本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種存儲器及其制作方法、存儲系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)的存儲陣列架構(gòu)是由包括一個晶體管和一個電容器的存儲單元(即1t1c的存儲單元)組成的陣列。晶體管的柵極與字線相連，漏極與位線相連，源極與電容器相連。

2、在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器中，源極通過存儲節(jié)點(diǎn)接觸(storage?node?contact，snc)與電容器相連接，但是，由于工藝限制，存儲節(jié)點(diǎn)接觸的高度會受到限制，無法進(jìn)行調(diào)節(jié)，進(jìn)而難以滿足更多的設(shè)計需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供一種存儲器及其制作方法、存儲系統(tǒng)，能夠控制導(dǎo)電連接部的高度，以滿足不同的設(shè)計需求。

2、本技術(shù)實(shí)施例還提供一種存儲器的制作方法，其包括以下步驟：

3、形成相間隔的多個溝道結(jié)構(gòu)、以及位于相鄰的所述溝道結(jié)構(gòu)之間的間隔部，所述溝道結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸；

4、去除部分所述溝道結(jié)構(gòu)，以在相鄰的所述間隔部之間形成多個第一凹槽；

5、在所述第一凹槽內(nèi)形成掩膜部，且所述掩膜部凸出于所述第一凹槽外，以在相鄰的所述掩膜部之間形成第二凹槽；

6、在所述第二凹槽內(nèi)形成隔墊部，并去除所述掩膜部，以在相鄰的所述隔墊部之間形成第三凹槽；

7、在所述第三凹槽內(nèi)形成導(dǎo)電連接部，所述導(dǎo)電連接部沿所述第一方向連接于所述溝道結(jié)構(gòu)。

8、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述形成相間隔的多個溝道結(jié)構(gòu)、以及位于相鄰的所述溝道結(jié)構(gòu)之間的間隔部的步驟中：

9、所述溝道結(jié)構(gòu)中形成有沿所述第一方向排列的漏極、溝道以及源極，部分所述間隔部中形成有靠近所述溝道一側(cè)的柵極、以及位于所述柵極和所述溝道之間的柵極絕緣子部。

10、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述去除部分所述溝道結(jié)構(gòu)，以在相鄰的所述間隔部之間形成多個第一凹槽的步驟還包括：

11、所述溝道結(jié)構(gòu)還形成有位于所述源極遠(yuǎn)離所述溝道一側(cè)的犧牲子部，并去除所述犧牲子部；

12、去除沿第二方向與所述犧牲子部相鄰的部分所述間隔部，以形成所述第一凹槽，且所述第二方向垂直于所述第一方向。

13、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述第一凹槽沿所述第二方向上的寬度大于所述溝道結(jié)構(gòu)沿所述第二方向上的寬度。

14、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述在所述第一凹槽內(nèi)形成掩膜部，且所述掩膜部凸出于所述第一凹槽外，以在相鄰的所述掩膜部之間形成第二凹槽的步驟還包括：

15、在所述源極遠(yuǎn)離所述溝道的一側(cè)形成阻擋層，且所述阻擋層覆蓋所述第一凹槽的內(nèi)壁以及所述間隔部的頂面；

16、在所述阻擋層遠(yuǎn)離所述溝道結(jié)構(gòu)以及所述間隔部的一側(cè)形成掩膜層，且所述掩膜層覆蓋于所述間隔部的頂面上方并填充多個所述第一凹槽；

17、去除所述間隔部的頂面上方的所述掩膜層，以形成所述掩膜部。

18、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述在所述阻擋層遠(yuǎn)離所述溝道結(jié)構(gòu)以及所述間隔部的一側(cè)形成掩膜層，且所述掩膜層覆蓋于所述間隔部的頂面上方并填充多個所述第一凹槽的步驟還包括：

19、在所述阻擋層遠(yuǎn)離所述溝道結(jié)構(gòu)以及所述間隔部的一側(cè)形成第一掩膜層，且所述第一掩膜層覆蓋于所述間隔部的頂面上方并填充多個所述第一凹槽，所述第一掩膜層在遠(yuǎn)離所述阻擋層的一側(cè)形成與多個所述第一凹槽相對應(yīng)的多個第四凹槽；

20、在所述第四凹槽內(nèi)形成第二掩膜層。

21、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述去除所述間隔部的頂面上方的所述掩膜層，以形成所述掩膜部的步驟還包括：

22、去除未被所述第二掩膜層覆蓋的部分所述第一掩膜層，以形成所述掩膜部。

23、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述在所述第二凹槽內(nèi)形成隔墊部，并去除所述掩膜部，以在相鄰的所述隔墊部之間形成第三凹槽的步驟還包括：

