屏蔽膜及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種屏蔽膜結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤指一種增加屏蔽膜的接地性能進(jìn)而 增進(jìn)電磁屏蔽效益的屏蔽膜結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)今產(chǎn)業(yè)為因應(yīng)目前電子及通訊產(chǎn)品的發(fā)展需求，故于產(chǎn)品構(gòu)裝上要求輕、薄、 短、小，并在功能上要求高效能性。
[0003] 然而，為了達(dá)到上述目的，往往使得電子產(chǎn)品線路密集化及頻率高頻化，使得電磁 福射問題日趨嚴(yán)重，并會造成設(shè)備間的干擾，甚至影響人體的健康。
[0004]W往為了解決電磁福射的問題惟需憑借電路的特殊設(shè)計及規(guī)劃，但此方法需要較 長的時間及較高的成本支出。于是近年來，發(fā)展出利用屏蔽膜屏蔽電磁波的方法，由于屏蔽 膜具有無需重新設(shè)計、使用方便及低成本的優(yōu)勢特點，使得屏蔽膜近年來被廣泛使用于業(yè) 界當(dāng)中。
[0005] 屏蔽膜主要原理為利用導(dǎo)電性良好的屏蔽層貼覆于電子工作組件的上下表面，并 進(jìn)一步導(dǎo)通電路接地線。當(dāng)電磁福射進(jìn)入于屏蔽層時，因電磁福射與屏蔽層產(chǎn)生電磁交互 作用，并經(jīng)由接地電路吸收電磁能量，使得屏蔽層達(dá)到屏蔽電磁福射的效果。
[0006]由于屏蔽層與電子工作組件間的接地電路導(dǎo)通性將會直接影響屏蔽膜的電磁屏 蔽效能，故當(dāng)接地接觸電阻越小，電磁交互作用越強(qiáng)時，可獲得越佳的屏蔽效能。
[0007] 如圖1、圖IA所示一種現(xiàn)有屏蔽膜1掲示的結(jié)構(gòu)，主要由一絕緣層11、屏蔽層12 W及導(dǎo)電黏膠層13所組成。絕緣層11為阻隔導(dǎo)電的屏蔽層12與電子組件接觸，導(dǎo)電黏膠 層13中由黏膠劑添加導(dǎo)電粒子13a組成，憑借上述導(dǎo)電粒子13a導(dǎo)通電子組件的接地線路 及屏蔽層12,W及通過導(dǎo)電黏膠層13的熱硬化制程，使得上述屏蔽膜1可固設(shè)于電子組件 的上方，達(dá)到屏蔽電磁波的目的。
[000引然而，如圖1所示上述屏蔽膜1現(xiàn)有結(jié)構(gòu)由于在導(dǎo)電黏膠層13中添加導(dǎo)電粒子 13a，此結(jié)構(gòu)雖可達(dá)到黏著與導(dǎo)電的功用，但導(dǎo)電粒子13a間的接觸電阻大，易造成導(dǎo)電性 不佳而間接影響屏蔽效果，且導(dǎo)電粒子13a尺寸的均一性、分散度W及沉降現(xiàn)象均會影響 屏蔽膜1的導(dǎo)電度及黏著度，因而降低屏蔽膜1的屏蔽效果。
[0009]有鑒于現(xiàn)有屏蔽膜具有其缺失，實有必要提供一種憑借簡易、低成本制程卻可快 速生產(chǎn)具有優(yōu)良屏蔽電磁波功能的屏蔽膜結(jié)構(gòu)及其制造方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明的主要目的在于將導(dǎo)電屏蔽層的復(fù)數(shù)個金屬接地電極之間的大范圍區(qū)域 進(jìn)行填充一填充膠黏層于其中，W避免現(xiàn)有技術(shù)添加導(dǎo)電粒子于導(dǎo)電膠黏層中使得導(dǎo)電粒 子間的高接觸電阻降低導(dǎo)通效果，故本發(fā)明屏蔽膜具有較良好接地效果。
[0011] 本發(fā)明的次要目的為憑借本發(fā)明屏蔽膜結(jié)構(gòu)無需添加導(dǎo)電粒子于粘膠層中，故不 會造成粘著膠的粘性降低，影響粘著強(qiáng)度，據(jù)此，本發(fā)明屏蔽膜具有較強(qiáng)粘著強(qiáng)度。
[0012] 本發(fā)明的又一目的在于提供一種屏蔽膜的制造方法，可生產(chǎn)出高電導(dǎo)通性、優(yōu)良 黏著強(qiáng)度W及良好屏蔽效能的屏蔽膜，且此制造方法也具有制程簡單的特點，可達(dá)到降低 成本的目的，進(jìn)而大幅提升產(chǎn)業(yè)應(yīng)用性的特點。
