電子元器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子元器件，更特定而言，涉及具有3個(gè)以上LC并聯(lián)諧振器的電子元器件。
【背景技術(shù)】
[0002]作為與現(xiàn)有的電子元器件相關(guān)的發(fā)明，已知有例如專利文獻(xiàn)I所記載的三維螺旋電感器。該三維螺旋電感器是螺旋狀的線圈，其設(shè)置于層疊體內(nèi)，且圍繞卷繞軸的周圍而旋轉(zhuǎn)，該卷繞軸沿與層疊方向正交的方向延伸。這種三維螺旋電感器用于例如低通濾波器。
[0003]使用三維螺旋電感器的低通濾波器例如將多個(gè)LC并聯(lián)諧振器串聯(lián)連接來構(gòu)成，該LC并聯(lián)諧振器由三維螺旋電感器和電容器構(gòu)成。三維螺旋電感器呈螺旋狀，因此，其空心直徑比漩渦狀電感器的空心直徑要大。因而，三維螺旋電感器與漩渦狀電感器相比，能得到更高的Q值。因此，能力圖降低低通濾波器的插入損耗。
[0004]而且，在低通濾波器中，以彼此的卷繞軸大致一致的方式將三維螺旋電感器排列成一排來配置。因此，三維螺旋電感器彼此過于接近，三維螺旋電感器彼此的電磁耦合增強(qiáng)。因此，在低通濾波器中，容易在三維螺旋電感器之間傳輸高頻信號(hào)。其結(jié)果是，無法在低通濾波器的通頻帶以外的頻帶中得到充分的衰減量。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2006-190934號(hào)公報(bào)(圖16a)

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電子元器件，其能力圖降低插入損耗、且在通頻帶以外的頻帶中得到充分的衰減量。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0007]本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的電子元器件包括:元件主體；以及串聯(lián)連接的第ILC并聯(lián)諧振器至第η (η為3以上的整數(shù))LC并聯(lián)諧振器，所述第ILC并聯(lián)諧振器至所述第nLC并聯(lián)諧振器分別包含第I電感器至第η電感器以及第I電容器至第η電容器，所述第I電感器至所述第η電感器以在第I方向上依次排列的方式設(shè)置于所述元件主體，所述第I電感器和第η電感器繞沿著所述第I方向的卷繞軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，所述第2電感器至所述第η-l電感器內(nèi)的至少I個(gè)規(guī)定電感器繞沿著與所述第I方向正交的第2方向的卷繞軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從與所述第I方向及所述第2方向正交的第3方向俯視時(shí)，所述規(guī)定電感器的所述第2方向的中心相對(duì)于所述第I電感器的卷繞軸及所述第η電感器的卷繞軸位于該第2方向的一側(cè)。
發(fā)明效果
[0008]根據(jù)本發(fā)明，能力圖降低插入損耗，且在通頻帶以外的頻帶中得到充分的衰減量。
【附圖說明】
[0009]圖1A是本發(fā)明所涉及的電子元器件10的等效電路圖。
圖1B是圖1A的電子元器件10的外觀立體圖。
圖2A是電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。
圖2B是電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。
圖2C是電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。
圖2D是電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。
圖3是表示電子元器件10通過特性的曲線圖。
圖4是變形例I所涉及的電子元器件1a的等效電路圖。
圖5是變形例I所涉及的電子元器件1a的層疊體12的分解立體圖。
