本技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、目前廣泛使用的發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管(oled)和量子點發(fā)光二極管(qled)。傳統(tǒng)的oled和qled器件結(jié)構(gòu)主要包括陽極、空穴功能層、發(fā)光層、電子功能層及陰極。在電場的作用下，發(fā)光器件的陽極產(chǎn)生的空穴和陰極產(chǎn)生的電子發(fā)生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，最終遷移到發(fā)光層，當(dāng)二者在發(fā)光層相遇時，產(chǎn)生能量激子，最終產(chǎn)生可見光。

2、然而，電子傳輸層等膜層的成膜質(zhì)量以及與相鄰膜層之間的界面接觸等會直接影響發(fā)光器件的電子等載流子的注入，從而影響發(fā)光器件的發(fā)光效率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置，旨在提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。

2、本技術(shù)實施例是這樣實現(xiàn)的，提供一種發(fā)光器件，包括：相對設(shè)置的第一電極和第二電極；發(fā)光層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間；電子功能層，設(shè)置在所述第二電極與所述發(fā)光層之間；其中，所述電子功能層包括金屬氧化物以及甾醇類化合物，所述甾醇類化合物具有式(i)或式(ii)的結(jié)構(gòu)：

3、

4、其中，l選自單鍵、未被取代或被鹵素、羥基、硝基、氰基、硅烷基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20烷硫基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳硫基中的至少一種取代的-(ch2)n1-、-(ch2)n2ch＝ch(ch2)n3-、-(ch2)n4c≡c(ch2)n5-、-(ch2)n6o(ch2)n7-、-(ch2)n8(och2)n9-、-(ch2)n10co(ch2)n11-、-(ch2)n12nhco(ch2)n13-、-(ch2)n14conh(ch2)n15-、-(ch2)n16oco(ch2)n17-和-(ch2)n18coo(ch2)n19-中的一種或兩種以上的組合，其中，n1至n19各自獨立地選自1-20的整數(shù)；

5、r1選自h、羧基、磺酸基、巰基、磷酸基、氨基、酰胺基、酰氧基、羥基、鹵素、硝基、氰基、硅烷基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20烷硫基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳硫基中的一種或多種；

6、每個r2獨立選自h、d、鹵素、羥基、硝基、氰基、硅烷基、取代或未取代的c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20烷硫基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳硫基中的一種或多種；

7、n為1-27的整數(shù)，m為1-25的整數(shù)。

8、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，r1選自h、羧基、磺酸基、巰基、磷酸基、氨基、酰胺基、酰氧基、羥基中的一種或多種；和/或

9、l選自單鍵、未被取代或被鹵素、羥基、硝基、氰基、異氰基、硅烷基、c1-c5烷基中的至少一種取代的-(ch2)n1-、-(ch2)n6o(ch2)n7-、

10、-(ch2)n10co(ch2)n11-、-(ch2)n12nhco(ch2)n13-、-(ch2)n14conh(ch2)n15-、-(ch2)n16oco(ch2)n17-和-(ch2)n18coo(ch2)n19-中的一種或兩種以上的組合，其中，n1至n19各自獨立地選自1-10的整數(shù)；和/或

11、每個r2獨立選自h、d、鹵素、羥基、硝基、氰基、異氰基、硅烷基、取代或非取代的c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c1-c10烷硫基、環(huán)原子數(shù)為6至20的芳基、環(huán)原子數(shù)為6至20的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為6至20的芳硫基中的一種或多種，且至少存在一個r2包括羥基。

12、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，r1選自h、羧基、磺酸基、巰基、磷酸基、氨基、酰胺基、酰氧基中的一種或多種；和/或每個r2獨立選自h、d、羥基、甲基、乙基、丙基、異丙基、苯基、萘基等中的一種或多種；和/或l選自如下結(jié)構(gòu)中的一種或多種：

13、

14、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述甾醇類化合物選自如下結(jié)構(gòu)中的一種或多種：

