Burn-in半導體測試板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導體測試板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種burn-in半導體測試板的制作 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導體測試板作為高附加值的PCB板，用于測試半導體晶圓篩選出合格品，一般 可分為ATE測試板、probe-card測試板及burn-in測試板。參閱圖1，其中burn-in半導 體測試板具有超長尺寸（長邊> 20inch)、金手指、小pitch(0.4mm或0.5mm，要求BGA中 走線）的陣列BGA (4*4個或5*4個）且此BGA均需要裝socket，目前對于BGA的焊盤基材 劃傷、焊盤缺損等外觀要求也越來越嚴格，因此使半導體測試板制造難度高于普通PCB板 件的制作。在現(xiàn)有技術(shù)中，因 Burn-in半導體測試板的特點，使得其制作難點主要體現(xiàn)在以 下：第一，超長板尺寸出現(xiàn)的問題：在外層圖形工序之后的傳遞過程中，易出現(xiàn)劃傷或擦花 板面的圖形的問題，且在處理后工序中沒有任何的板面圖形保護措施。第二，金手指區(qū)域 出現(xiàn)的問題：burn-in半導體測試板件的金手指區(qū)域的內(nèi)層設計一般都為基材，現(xiàn)有設計 疊層結(jié)構(gòu)厚度的方法為：層壓設計板厚范圍=完成板厚范圍-外層電鍍銅層厚范圍-阻焊 層厚度范圍，這種疊層結(jié)構(gòu)易導致金手指區(qū)域板厚不達標，偏厚或偏薄，同時采用普通工藝 邊，即阻流塊或阻流點，參閱圖2和圖3,在進行壓合工序時，易導致層壓壓合后金手指區(qū)域 出現(xiàn)銅箔起皺的問題。第三，陣列BGA的對位問題：每個BGA單元都為0. 4mm間距（pitch)， 而且BGA中走線，目前常用的是3孔或4孔定位鉆孔方式，這個方式已經(jīng)難以保證0. 4mm間 距（pitch)的對位要求，使用板邊的靶標孔測量X、Y方向的漲縮，用于整個板件所有BGA 的鉆帶的拉伸進行鉆孔，也無法保證所有BGA的鉆孔對位效果。參閱圖4,在實際制作過程 中，PCB板件因內(nèi)層的半固化邊的粘合會導致在壓合后板件的內(nèi)層圖形出現(xiàn)漲縮，鉆孔鉆帶 的拉伸傳統(tǒng)做法則是測量板邊的4個靶標30'之間的距離來算出其整體漲縮值，即長方向 2個，短方向2個來測量整體漲縮值，用于拉伸整體鉆帶，此種漲縮測不利于小pitch的BGA 鉆孔對位。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種制作設計優(yōu)化，且提 高產(chǎn)品良品的Burn-in半導體測試板的制作方法。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
[0005] 一種Burn-in半導體測試板的制作方法，包括：該測試板上BGA區(qū)域在傳送過程中 的保護步驟、該測試板上金手指區(qū)域的疊層步驟和工藝邊的制作步驟，以及每個BGA單獨 定位測量漲縮和鉆孔的步驟。
[0006] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該測試板上BGA區(qū)域在傳送過程中的保護步驟 包括：在該測試板板體表面處理工序后，選取與該BGA區(qū)域同等尺寸的透明微粘膜粘貼在 該板件的BGA區(qū)域上。
[0007] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該透明微粘膜具有粘性面，將該粘性面粘貼在 該板件的BGA區(qū)域上。
[0008] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該透明微粘膜在產(chǎn)品終檢時可撕下進行檢驗的 工序，待產(chǎn)品檢驗工序之后可再將該透明微粘膜粘于BGA區(qū)域上進行保護的工序。
[0009] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該透明微粘膜的粘性面上設有保護膜。在進一 步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該測試板上金手指區(qū)域的疊層步驟包括：該測試板的疊層工序 和在該測試板的金手指區(qū)域蝕刻的工序；該金手指區(qū)域蝕刻以增加了金手指區(qū)域的每一層 內(nèi)層銅層厚，具體為：層壓設計板厚=完成板厚-外層電鍍銅層厚-阻焊層厚度+金手指區(qū) 域的每一層內(nèi)層銅層厚。
[0010] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該金手指區(qū)域的工藝邊的制作步驟包括：該金 手指區(qū)域的工藝邊靠近板內(nèi)的一半制作成為阻流點的工序和該工藝邊靠近板邊制作成阻 流塊的工序。
[0011] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該金手指區(qū)域的內(nèi)層每層工藝邊阻流點距金手 指邊緣大于等于1英寸，其余工藝邊設為阻流塊。
[0012] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，該每個BGA單獨定位測量漲縮和鉆孔的步驟， 包括：
[0013] 在每個內(nèi)層的陣列BGA的每個BGA單元四周增加四個單靶標，該四個靶標用于壓 合后測量局部的漲縮值，再用測得的局部漲縮值制作該單個的BGA單元鉆帶用于該單個 BGA單元鉆孔。
[0014] 在進一步優(yōu)化的【具體實施方式】中，還包括：使用X射線沖孔機沖出每個BGA單元的 該四個單靶標孔并測量局部漲縮值的工序；使用每個BGA單元區(qū)域的局部漲縮值制作的單 獨鉆帶進行鉆孔的工序。
[0015] 采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明至少具有如下有益效果：
[0016] 本發(fā)明一種Burn-in半導體測試板的制作方法采用對超長板尺寸BGA區(qū)域的保護 措施防止BGA區(qū)域在傳送過程中出現(xiàn)的劃傷和焊盤缺損；金手指區(qū)域的疊層結(jié)構(gòu)和工藝邊 的設計，解決了金手指區(qū)域板厚不達標問題、層壓時受力不均出現(xiàn)銅箔起皺問題；以及BGA 陣列的每個BGA單元單獨定位測量漲縮和鉆孔的方式，解決了小間距（Pitch)板的BGA陣 列測量鉆孔的難題。本發(fā)明一種Burn-in半導體測試板的制作方法設計優(yōu)化、提高了產(chǎn)品 的良品。
【附圖說明】
[0017] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中Burn-in半導體測試板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中金手指區(qū)域阻流點工藝邊結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019] 圖3是現(xiàn)有技術(shù)中金手指區(qū)域阻流塊工藝邊結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 圖4是現(xiàn)有技術(shù)BGA陣列測量長短方向的漲縮進行整體鉆帶拉伸方式的示意圖。
[0021] 圖5是本發(fā)明其中一個實施例中疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 圖6是本發(fā)明金手指區(qū)域優(yōu)化工藝邊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023] 圖7是本發(fā)明單獨的BGA鉆帶用于每個BGA單元鉆孔漲縮測量方式的示意圖。
[0024] 其中附圖標記說明：10、阻流塊，20、阻流點，30、靶標，40、BGA單元。
【具體實施方式】
[0025] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的技術(shù)特征可 相互結(jié)合，下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0026] 本發(fā)明是一種Burn-in半導體測試板的制作方法，參閱圖5至圖7,包括該測試板 上BGA區(qū)域在傳送過程中的保護步驟、該測試板上金手指區(qū)域的疊層步驟和工藝邊的制作 步驟，以及每個BGA單獨定位測量漲縮和鉆孔的步驟。
[0027] Burn-in半導體測試板具有超長板尺寸，該測試板上BGA區(qū)域的保護步驟包括：在 板體表面處理后，選擇與BGA區(qū)域同等尺寸的透明微粘膜，該透明微粘膜的其中一面