1.一種旨在控制至少一個揚聲器(r44)的高功率音頻放大器(102)，所述放大器包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的放大器，其特征在于，所述電壓移位子電路(161-163)還包括并聯(lián)安裝的至少第四電阻器(r22、r26)和第二二極管(d6、d29)，所述第二二極管(d6、d29)的第一端子和所述第四電阻器(r22、r26)的端子連接到所述互連點(a1、a2)，所述第四電阻器(r22、r26)的第二端子和所述第二二極管(d6、d29)的第二端子連接到第三互連節(jié)點(n10)。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的放大器，其特征在于，所述用于輔助充電的子電路(131-133)還包括第五電阻器(r29、r30)，其與第三二極管(d9、d14)串聯(lián)安裝，所述第五電阻器(r29、r30)和所述第三二極管(d9、d14)與所述用于輔助充電的子電路(131-133)的包括所述第一電阻器(r24、r31)的支路并聯(lián)安裝。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的放大器，其特征在于，所述電壓移位子電路(161-163)還包括第二電容器(c17、c22)和第三電容器(c21、c24)，所述第二電容器(c17、c22)與所述第一電容器(c18、c23)和所述第一二極管(d8、d10)并聯(lián)安裝，并且所述第三電容器(c21、c24)與所述第二二極管(d6、d29)和所述第五電阻器(r22、r26)并聯(lián)安裝。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的放大器，其特征在于，各個電源電路(151-155、155a、155b)包括第一保護二極管(d5、d13)，其第一端子連接到所述mosfet晶體管(m1、m2)的所述源極，并且其第二端子連接到所述mosfet晶體管(m1、m2)的所述柵極。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的放大器，其特征在于，各個電源電路(151-155、155a、155b)還包括連接在所述mosfet晶體管(m1、m2)的所述源極和所述漏極之間的第二保護二極管(d4、d12)。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的放大器，其特征在于，各個電源電路(151-155、155a、155b)還包括與所述第四二極管(d3、d11)并聯(lián)安裝的第四電容器(c14、c25)。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的放大器，其特征在于，所述前置放大級(201、301)借助于所述第一電源總線(v++)的功率變化阻尼電路(304、305)連接到各個電源電路(151-155、155a、155b)的所述第一電源總線(v++)，所述功率變化阻尼電路(304、305)包括被安裝為低通濾波器的至少一個電容器(c15、c19)和至少一個電阻器(r52、r55)。
9.根據(jù)權利要求8所述的放大器，其特征在于，所述功率變化阻尼電路(304、305)還包括與所述至少一個電容器(c16、c20)并聯(lián)安裝的額外電容器。
10.根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的放大器，其特征在于，施加到所述前置放大級的所述反饋提供與通過所述揚聲器的電流成比例的信號。