15、

16、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述金屬氧化物包括摻雜或非摻雜的金屬氧化物，所述非摻雜的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、al2o3、gao、ga2o3、zro2、fe2o3、cro3、wo3、cdo、cuo、moo2、ta2o3、hfo3中的一種或多種，所述摻雜的金屬氧化物包括所述非摻雜的金屬氧化物以及摻雜元素，所述摻雜元素選自于mg、ca、li、ga、al、co、in、mn、cd、cs或cu中的一種或多種；和/或所述金屬氧化物的平均粒徑為1～10nm；和/或所述甾醇類化合物與所述金屬氧化物的質(zhì)量比為(5～10)：100；和/或所述電子功能層的厚度為20～60nm。

17、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述發(fā)光層的材料選自有機發(fā)光材料或量子點發(fā)光材料；所述有機發(fā)光材料選自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、發(fā)藍(lán)色光的tbpe熒光材料、發(fā)綠色光的ttpa熒光材料、發(fā)橙色光的tbrb熒光材料及發(fā)紅色光的dbp熒光材料中的至少一種；所述量子點材料選自單一結(jié)構(gòu)量子點、核殼結(jié)構(gòu)量子點及鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料中的至少一種，所述單一結(jié)構(gòu)量子點選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種，所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一種，所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一種，所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一種，所述i-iii-vi族化合物選自cuins、cuinse及agins中的至少一種；所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點的核選自上述單一結(jié)構(gòu)量子點中的任意一種，所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點的殼層材料選自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一種；所述鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料選自摻雜或非摻雜的無機鈣鈦礦型半導(dǎo)體、或有機-無機雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體；所述無機鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+離子，m為二價金屬陽離子，選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一種，x為鹵素陰離子，選自cl-、br-、i-中的至少一種；所述有機-無機雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，其中b為有機胺陽離子，選自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m為二價金屬陽離子，選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一種，x為鹵素陰離子，選自cl-、br-、i-中的至少一種；和/或

18、所述第一電極和所述第二電極獨立選自金屬電極、碳電極、摻雜或非摻雜金屬氧化物電極以及復(fù)合電極；其中，所述金屬電極的材料選自al、ag、cu、mo、au、ba、ca、ni、ir以及mg中的至少一種；所述碳電極的材料選自石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的至少一種；所述摻雜或非摻雜金屬氧化物電極的材料選自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo、itzo、ico、amo、sno2、in2o3、cd:zno、f:sno2、in:sno2、ga:sno2中的至少一種；所述復(fù)合電極的材料選自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns以及zns/al/zns中的至少一種；和/或

19、所述發(fā)光器件還包括空穴功能層，所述空穴功能層設(shè)置于所述第一電極與所述發(fā)光層之間，所述空穴功能層包括空穴注入層和/或空穴傳輸層；其中，所述空穴傳輸層的材料選自芳基胺、聚苯胺、聚吡咯、聚(對)亞苯基亞乙烯基及其衍生物、4,4’-雙(對咔唑基)-1,1’-聯(lián)苯化合物、n,n,n’,n’-四芳基聯(lián)苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、摻雜或非摻雜的nio、moo3、wo3、v2o5、cro3、cuo、mos2、mose2、ws3、wse3、cus、cuscn中的一種或多種；其中，所述芳基胺選自4,4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(n,n’-雙(4-丁基苯基)-n,n’-雙(苯基)聯(lián)苯胺)、n,n’-二(4-(n,n’-二苯基-氨基)苯基)-n,n’-二苯基聯(lián)苯胺、聚(9,9-二辛基芴-共-雙-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’,4”-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4’,4”-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、n,n’-二苯基-n,n’-雙(1-萘基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4”-二胺、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺、n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺、spiro-npb、spiro-tpd、n,n’-雙(3-甲基苯基)-n,n’-雙(苯基)-螺、螺npb中的一種或多種；所述聚(對)亞苯基亞乙烯基及其衍生物選自聚(亞苯基亞乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3’,7’-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]中的一種或多種；所述空穴注入層的材料選自聚(亞乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、酞菁銅、聚(9,9-二辛基-芴-共-n-(4-丁基苯基)-二苯基胺)、多芳基胺、聚(n-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、n,n,n’,n’-四(4-甲氧基苯基)-聯(lián)苯胺、4-雙[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]聯(lián)苯、4,4’,4”-三[苯基(間-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4’,4”-三(n-咔唑基)-三苯基胺(tcta)、1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基環(huán)己烷、摻雜有f4-tcnq的4,4’,4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-摻雜酞菁、f4-tcnq摻雜的n,n’-二苯基-n,n’-二(1-萘基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4”-二胺、過渡金屬氧化物、過渡金屬硫系化合物中的一種或多種；其中，所述過渡金屬氧化物包括nio、moo2、wo3、cuo中的一種或多種；所述金屬硫系化合物包括mos2、mose2、ws3、wse3、cus中的一種或多種。