[0013] 為實現(xiàn)前述目的，本發(fā)明一種屏蔽膜，包含：
[0014] 一絕緣層；至少一導(dǎo)電屏蔽層，布設(shè)于上述絕緣層表面，且一部分區(qū)域外凸形成復(fù) 數(shù)個金屬接地電極，并由上述金屬接地電極共構(gòu)一散布圖案，而復(fù)數(shù)個金屬接地電極之間 的大范圍區(qū)域?qū)⑿纬梢惶畛淇臻g；一膠黏層，容設(shè)于上述填充空間中。
[0015] 上述絕緣層可由一第一絕緣材單獨構(gòu)成或于由一第一絕緣材與一接著材共同構(gòu) 成絕緣層。
[0016] 在第一實施例中，上述導(dǎo)電屏蔽層設(shè)有至少一與上述絕緣層連接的金屬屏蔽材， 并在上述金屬屏蔽材表面設(shè)有復(fù)數(shù)個金屬接地電極。
[0017] 在第二實施例中，上述導(dǎo)電屏蔽層設(shè)有至少一與上述絕緣層連接的金屬屏蔽材， 且上述金屬屏蔽材外凸形成復(fù)數(shù)個金屬接地電極。
[0018] 在第H實施例中，上述絕緣層具有復(fù)數(shù)個第一隆起部，而上述導(dǎo)電屏蔽層設(shè)有至 少一與上述絕緣層連接的金屬屏蔽材，上述金屬屏蔽材對應(yīng)每一第一隆起部分別形成一金 屬接地電極。
[0019] 在一可行實施例中，上述導(dǎo)電屏蔽層另設(shè)有至少一耐候?qū)印?br>[0020] 在一較佳實施例中，上述導(dǎo)電屏蔽層設(shè)有至少一第二絕緣材，上述第二絕緣材的 上、下表面分別連接于一金屬屏蔽材的表面上。
[0021]上述接著材的材料選自于媒（Ni)、錫（Sn)、鋒狂n)、銀（Ag)、銅（Cu)、鉛（Al)、鐵 (Ti)、館（Cr)、鋼（Mo)、鶴（W)、鐵（Fe)、饑（V)、鉆（Co)、銀（Nb)、高分子材料的其中至少一 種材料或為上述材料的氧化物所構(gòu)成。
[0022] 上述金屬屏蔽材的的厚度介設(shè)于0. 1至15微米，上述金屬屏蔽材的材料選自于銅 似1)、銀（Ag)、鉛（Al)、媒（化）、鋒（Zn)、錫（Sn)、鐵（Fe)、碳似、石墨（Graphite)、石墨帰 (Graphene)、導(dǎo)電高分子材料的其中至少一種材料所構(gòu)成。
[0023] 上述金屬接地電極的高度介于3至30微米，上述金屬接地電極的材料選自于 銅（Cu)、銀（Ag)、鉛（Al)、媒（Ni)、鋒（Zn)、鐵（Fe)、碳似、石墨（Graphite)、石墨帰 (Graphene)的其中至少一種材料所構(gòu)成。
[0024]在第四實施例中，一種屏蔽膜，包含：一絕緣層，上述絕緣層中具有絕緣導(dǎo)熱材料 粒子；一導(dǎo)電屏蔽層，布設(shè)于上述絕緣層表面，且一部分區(qū)域外凸形成復(fù)數(shù)個金屬接地電 極，并由上述金屬接地電極共構(gòu)一散布圖案，而復(fù)數(shù)個金屬接地電極之間的大范圍區(qū)域?qū)?形成一填充空間；一膠黏層，容設(shè)于上述填充空間中，上述膠黏層中設(shè)置有金屬粒子。
[00巧]在第五實施例中，一種屏蔽膜，包含；一導(dǎo)電屏蔽層，上述導(dǎo)電屏蔽層的一部分區(qū) 域外凸形成復(fù)數(shù)個金屬接地電極，并由上述金屬接地電極共構(gòu)一散布圖案，而復(fù)數(shù)個金屬 接地電極之間的大范圍區(qū)域?qū)⑿纬梢惶畛淇臻g；一膠黏層，容設(shè)于上述填充空間中。
[0026] 在第一實施例的一種屏蔽膜的制造方法中，包含W下步驟=(A)將一基材與一導(dǎo) 電屏蔽層連接，并由上述基材與導(dǎo)電屏蔽層共同形成復(fù)數(shù)個凹穴；度）在上述導(dǎo)電屏蔽層 表面形成一絕緣層，并由上述絕緣層填充上述凹穴；(C)在上述絕緣層表面形成一載體膜； 值）將上述導(dǎo)電屏蔽層表面的基材去除，上述導(dǎo)電屏蔽層表面凸起形成復(fù)數(shù)個金屬接地電 極；巧）在上述導(dǎo)電屏蔽層表面設(shè)置一膠黏層，并使上述金屬接地電極外露形成一散布圖 案。
[0027] 在第一方法實施例中，其步驟（A)包含；將上述基材壓鑄形成復(fù)數(shù)個凹穴；W及于 上述基材表面及凹穴形成上述導(dǎo)電屏蔽層。
