電子部件內(nèi)置基板、電子部件內(nèi)置基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在設(shè)置于樹脂絕緣層的腔室中內(nèi)置有電子部件的電子部件內(nèi)置基板以及電子部件內(nèi)置基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻I公開了一種將半導體元件埋入于絕緣層的印刷布線板。該專利文獻I中，在配置電子部件的支承導體布線層上層疊樹脂絕緣層，在所層疊的樹脂絕緣層中利用激光切出到達支承導體布線層的切縫，并取下被切斷的樹脂絕緣層，由此形成了收納電子部件的腔室。
[0003]專利文獻1:日本特開2012-191204號公報
[0004]在利用專利文獻I的制造方法制造的印刷布線板中，可知存在這樣的問題:形成了收納電子部件的腔室后的樹脂絕緣層上的布線圖案的可靠性低?？梢酝茰y其原因在于，在利用激光切取樹脂絕緣層之后進行用于去除激光殘渣的去鉆污(desmear)處理時，形成了腔室后的樹脂絕緣層的表面被挖到，在該樹脂絕緣層和導體圖案之間產(chǎn)生間隙，從而該導體圖案的可靠性下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明正是為了解決上述的課題而完成的，其目的在于，提供一種可靠性高的電子部件內(nèi)置基板和該電子部件內(nèi)置基板的制造方法。此外，提供一種能夠在內(nèi)置的電子部件上形成密間距的焊盤的電子部件內(nèi)置基板和該電子部件內(nèi)置基板的制造方法。
[0006]本發(fā)明申請的電子部件內(nèi)置基板的制造方法包含如下步驟:在第I樹脂絕緣層上形成包括第I導體焊盤和電子部件配置用的支承導體布線層的第I導體布線層；在所述第I樹脂絕緣層和所述第I導體布線層上層疊第2樹脂絕緣層；形成貫通所述第2樹脂絕緣層并到達所述第I導體焊盤的第I過孔導體，并且，在所述第2樹脂絕緣層上形成包括與該第I過孔導體連接的第2導體焊盤的第2導體布線層；在所述第2樹脂絕緣層和所述第2導體布線層上層疊第3樹脂絕緣層；利用激光形成貫通所述第3樹脂絕緣層和所述第2樹脂絕緣層并使所述支承導體布線層的一部分露出的腔室；對所述腔室實施去鉆污處理；在所述支承導體布線層上配置電子部件；在所述第3樹脂絕緣層和所述電子部件上層疊第4樹脂絕緣層；形成貫通所述第3樹脂絕緣層和第4樹脂絕緣層并到達所述第2導體焊盤的第2過孔用開口、和貫通所述第4樹脂絕緣層并到達所述電子部件的焊盤的第3過孔用開口 ；以及通過鍍覆，在所述第2過孔用開口中形成第2過孔導體，在所述第3過孔用開口中形成第3過孔導體，并且，在所述第4樹脂絕緣層上形成與所述第2過孔導體連接的第3導體焊盤和與所述第3過孔導體連接的第4導體焊盤。
[0007]本發(fā)明申請的電子部件內(nèi)置基板內(nèi)置有電子部件，所述電子部件內(nèi)置基板具有:第I樹脂絕緣層；第I導體布線層，其形成在該第I樹脂絕緣層上并包括第I導體焊盤；第2樹脂絕緣層，其層疊在所述第I樹脂絕緣層、所述第I導體布線層上；第2導體布線層，其形成在所述第2樹脂絕緣層上并包括第2導體焊盤；第I過孔導體，其貫通所述第2樹脂絕緣層并將第I導體焊盤和所述第2導體焊盤連接起來；第3樹脂絕緣層，其層疊在所述第2樹脂絕緣層、所述第2導體布線層上；腔室，其貫通所述第2樹脂絕緣層和第3樹脂絕緣層，用于內(nèi)置所形成的電子部件；電子部件，其被內(nèi)置于所述腔室并具有端子；第4樹脂絕緣層，其層疊在所述第3樹脂絕緣層和所述電子部件上；第3導體布線層，其形成在所述第4樹脂絕緣層上并包括第3導體焊盤和第4導體焊盤；第2過孔導體，其將所述第2導體焊盤和所述第3導體焊盤連接起來；以及第3過孔導體，其將所述電子部件的端子和所述第4導體焊盤連接起來。并且，所述第2過孔導體貫通第3樹脂絕緣層和第4樹脂絕緣層，并且所述第2過孔導體是利用填充鍍覆進行填充而成的，所述第3過孔導體貫通第4樹脂絕緣層，并且所述第3過孔導體是利用填充鍍覆進行填充而成的。
[0008]在利用本發(fā)明申請的制造方法而得的電子部件內(nèi)置基板中，在第2樹脂絕緣層和第2導體布線層上層疊第3樹脂絕緣層，利用激光形成貫通第3樹脂絕緣層和第2樹脂絕緣層而使支承導體布線層的一部分露出的腔室，并對腔室實施去鉆污處理。即，在第2樹脂絕緣層上的第2導體布線層上覆蓋有第3樹脂絕緣層的狀態(tài)下進行去鉆污處理，因此，在第2樹脂絕緣層和第2導體布線層之間不會產(chǎn)生間隙，該第2導體布線層的可靠性不會下降。而且，形成貫通第3樹脂絕緣層和第4樹脂絕緣層并到達第2導體布線層的第2過孔用開口、以及貫通第4樹脂絕緣層并到達電子部件的焊盤的第3過孔用開口，在第2過孔用開口中形成第2過孔導體，在第3過孔用開口中形成第3過孔導體。即，與電子部件的焊盤連接的第3過孔導體僅貫通第4樹脂絕緣層，被貫通的樹脂絕緣層較薄，因此，能夠在內(nèi)置的電子部件上形成密間距的焊盤(第4導體焊盤)。
[0009]本發(fā)明申請的電子部件內(nèi)置基板具備:貫通第4樹脂絕緣層、第3樹脂絕緣層并到達第2導體布線層的第2過孔導體；以及貫通第4樹脂絕緣層并到達電子部件的焊盤的第3過孔導體。即，與電子部件的焊盤連接的第3過孔導體僅貫通第4樹脂絕緣層，被貫通的樹脂絕緣層較薄，因此，能夠在內(nèi)置的電子部件上形成密間距的焊盤(第4導體焊盤)。