圖6是變形例2所涉及的電子元器件1b的層疊體12的分解立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件進(jìn)行說明。
[0011](電子元器件的結(jié)構(gòu))
以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的電子元器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1A是本申請(qǐng)的發(fā)明所涉及的電子元器件10的等效電路圖。圖1B是圖1A的電子元器件10的外觀立體圖。圖2A至圖2D是電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。下面，上下方向表示絕緣體層16的層疊方向。另外，當(dāng)從上側(cè)俯視時(shí)，將沿著電子元器件10的長(zhǎng)邊的方向定義為前后方向，將沿著電子元器件10的短邊的方向定義為左右方向。上下方向、前后方向以及左右方向彼此正交。
[0012]如圖1A所示，電子元器件10的等效電路包括LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3、電容器C4?C7、電感器La、Lb以及外部端子14a?14c。LC并聯(lián)諧振器LCl包含電感器LI和電容器Cl。LC并聯(lián)諧振器LC2包含電感器L2和電容器C2。LC并聯(lián)諧振器LC3包含電感器L3和電容器C3。此外，在外部端子14a和外部端子14b之間將LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3依次串聯(lián)連接。此外，LC并聯(lián)諧振器LC2的諧振頻率比LC并聯(lián)諧振器LCl的諧振頻率及LC并聯(lián)諧振器LC3的諧振頻率要低。
[0013]電容器C4設(shè)置在外部端子14a和LC并聯(lián)諧振器LCl的連接點(diǎn)、與外部端子14c之間。電容器C5設(shè)置在LC并聯(lián)諧振器LCl與LC并聯(lián)諧振器LC2的連接點(diǎn)、與外部端子14c之間。電容器C6設(shè)置在LC并聯(lián)諧振器LC2與LC并聯(lián)諧振器LC3的連接點(diǎn)、與外部端子14c之間。電容器C7設(shè)置在LC并聯(lián)諧振器LC3和外部端子14b的連接點(diǎn)、與外部端子14c之間。
[0014]電感器La設(shè)置在電容器C4、C5與外部端子14c之間。S卩，電感器La與電容器C4、C5串聯(lián)連接。電感器Lb設(shè)置在電容器C6、C7與外部端子14c之間。g卩，電感器Lb與電容器C6、C7串聯(lián)連接。
[0015]如上所述的電子元器件10作為低通濾波器來使用。外部端子14a用作輸入端子，外部端子14b用作輸出端子，外部端子14c用作接地端子。
[0016]如圖1B及圖2A至圖2D所示，電子元器件10包括層疊體12、外部端子14a?14c、電感器導(dǎo)體 18a ?18r、22a ?22o、26a ?26r、46、48、電容器導(dǎo)體 28、30a、30b、32a、32b、34、36a、36b、38a、38b、40a、40b、接地導(dǎo)體 42、44 以及通孔導(dǎo)體 vl ?V22。
[0017]如圖1B及圖2A至圖2D所示，通過將絕緣體層16a?16z、16aa?16ii在上下方向上層疊來構(gòu)成層疊體12，層疊體12呈長(zhǎng)方體狀。另外，層疊體12內(nèi)置有LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3、電感器La、Lb以及電容器C4?C7。
[0018]如圖2A至2D所示，絕緣體層16a?16z、16aa?16ii呈長(zhǎng)方形狀，例如由陶瓷電介質(zhì)構(gòu)成。從上側(cè)到下側(cè)依次層疊絕緣體層16a?16z、16aa?16ii。下面,將絕緣體層16a?16z、16aa?16ii的上側(cè)的面稱作表面，將絕緣體層16a?16z、16aa?16ii的下側(cè)的面稱作背面。
