本實(shí)施例中，癸酸和月桂酸的重量份數(shù)比為1：5，相變材料的體積占所述中空腔體的體積的90％。

散熱片為石墨散熱片；導(dǎo)熱片為導(dǎo)熱硅膠片；殼體本體內(nèi)層和殼體本體外層的的制作材料均為銅。其中，導(dǎo)熱硅膠片主要由以下重量份的原料制備而成：氧化鎂90份、甲基乙烯基硅橡膠2.5份、乙烯基硅膠6.5份，二甲基硅油9份、1－乙炔基－1－環(huán)己醇0.25份和鉑金催化劑0.3份。

相變材料的厚度為1.0mm，石墨散熱片的厚度為0.1mm，導(dǎo)熱硅膠片的厚度為0.2mm，殼體本體內(nèi)層和殼體本體外層的厚度均為0.1mm；殼體本體的總厚度為1.5mm。

經(jīng)檢測(cè)，癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)為1.5w/mk，相變溫度為45℃。石墨散熱片的導(dǎo)熱系數(shù)為2000w/mk，導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)為5w/mk。

其余均與實(shí)施例1相同。

實(shí)施例3

與實(shí)施例1不同的是，本實(shí)施例中的相變材料還包括填料，其余均與實(shí)施例1相同。

本實(shí)施例中，填料為膨脹石墨，膨脹石墨在相變材料中的質(zhì)量百分比為2％。

本實(shí)施例中的電子設(shè)備的殼體的制備方法，包括以下步驟：

(a)按配比分別稱取癸酸和月桂酸，進(jìn)行混合、加熱，在加熱的過(guò)程中不斷攪拌，直至將癸酸和月桂酸全部加熱到熔融狀態(tài)，得到癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料；

(b)以膨脹石墨為基體材料，在溫度為45℃、時(shí)間為40min的條件下浸漬所述癸酸－月桂酸二元復(fù)合相變材料，得到膨脹石墨/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料；

(c)將殼體本體置于40℃的恒溫水浴中，殼體本體外層上設(shè)置有小孔，且該小孔位于水面之上，采用注射器將膨脹石墨/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料通過(guò)該小孔注入至中空腔體內(nèi)，待膨脹石墨/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料占中空腔體體積的90％時(shí)，完成注入，將殼體本體從恒溫水浴中豎直取出，并用玻璃硅膠將小孔密封；

(d)取與殼體本體內(nèi)層大小相同的石墨散熱片，在該石墨散熱片對(duì)應(yīng)攝像頭的位置處開(kāi)設(shè)攝像頭預(yù)留孔；將導(dǎo)熱硅膠片粘貼在殼體本體內(nèi)層上，再將上述石墨散熱片貼附在導(dǎo)熱硅膠片上，即完成了電子設(shè)備殼體的制作。

經(jīng)檢測(cè)，膨脹石墨/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)為2.8w/mk，相變溫度為38℃。石墨散熱片的導(dǎo)熱系數(shù)為2000w/mk，導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)為3w/mk。

實(shí)施例4

與實(shí)施例1不同的是，本實(shí)施例中的相變材料還包括填料，其余均與實(shí)施例1相同。

本實(shí)施例中，填料為納米顆粒石墨烯，納米顆粒石墨烯在相變材料中的質(zhì)量百分比為5％。

本實(shí)施例中的電子設(shè)備的殼體的制備方法，與實(shí)施例3相同。

經(jīng)檢測(cè)，納米顆粒石墨烯/癸酸－月桂酸復(fù)合相變材料的導(dǎo)熱系數(shù)為4.2w/mk，相變溫度為40℃。石墨散熱片的導(dǎo)熱系數(shù)為2000w/mk，導(dǎo)熱硅膠片的導(dǎo)熱系數(shù)為3w/mk。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。