半集總微波帶通濾波電路及濾波器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及濾波技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半集總微波帶通濾波電路及濾波器。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，國(guó)內(nèi)外開展了一些列關(guān)于濾波電路的研究，通過對(duì)傳統(tǒng)濾波電路的不斷改進(jìn)和變換，在濾波器的性能和實(shí)現(xiàn)形式方面取得很多研究成果。廣泛應(yīng)用于功率放大器前端和雷達(dá)天線饋電部分，為解決系統(tǒng)帶外噪聲提供了有效解決方案。
[0003]隨著工作頻率不斷提高，通過低通原型濾波器綜合變換出來的帶通濾波器，電容電感值不斷變小，分布參數(shù)影響逐漸明顯。傳統(tǒng)的濾波電路和實(shí)現(xiàn)形式在高頻/射頻波段受到了很大的限制。本實(shí)用新型針對(duì)以上問題，采用在帶通濾波器端口匹配高低通包絡(luò)，將電容電感值變換到合理的范圍，利用半集總元器件降低分布參數(shù)對(duì)電路的影響，成功將LC濾波器的應(yīng)用頻率延伸微波頻段。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能夠?qū)C濾波器的工作頻率延伸至微波頻段的半集總微波帶通濾波電路及濾波器。
[0005]考慮到現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，根據(jù)本實(shí)用新型公開的一個(gè)方面，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0006]—種半集總微波帶通濾波電路，它包括第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第i^一電容Cll、第一電感L1、第二電感L2、第四電感L4、第五電感L5、第六電感L6、第七電感L7、第九電感L9，所述第一電容Cl的一端與輸入端連接，所述第一電容Cl的另一端接地，所述第一電感LI的一端與輸入端連接，所述第一電感LI的另一端與所述第二電容C2、第三電容C3連接，所述第二電容C2接地，所述第三電容C3再與所述第二電感L2—端連接，所述第二電感L2另一端接地，所述第四電容C4與所述第二電感L2并聯(lián)，所述第五電容C5和第四電感L4并聯(lián)后設(shè)置在所述第二電感L2—端與所述第五電感L5—端之間，所述第五電感L5另一端接地，所述第六電容C6與所述第五電感L5并聯(lián)，所述第六電感L6與所述第七電容C7并聯(lián)后設(shè)置在所述第五電感L5—端與所述第七電感L7—端之間，所述第七電感L7另一端接地，所述第八電容C8與所述第七電感L7并聯(lián)，所述第九電容C9 一端與所述第七電感L7—端連接，所述第九電容C9另一端與所述第九電感L9 一端連接，所述第九電感L9另一端與輸出端連接，所述第十電容ClO—端與所述第九電感L9 一端連接，所述第十電容ClO另一端接地，所述第十一電容Cll 一端與所述第九電感L9另一端連接，所述第十一電容Cll另一端接地。
[0007]為了更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，進(jìn)一步的技術(shù)方案是:
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方案，所述第二電感L2上并聯(lián)一個(gè)第三電感L3。
[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案，所述第七電感L7上并聯(lián)一個(gè)第八電感L8。
[0010]本實(shí)用新型還可以是:
[0011 ] —種半集總微波帶通濾波器，它包括外殼，所述外殼上設(shè)置第一介質(zhì)基板、第二介質(zhì)基板、第三介質(zhì)基板、第四介質(zhì)基板、第五介質(zhì)基板、第六介質(zhì)基板、第七介質(zhì)基板;所述第一介質(zhì)基板與輸入引線連接，所述第一介質(zhì)基板上連接第一多層瓷介片式電容，所述第一多層瓷介片式電容并與所述外殼連接;所述第二介質(zhì)基板上連接第二多層瓷介片式電容，所述第二多層瓷介片式電容并與所述外殼連接，所述第一介質(zhì)基板與所述第二介質(zhì)基板通過第一空心電感連接，所述第二介質(zhì)基板上設(shè)置第三多層瓷介片式電容，所述第三多層瓷介片式電容通過導(dǎo)線與所述第三介質(zhì)基板連接，所述第三介質(zhì)基板分別通過第四多層瓷介片式電容和第二空心電感與第四介質(zhì)基板連接，所述第四多層瓷介片式電容和第二空心電感并聯(lián)，所述第三介質(zhì)基板還通過第三空心電感與外殼連接;所述第四介質(zhì)基板通過第五多層瓷介片式電容和第四空心電感與所述第五介質(zhì)基板連接，所述第四介質(zhì)基板還通過第五空心電感與外殼連接;所述第五介質(zhì)基板通過第六空心電感與所述外殼連接，以及所述第五介質(zhì)基板通過導(dǎo)線與設(shè)置于第六介質(zhì)基板上的第六多層瓷介片式電容連接;所述第六介質(zhì)基板還通過第七多層瓷介片式電容與外殼連接，所述第六介質(zhì)基板與第七介質(zhì)基板之間設(shè)置第七空心電感，所述第七介質(zhì)基板通過第八多層瓷介片式電容與所述外殼連接，所述第七介質(zhì)基板與輸出引線連接。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案，所述外殼采用鍍金可伐合金。
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案，所述輸入引線和輸出引線分別與所述外殼采用玻封絕緣子固定，且所述輸入引線和輸出引線分別與所述外殼之間絕緣。
[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案，所述第一介質(zhì)基板、第二介質(zhì)基板、第三介質(zhì)基板、第四介質(zhì)基板、第五介質(zhì)基板、第六介質(zhì)基板、第七介質(zhì)基板分別通過錫焊固定于外殼上，其背面與所述外殼完全接觸。
[0015]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案，所述第一空心電感、或第二空心電感、或第三空心電感、或第四空心電感、或第五空心電感、或第六空心電感或第七空心電感采用0.35mm漆包線且兩端引腳去漆長(zhǎng)度不超過1.5mm并浸錫。