20、相應(yīng)的，本技術(shù)實施例還提供一種發(fā)光器件的制備方法，包括：提供預(yù)制器件，所述預(yù)制器件包括層疊的第一電極和發(fā)光層；在所述發(fā)光層上設(shè)置復(fù)合材料，形成電子功能層；其中，所述復(fù)合材料包括金屬氧化物以及連接在所述金屬氧化物上的甾醇類化合物；在所述電子功能層上形成第二電極，得到發(fā)光器件；或者供預(yù)制器件，所述預(yù)制器件包括層疊的第二電極；在所述第二電極上設(shè)置復(fù)合材料，形成電子功能層；其中，所述復(fù)合材料包括金屬氧化物以及連接在所述金屬氧化物上的甾醇類化合物；在所述電子功能層上形成層疊的發(fā)光層和第一電極，得到發(fā)光器件；

21、其中，所述甾醇類化合物具有式(i)或式(ii)的結(jié)構(gòu)：

22、

23、其中，l選自單鍵、未被取代或被鹵素、羥基、硝基、氰基、硅烷基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20烷硫基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳硫基中的至少一種取代的-(ch2)n1-、-(ch2)n2ch＝ch(ch2)n3-、-(ch2)n4c≡c(ch2)n5-、-(ch2)n6o(ch2)n7-、-(ch2)n8(och2)n9-、-(ch2)n10co(ch2)n11-、-(ch2)n12nhco(ch2)n13-、-(ch2)n14conh(ch2)n15-、-(ch2)n16oco(ch2)n17-和-(ch2)n18coo(ch2)n19-中的一種或兩種以上的組合，其中，n1至n19各自獨立地選自1-20的整數(shù)；

24、r1選自h、羧基、磺酸基、巰基、磷酸基、氨基、酰胺基、酰氧基、羥基、鹵素、硝基、氰基、硅烷基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20烷硫基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳硫基中的一種或多種；

25、每個r2獨立選自h、d、鹵素、羥基、硝基、氰基、硅烷基、取代或未取代的c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1-c20烷硫基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為6至60的芳硫基中的一種或多種；

26、n為1-27的整數(shù)，m為1-25的整數(shù)。

27、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述在所述發(fā)光層或所述第二電極上設(shè)置復(fù)合材料，形成電子功能層之前，還包括制備所述復(fù)合材料，所述復(fù)合材料制備方法包括如下步驟：提供金屬氧化物、甾醇類化合物和第一溶劑；將所述金屬氧化物、所述甾醇類化合物和所述第一溶劑混合，得到復(fù)合材料。

28、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述甾醇類化合物與所述金屬氧化物的質(zhì)量比為(5～10)：100；和/或所述金屬氧化物包括摻雜或非摻雜的金屬氧化物，所述非摻雜的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、al2o3、gao、ga2o3、zro2、fe2o3、cro3、wo3、cdo、cuo、moo2、ta2o3、hfo3中的一種或多種，所述摻雜的金屬氧化物包括所述非摻雜的金屬氧化物以及摻雜元素，所述摻雜元素選自于mg、ca、li、ga、al、co、in、mn、cd、cs或cu中的一種或多種；和/或所述金屬氧化物的平均粒徑為1～10nm；和/或第一溶劑選自沸點低于或等于200℃的極性溶劑；和/或每1ml的所述第一溶劑對應(yīng)20～40mg的溶質(zhì)，其中，所述溶質(zhì)為所述金屬氧化物與所述甾醇類化合物的總和。