[0028] 在第二方法實施例中，其步驟（A)包含；于上述基材表面形成上述導(dǎo)電屏蔽層；W 及將上述基材與導(dǎo)電屏蔽層共同壓鑄形成復(fù)數(shù)個凹穴。
[0029] 在第H方法實施例中，其步驟（A)包含；壓鑄一母版模形成上述凹穴；并于上述母 版模表面形成一導(dǎo)電材；對上述導(dǎo)電材進(jìn)行純化的表面處理；W及于上述導(dǎo)電材表面形成 上述導(dǎo)電屏蔽層。
[0030] 在第四方法實施例中，一種屏蔽膜的制造方法，包含W下步驟：(A)提供一絕緣 層；度）在上述絕緣層表面形成一導(dǎo)電屏蔽層；（C)對上述絕緣層與導(dǎo)電屏蔽層同時壓鑄形 成一凸起的金屬接地電極；值）在上述導(dǎo)電屏蔽層表面設(shè)置一膠黏層，并使上述金屬接地 電極外露形成一散布圖案。
[0031] 一種屏蔽膜的制造方法，包含W下步驟：
[0032] (A)提供一絕緣層，上述絕緣層層表面形成復(fù)數(shù)個凸起；度）在上述絕緣層上形成 一導(dǎo)電屏蔽層，上述導(dǎo)電屏蔽層對應(yīng)上述凸起形成金屬接地電極；（C)在上述導(dǎo)電屏蔽層 表面設(shè)置一膠黏層，并使上述金屬接地電極外露形成一散布圖案。
[0033] 在第五方法實施例中，其步驟（A)提供一第一絕緣材；度）為涂布一高分子材料于 上述第一絕緣材上并進(jìn)行預(yù)固化；（C)在上述高分子材料表面上形成復(fù)數(shù)個凸起；值）使上 述高分子材料固化定型。
[0034]在第六方法實施例中，其步驟（A)提供一第一絕緣材；度）使一高分子材料形成復(fù) 數(shù)個凸起于上述第一絕緣材上；（C)使上述高分子材料固化定型。
[0035] 在第走實施例中，一種屏蔽膜的制造方法，包含W下步驟：
[0036](A)形成一導(dǎo)電屏蔽層，上述導(dǎo)電屏蔽層表面形成復(fù)數(shù)個凸起，上述凸起形成一金 屬接地電極；度）在上述導(dǎo)電屏蔽層表面形成一絕緣層；(C)在上述導(dǎo)電屏蔽層相對于絕緣 層一側(cè)的另一表面上方設(shè)置一膠黏層，并使上述金屬接地電極外露形成一散布圖案。
[0037] 本發(fā)明的特點在于為憑借導(dǎo)電屏蔽層及其金屬接地電極，并在上述復(fù)數(shù)個金屬接 地電極之間的大范圍區(qū)域填充一膠粘層于其中，利用上掲結(jié)構(gòu)可提高導(dǎo)通性質(zhì)而獲得優(yōu)良 的電磁屏蔽效果，且由于無須添加導(dǎo)電粒子于膠粘層當(dāng)中也俾利于增加粘著強(qiáng)度，又憑借 本發(fā)明的屏蔽膜的制造方法可達(dá)到制程簡單、降低成本、增加產(chǎn)業(yè)應(yīng)用性的目的。
【附圖說明】
[0038] 圖1、圖IA為現(xiàn)有屏蔽膜的結(jié)構(gòu)示意圖及其局部放大圖；
[0039] 圖2A-圖沈為本發(fā)明屏蔽膜結(jié)構(gòu)第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040] 圖3A-圖3E為本發(fā)明屏蔽膜結(jié)構(gòu)第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041] 圖4A-圖4E為本發(fā)明屏蔽膜結(jié)構(gòu)第H實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖5A-圖5C為本發(fā)明屏蔽膜結(jié)構(gòu)第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043] 圖6A-圖6C為本發(fā)明屏蔽膜結(jié)構(gòu)第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044] 圖7A-圖7C為本發(fā)明導(dǎo)電屏蔽層不同樣態(tài)的側(cè)視圖；
[004引圖8A-圖8D為本發(fā)明導(dǎo)電屏蔽層不同樣態(tài)的上視圖；
[0046] 圖9為本發(fā)明屏蔽膜制造方法第一實施例的流程圖；
[0047] 圖10-圖11為本