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案，所述第一多層瓷介片式電容、第二多層瓷介片式電容、第三多層瓷介片式電容、第四多層瓷介片式電容、第五多層瓷介片式電容、第六多層瓷介片式電容、第七多層瓷介片式電容和第八多層瓷介片式電容均采用0805封裝。
[0017]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案，所述第一空心電感、或第二空心電感、或第三空心電感、或第四空心電感、或第五空心電感、或第六空心電感、或第七空心電感采用室溫固化的硫化硅膠固定。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果之一是:
[0019]本實(shí)用新型的一種半集總微波帶通濾波電路及濾波器，能夠?qū)C濾波器的工作頻率延伸至微波頻段，且具有低插損、高矩形度和高阻帶抑制的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚的說明本申請(qǐng)文件實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)的描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是對(duì)本申請(qǐng)文件中一些實(shí)施例的參考，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下，還可以根據(jù)這些附圖得到其它的附圖。
[0021 ]圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半集總微波帶通濾波電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半集總微波帶通濾波器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)繪制的示意圖。
[0024]其中，附圖中的附圖標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的名稱為:
[0025]I 一第一介質(zhì)基板，2—第二介質(zhì)基板，3—第三介質(zhì)基板，4 一第四介質(zhì)基板，5—第五介質(zhì)基板，6—第六介質(zhì)基板，7—第七介質(zhì)基板，8—第一多層瓷介片式電容，9一第二多層瓷介片式電容，10 —外殼，11 一第三多層瓷介片式電容，12—第四多層瓷介片式電容，13—第一空心電感，14 一第三空心電感，15—第五多層瓷介片式電容，16—第四空心電感，17—第五空心電感，18—第六多層瓷介片式電容，19 一第六空心電感，20—第七空心電感，21—第八多層瓷介片式電容，22—第二空心電感，23—第七多層瓷介片式電容。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0027]如圖1所示，圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半集總微波帶通濾波電路結(jié)構(gòu)示意圖，一種半集總微波帶通濾波電路，該電路由橢圓函數(shù)濾波電路(虛線內(nèi)部分)和高低通匹配包絡(luò)組成(虛線外部分)，具體包括第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第十一電容C11、第一電感L1、第二電感L2、第四電感L4、第五電感L5、第六電感L6、第七電感L7、第九電感L9，所述第一電容Cl的一端與輸入端連接，所述第一電容Cl的另一端接地，所述第一電感LI的一端與輸入端連接，所述第一電感LI的另一端與所述第二電容C2、第三電容C3連接，所述第二電容C2接地，所述第三電容C3再與所述第二電感L2—端連接，所述第二電感L2另一端接地，所述第四電容C4與所述第二電感L2并聯(lián)，所述第五電容C5和第四電感L4并聯(lián)后設(shè)置在所述第二電感L2—端與所述第五電感L5—端之間，所述第五電感L5另一端接地，所述第六電容C6與所述第五電感L5并聯(lián)，所述第六電感L6與所述第七電容C7并聯(lián)后設(shè)置在所述第五電感L5—端與所述第七電感L7—端之間，所述第七電感L7另一端接地，所述第八電容C8與所述第七電感L7并聯(lián)，所述第九電容C9 一端與所述第七電感L7—端連接，所述第九電容C9另一端與所述第九電感L9 一端連接，所述第九電感L9另一端與輸出端連接，所述第十電容ClO—端與所述第九電感L9 一端連接，所述第十電容ClO另一端接地，所述第十一電容Cll 一端與所述第九電感L9另一端連接，所述第十一電容Cll另一端接地。
[0028]進(jìn)一步地，所述第二電感L2上還可并聯(lián)一個(gè)第三電感L3;所述第七電感L7上還可并聯(lián)一個(gè)第八電感L8。
[0029]如圖2所示，圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半集總微波帶通濾波器結(jié)構(gòu)示意圖，一種半集總微波帶通濾波器，它包括外殼10，所述外殼10上設(shè)置第一介質(zhì)基板1、第二介質(zhì)基板2、第三介質(zhì)基板3、第四介質(zhì)基板4、第五介質(zhì)基板5、第六介質(zhì)基板6、第七介質(zhì)基板7;所述第一介質(zhì)基板I與輸入引線連接，所述第一介質(zhì)基板I上連接第一多層瓷介片式電容8，所述第一多層瓷介片式電容8并與所述外殼10連接;所述第二介質(zhì)基板2上連接第二多層瓷介片式電容9，所述第二多層瓷介片式電容9并與所述外殼10連接，所述第一介質(zhì)基板I與所述第二介質(zhì)基板2通過第一空心電感13連接，所述第二介質(zhì)基板2上設(shè)置第三多層瓷介片式電容11，所述第三多層瓷介片式電容11通過導(dǎo)線與所述第三介質(zhì)基板3連接，所述第三介質(zhì)基板3分別通過第四多層瓷介片式電容12和第二空心電感22與第四介質(zhì)基板4連接，所述第四多層瓷介片式電容12和第二空心電感22并聯(lián)，所述第三介質(zhì)基板3還通過第三空心電感14與外殼10連接;所述第四介質(zhì)基板4通過第五多層瓷介片式電容15和第四空心電感16與所述第五介質(zhì)基板5連接，所述第四介質(zhì)基板4還通過第五空心電感17與外殼10連接;所述第五介質(zhì)基板5通過第六空心電感19與所述外殼10連接，以及所述第五介質(zhì)基板5通過導(dǎo)線與設(shè)置于第六介質(zhì)基板6上的第六多層瓷介片式電容18連接;所述第六介質(zhì)基板6