24、去除未被所述隔墊部覆蓋的所述阻擋層。

25、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述在所述第二凹槽內(nèi)形成隔墊部，并去除所述掩膜部，以在相鄰的所述隔墊部之間形成第三凹槽的步驟還包括：

26、去除與所述第一凹槽相鄰的部分所述隔墊部。

27、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述在所述第三凹槽內(nèi)形成導(dǎo)電連接部，所述導(dǎo)電連接部沿所述第一方向連接于所述溝道結(jié)構(gòu)的步驟中：

28、所述導(dǎo)電連接部遠(yuǎn)離所述溝道結(jié)構(gòu)的一端沿所述第二方向上的寬度大于所述導(dǎo)電連接部靠近所述溝道結(jié)構(gòu)的一端沿所述第二方向上的寬度。

29、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述在所述第三凹槽內(nèi)形成導(dǎo)電連接部，所述導(dǎo)電連接部沿所述第一方向連接于所述溝道結(jié)構(gòu)的步驟中：

30、所述導(dǎo)電連接部靠近所述溝道結(jié)構(gòu)的一端與所述間隔部沿所述第二方向上相重疊，所述導(dǎo)電連接部遠(yuǎn)離所述溝道結(jié)構(gòu)的一端與所述隔墊部沿所述第二方向上相重疊。

31、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述在所述第三凹槽內(nèi)形成導(dǎo)電連接部，所述導(dǎo)電連接部沿所述第一方向連接于所述溝道結(jié)構(gòu)的步驟中：

32、所述導(dǎo)電連接部沿所述第二方向上的寬度大于所述溝道結(jié)構(gòu)沿所述第二方向上的寬度。

33、根據(jù)本技術(shù)的上述目的，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種存儲器，其包括：

34、多個溝道結(jié)構(gòu)以及間隔部，多個所述溝道結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置，所述間隔部設(shè)置于相鄰的所述溝道結(jié)構(gòu)之間，且所述溝道結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸；

35、導(dǎo)電連接部，所述導(dǎo)電連接部沿所述第一方向連接于所述溝道結(jié)構(gòu)；

36、隔墊部，沿所述第一方向設(shè)置于所述間隔部的一側(cè)并圍繞所述導(dǎo)電連接部設(shè)置；

37、其中，所述導(dǎo)電連接部與所述間隔部沿第二方向上部分重疊，所述第二方向垂直于所述第一方向。

38、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述溝道結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向排列的漏極、溝道以及源極，且所述源極位于所述溝道靠近所述導(dǎo)電連接部的一側(cè)，所述導(dǎo)電連接部沿所述第一方向連接于所述源極。

39、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，部分所述間隔部包括靠近所述溝道一側(cè)的柵極、以及位于所述柵極和所述溝道之間的柵極絕緣子部。

40、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述導(dǎo)電連接部靠近所述溝道結(jié)構(gòu)的一端沿所述第二方向與所述間隔部相重疊，所述導(dǎo)電連接部遠(yuǎn)離所述溝道結(jié)構(gòu)的一端沿所述第二方向與所述隔墊部相重疊。

41、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述導(dǎo)電連接部遠(yuǎn)離所述溝道結(jié)構(gòu)的一端沿所述第二方向上的寬度大于所述導(dǎo)電連接部靠近所述溝道結(jié)構(gòu)的一端沿所述第二方向上的寬度。

42、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述導(dǎo)電連接部沿所述第二方向上的寬度大于所述溝道結(jié)構(gòu)沿所述第二方向上的寬度。

43、在本技術(shù)的一種實(shí)施例中，所述存儲器還包括阻擋層，且所述阻擋層設(shè)置于所述隔墊部和所述間隔部之間。

44、根據(jù)本技術(shù)的上述目的，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種存儲系統(tǒng)，所述存儲系統(tǒng)包括所述存儲器以及控制器，所述控制器耦合至所述存儲器，且用于控制所述存儲器存儲數(shù)據(jù)。

45、本技術(shù)的有益效果：本技術(shù)通過在存儲器的制作方法中，通過形成掩膜部來預(yù)留并控制需要形成導(dǎo)電連接部的高度，進(jìn)而在去除掩膜部形成第三凹槽時，可在第三凹槽內(nèi)形成導(dǎo)電連接部，即導(dǎo)電連接部的高度可受第三凹槽的深度控制，進(jìn)一步可受掩膜部的高度控制；使得本技術(shù)實(shí)施例提供的存儲器可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電連接部的高度可控，以滿足不同的設(shè)計需求，提高了存儲器的適用性。