29、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述發(fā)光層的材料選自有機發(fā)光材料或量子點發(fā)光材料；所述有機發(fā)光材料選自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、發(fā)藍(lán)色光的tbpe熒光材料、發(fā)綠色光的ttpa熒光材料、發(fā)橙色光的tbrb熒光材料及發(fā)紅色光的dbp熒光材料中的至少一種；所述量子點材料選自單一結(jié)構(gòu)量子點、核殼結(jié)構(gòu)量子點及鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料中的至少一種，所述單一結(jié)構(gòu)量子點選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種，所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一種，所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一種，所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一種，所述i-iii-vi族化合物選自cuins、cuinse及agins中的至少一種；所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點的核選自上述單一結(jié)構(gòu)量子點中的任意一種，所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點的殼層材料選自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一種；所述鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料選自摻雜或非摻雜的無機鈣鈦礦型半導(dǎo)體、或有機-無機雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體；所述無機鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+離子，m為二價金屬陽離子，選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一種，x為鹵素陰離子，選自cl-、br-、i-中的至少一種；所述有機-無機雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，其中b為有機胺陽離子，選自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m為二價金屬陽離子，選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一種，x為鹵素陰離子，選自cl-、br-、i-中的至少一種；和/或

30、所述第一電極和所述第二電極獨立選自金屬電極、碳電極、摻雜或非摻雜金屬氧化物電極以及復(fù)合電極；其中，所述金屬電極的材料選自al、ag、cu、mo、au、ba、ca、ni、ir以及mg中的至少一種；所述碳電極的材料選自石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的至少一種；所述摻雜或非摻雜金屬氧化物電極的材料選自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo、itzo、ico、amo、sno2、in2o3、cd:zno、f:sno2、in:sno2、ga:sno2中的至少一種；所述復(fù)合電極的材料選自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns以及zns/al/zns中的至少一種；和/或

31、所述制備方法還包括：在所述第一電極與所述發(fā)光層之間形成空穴功能層；其中，所述空穴功能層包括空穴注入層和/或空穴傳輸層；其中，所述空穴傳輸層的材料選自芳基胺、聚苯胺、聚吡咯、聚(對)亞苯基亞乙烯基及其衍生物、4,4’-雙(對咔唑基)-1,1’-聯(lián)苯化合物、n,n,n’,n’-四芳基聯(lián)苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、摻雜或非摻雜的nio、moo3、wo3、v2o5、cro3、cuo、mos2、mose2、ws3、wse3、cus、cuscn中的一種或多種；其中，所述芳基胺選自4,4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(n,n’-雙(4-丁基苯基)-n,n’-雙(苯基)聯(lián)苯胺)、n,n’-二(4-(n,n’-二苯基-氨基)苯基)-n,n’-二苯基聯(lián)苯胺、聚(9,9-二辛基芴-共-雙-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’,4”-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4’,4”-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、n,n’-二苯基-n,n’-雙(1-萘基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4”-二胺、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺、n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺、spiro-npb、spiro-tpd、n,n’-雙(3-甲基苯基)-n,n’-雙(苯基)-螺、螺npb中的一種或多種；所述聚(對)亞苯基亞乙烯基及其衍生物選自聚(亞苯基亞乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3’,7’-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]中的一種或多種；所述空穴注入層的材料選自聚(亞乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、酞菁銅、聚(9,9-二辛基-芴-共-n-(4-丁基苯基)-二苯基胺)、多芳基胺、聚(n-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、n,n,n’,n’-四(4-甲氧基苯基)-聯(lián)苯胺、4-雙[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]聯(lián)苯、4,4’,4”-三[苯基(間-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4’,4”-三(n-咔唑基)-三苯基胺(tcta)、1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基環(huán)己烷、摻雜有f4-tcnq的4,4’,4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-摻雜酞菁、f4-tcnq摻雜的n,n’-二苯基-n,n’-二(1-萘基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4”-二胺、過渡金屬氧化物、過渡金屬硫系化合物中的一種或多種；其中，所述過渡金屬氧化物包括nio、moo2、wo3、cuo中的一種或多種；所述金屬硫系化合物包括mos2、mose2、ws3、wse3、cus中的一種或多種。

32、相應(yīng)的，本技術(shù)實施例還提供一種顯示裝置，包括如上述的發(fā)光器件，或者包括由上述的制備方法制備得到的發(fā)光器件。

33、本技術(shù)的發(fā)光器件，電子功能層的材料包括金屬氧化物以及連接在所述金屬氧化物上的甾醇類化合物，提高了電子功能層的成膜性和平整性，優(yōu)化了電子功能層與發(fā)光層的界面接觸，平衡了電子功能層向發(fā)光層注入的電子和空穴功能層向發(fā)光層注入的空穴，從而提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。