[0019]電感器LI呈圍繞與前后方向平行的卷繞軸旋轉(zhuǎn)的漩渦狀，設(shè)置于層疊體12的前表面附近。此外，電感器LI由電感器導(dǎo)體18a?18r以及通孔導(dǎo)體vl?v5構(gòu)成。電感器導(dǎo)體18a?18c分別為設(shè)置于絕緣體層16e?16g的表面的線狀導(dǎo)體層，電感器導(dǎo)體18a?18c從絕緣體層16e?16g的前側(cè)短邊中央向后側(cè)略微延伸之后向左側(cè)延伸，是呈L字形的導(dǎo)體。電感器導(dǎo)體18a?18c的左端分別位于絕緣體層16e?16g的左前的角落附近。
[0020]電感器導(dǎo)體18d?18f分別為設(shè)置于絕緣體層16w?16y的表面的線狀導(dǎo)體層，沿著絕緣體層16w?16y的前側(cè)短邊而延伸。從上側(cè)俯視時(shí)，電感器導(dǎo)體18d?18f的左端與電感器導(dǎo)體18a?18c的左端相重疊。
[0021]電感器導(dǎo)體18g?18i分別為設(shè)置于絕緣體層16h?16j的表面的線狀導(dǎo)體層，沿著絕緣體層16h?16j的前側(cè)短邊而延伸。從上側(cè)俯視時(shí)，電感器導(dǎo)體18g?18i的右端與電感器導(dǎo)體18d?18f的右端相重疊。
[0022]電感器導(dǎo)體18j?181分別為設(shè)置于絕緣體層16t?16v的表面的線狀導(dǎo)體層，沿著絕緣體層16t?16v的前側(cè)短邊而延伸。從上側(cè)俯視時(shí)，電感器導(dǎo)體18j?181的左端與電感器導(dǎo)體18g?18i的左端相重疊。
[0023]電感器導(dǎo)體18m?18ο分別為設(shè)置于絕緣體層16k?16m的表面的線狀導(dǎo)體層，沿著絕緣體層16k?16m的前側(cè)短邊而延伸。從上側(cè)俯視時(shí)，電感器導(dǎo)體18m?18ο的右端與電感器導(dǎo)體18j?181的右端相重疊。
[0024]電感器導(dǎo)體18p?18r分別為設(shè)置于絕緣體層16q?16s的表面的線狀導(dǎo)體層，是從絕緣體層16q?16s的前側(cè)短邊的中央附近向后側(cè)延伸的導(dǎo)體。從上側(cè)俯視時(shí)，電感器導(dǎo)體18p?18r的前端與電感器導(dǎo)體18m?18ο的左端相重疊。
[0025]通孔導(dǎo)體vl是在上下方向上貫穿絕緣體層16e?16x的層間連接導(dǎo)體。另外，通過將分別貫穿絕緣體層16e?16x的多個(gè)通孔導(dǎo)體相連來構(gòu)成通孔導(dǎo)體vl。通孔導(dǎo)體vl將電感器導(dǎo)體18a?18c的左端與電感器導(dǎo)體18d?18f的左端相連接。
[0026]通孔導(dǎo)體v2是在上下方向上貫穿絕緣體層16h?16x的層間連接導(dǎo)體。另外，通過將分別貫穿絕緣體層16h?16x的多個(gè)通孔導(dǎo)體相連來構(gòu)成通孔導(dǎo)體v2。通孔導(dǎo)體v2將電感器導(dǎo)體18d?18f的右端與電感器導(dǎo)體18g?18i的右端相連接。
[0027]通孔導(dǎo)體v3是在上下方向上貫穿絕緣體層16h?16u的層間連接導(dǎo)體。另外，通過將分別貫穿絕緣體層16h?16u的多個(gè)通孔導(dǎo)體相連來構(gòu)成通孔導(dǎo)體v3。通孔導(dǎo)體v3將電感器導(dǎo)體18g?18i的左端與電感器導(dǎo)體18j?181的左端相連接。
[0028]通孔導(dǎo)體v4是在上下方向上貫穿絕緣體層16k?16u的層間連接導(dǎo)體。另外，通過將分別貫穿絕緣體層16k?16u的多個(gè)通孔導(dǎo)體相連來構(gòu)成通孔導(dǎo)體v4。通孔導(dǎo)體v4將電感器導(dǎo)體18 j?181的右端與電感器導(dǎo)體18m?18ο的右端相連接。
[0029]通孔導(dǎo)體ν5是在上下方向上貫穿絕緣體層16k?16r的層間連接導(dǎo)體。另