【附圖說明】
[0010]圖1的(A)是本發(fā)明的第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的剖視圖，圖1的(B)是圖1的(A)的局部放大圖。
[0011]圖2是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的制造方法的工序圖。
[0012]圖3是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的制造方法的工序圖。
[0013]圖4是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的制造方法的工序圖。
[0014]圖5是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的制造方法的工序圖。
[0015]圖6是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的制造方法的工序圖。
[0016]圖7是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的制造方法的工序圖。
[0017]圖8是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的制造方法的工序圖。
[0018]圖9的(A)是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的應用例的剖視圖，圖9的(B)是電子部件內(nèi)置基板的俯視圖。
[0019]圖10是示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的應用例的剖視圖。
[0020]圖11的(A)是第2實施方式的電子部件內(nèi)置基板的剖視圖，圖11的⑶是圖11的㈧的局部放大圖，圖11的(C)是第2實施方式的變形例的電子部件內(nèi)置基板的剖視圖。
[0021]標號說明
[0022]10:電子部件內(nèi)置基板；30:核心基板；36:通孔導體；50F:樹脂絕緣層；58F:導體布線層；60F:過孔導體；90:電子部件；450F:第I樹脂絕緣層；458Ff:支承導體布線層；550F:第2樹脂絕緣層；558F:第2導體布線層；650F:最外層的樹脂絕緣層；650Fa:第3樹脂絕緣層；659Fb:第4樹脂絕緣層；660F ??第2過孔導體；660Ff:第3過孔導體。
【具體實施方式】
[0023][第I實施方式]
[0024]圖1的(A)示出第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板的剖面。第I實施方式的電子部件內(nèi)置基板10具有核心基板30。該核心基板30具有:具備第I面F和與該第I面相反側(cè)的第2面S的絕緣基板20 ;在絕緣基板20的第I面F上形成的第I面?zhèn)葘w布線層34F ；以及在絕緣基板20的第2面上形成的第2面?zhèn)葘w布線層34S。核心基板30還具有連接第I面?zhèn)葘w布線層34F和第2面?zhèn)葘w布線層34S的通孔導體36。通孔導體36形成于貫通核心基板30的貫通孔28的內(nèi)壁，在通孔導體36內(nèi)填充有填充樹脂21。圖1的(A)所示的核心基板30例如通過US7786390中公開的方法來制造。核心基板30的第I面?zhèn)葘w布線層34F、第2面?zhèn)葘w布線層34S包括通孔連接盤(through hole land),該通孔連接盤形成在未圖示的多個導體電路和通孔導體36的周圍。電子部件內(nèi)置基板以及絕緣基板20的第I面與核心基板30的第I面是相同的面，電子部件內(nèi)置基板以及絕緣基板20的第2面與核心基板30的第2面是相同的面。在該例中，通孔導體為圓筒形狀，但貫通孔的形狀和通孔導體的形狀也可以是，在核心基板30的第I面F和第2面S各自的表面具有開口且各自的開口部朝向中心逐漸變細、并在中心部相連接的沙漏形狀。
[0025]在核心基板30的第I面F上形成有上側(cè)的積層55F。在積層55F中，在核心基板上和第I面?zhèn)葘w布線層34F上形成有樹脂絕緣層50F。在該樹脂絕緣層50F上形成有導體布線層58F。導體布線層58F和第I面?zhèn)葘w布線層34F通過貫通樹脂絕緣層50F的過孔導體60F相連接。在樹脂絕緣層50F上形成有樹脂絕緣層150F。在該樹脂絕緣層150F上形成有導體布線層158F。導體布線層158F和導體布線層58F通過貫通樹脂絕緣層150F的過孔導體160F相連接。在樹脂絕緣層150F上形成有樹脂絕緣層250F。在該樹脂絕緣層250F上形成有導體布線層258F。導體布線層258F和導體布線層158F通過貫通樹脂絕緣層250F的過孔導體260F相連接。同樣地，進一步形成有4層的樹脂絕緣層350F、第I樹脂絕緣層450F、第2樹脂絕緣層550F、最外層的樹脂絕緣層650F，并且形成有導體布線層358F、第I導體布線層458F、第2導體布線層558F、第3導體布線層658F和過孔導體360F、過孔導體460F、第I過孔導體560F、第2過孔導體660F，上側(cè)的積層55F由7層的積層構(gòu)成。
[0026]在核心基板30的第2面S上形成有下側(cè)的積層55S。在積層55S中，在核心基板上和第