本發(fā)明涉及無(wú)線通信和智能建造，特別是指一種室內(nèi)基站與建筑設(shè)施融合部署的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、室內(nèi)基站通常放在墻體、天花板等建筑物的邊緣位置，導(dǎo)致發(fā)射信號(hào)會(huì)與周?chē)ㄖ牧袭a(chǎn)生不可忽略的電磁耦合作用，而建筑材料的自身電磁和幾何特性都會(huì)影響室內(nèi)的電磁波傳播。換句話說(shuō)，建筑材料自身的固有性質(zhì)影響著室內(nèi)無(wú)線性能的高低。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用具有平面分層結(jié)構(gòu)的多層建筑材料模型，這樣，由于介質(zhì)界面平行，入射角和出射角始終相同，那么，當(dāng)入射角不為0時(shí)，出射角也不為0，射出信號(hào)到達(dá)房間內(nèi)的墻壁后會(huì)經(jīng)歷反射、散射等現(xiàn)象，造成多徑效應(yīng)，進(jìn)而發(fā)生信道深衰落現(xiàn)象，導(dǎo)致房間內(nèi)通信質(zhì)量不佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種室內(nèi)基站與建筑設(shè)施融合部署的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中因建筑材料導(dǎo)致室內(nèi)通信質(zhì)量不佳的問(wèn)題。

2、為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種室內(nèi)基站與建筑設(shè)施融合部署的方法，包括：

3、獲取目標(biāo)環(huán)境模型，所述目標(biāo)環(huán)境模型用于模擬待布設(shè)基站的室內(nèi)環(huán)境，所述目標(biāo)環(huán)境模型對(duì)應(yīng)的第一墻體包括呈拋物面形狀的凹面鏡結(jié)構(gòu)，所述目標(biāo)環(huán)境模型對(duì)應(yīng)的第一基站布設(shè)在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)處；

4、根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值；

5、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述第一基站的天線方向圖增益；

6、在驗(yàn)證所述第一基站的天線方向圖增益能夠?qū)崿F(xiàn)的情況下，根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述室內(nèi)環(huán)境內(nèi)墻體與基站的融合部署方案，所述融合部署方案包括所述室內(nèi)環(huán)境中的至少一個(gè)所述墻體采用所述第一墻體的結(jié)構(gòu)。

7、可選地，所述根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，包括：

8、將所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)初始化為目標(biāo)參數(shù)值；

9、根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式；

10、在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，將所述目標(biāo)參數(shù)值確定為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值。

11、可選地，所述方法還包括：

12、在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)不滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，調(diào)整所述目標(biāo)參數(shù)值；

13、根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和調(diào)整后的所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式；

14、在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，將調(diào)整后的所述目標(biāo)參數(shù)值確定為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值。

15、可選地，所述根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式，包括：

16、根據(jù)所述目標(biāo)參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦距和頂點(diǎn)的坐標(biāo)；

17、根據(jù)所述第一墻體的厚度和所述頂點(diǎn)的坐標(biāo)，確定所述頂點(diǎn)與第一平面之間的垂直距離，所述第一平面為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的開(kāi)口邊緣所在的平面；

18、在所述垂直距離與所述焦距的大小關(guān)系滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件時(shí)，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式。

19、可選地，所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件包括以下至少一項(xiàng)：

20、在所述基站布設(shè)方式為墻體外部布設(shè)的情況下，所述垂直距離小于所述焦距；

21、在所述基站布設(shè)方式為墻體表面布設(shè)的情況下，所述垂直距離等于所述焦距；

22、在所述基站布設(shè)方式為墻體內(nèi)部布設(shè)的情況下，所述垂直距離大于所述焦距。

23、可選地，所述根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述第一基站的天線方向圖增益，包括：

24、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)和電磁參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗和路徑損耗，所述目標(biāo)位置為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上的任意一點(diǎn)；

25、根據(jù)所述反射損耗和所述路徑損耗，確定所述第一基站的天線方向圖增益。

26、可選地，所述電磁參數(shù)包括相對(duì)介電常數(shù)，根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)和電磁參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗，包括：

27、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)與所述目標(biāo)位置的連線與所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的對(duì)稱軸之間形成的夾角；

28、根據(jù)所述夾角，確定所述第一基站發(fā)射的電磁波入射到所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的入射角；

29、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的相對(duì)介電常數(shù)、所述入射角和入射電磁波極化方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗。

30、為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種室內(nèi)基站與建筑設(shè)施融合部署裝置，包括：

31、第一獲取模塊，用于獲取目標(biāo)環(huán)境模型，所述目標(biāo)環(huán)境模型用于模擬待布設(shè)基站的室內(nèi)環(huán)境，所述目標(biāo)環(huán)境模型對(duì)應(yīng)的第一墻體包括呈拋物面形狀的凹面鏡結(jié)構(gòu)，所述目標(biāo)環(huán)境模型對(duì)應(yīng)的第一基站布設(shè)在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)處；

32、第一處理模塊，用于根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值；

33、第二處理模塊，用于根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述第一基站的天線方向圖增益；

34、第三處理模塊，用于在驗(yàn)證所述第一基站的天線方向圖增益能夠?qū)崿F(xiàn)的情況下，根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述室內(nèi)環(huán)境內(nèi)墻體與基站的融合部署方案，所述融合部署方案包括所述室內(nèi)環(huán)境中的至少一個(gè)所述墻體采用所述第一墻體的結(jié)構(gòu)。

35、可選地，所述第一處理模塊包括：

36、初始化子模塊，用于將所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)初始化為目標(biāo)參數(shù)值；

37、第一處理子模塊，用于根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式；

38、第二處理子模塊，用于在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，將所述目標(biāo)參數(shù)值確定為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值。

39、可選地，所述裝置還包括：

40、參數(shù)調(diào)整子模塊，用于在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)不滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，調(diào)整所述目標(biāo)參數(shù)值；

41、第三處理子模塊，用于根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和調(diào)整后的所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式；

42、第四處理子模塊，用于在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，將調(diào)整后的所述目標(biāo)參數(shù)值確定為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值。

43、可選地，所述第一處理子模塊包括：

44、第一處理單元，用于根據(jù)所述目標(biāo)參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦距和頂點(diǎn)的坐標(biāo)；

45、第二處理單元，用于根據(jù)所述第一墻體的厚度和所述頂點(diǎn)的坐標(biāo)，確定所述頂點(diǎn)與第一平面之間的垂直距離，所述第一平面為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的開(kāi)口邊緣所在的平面；

46、第三處理單元，用于在所述垂直距離與所述焦距的大小關(guān)系滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件時(shí)，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式。

47、可選地，所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件包括以下至少一項(xiàng)：

48、在所述基站布設(shè)方式為墻體外部布設(shè)的情況下，所述垂直距離小于所述焦距；

49、在所述基站布設(shè)方式為墻體表面布設(shè)的情況下，所述垂直距離等于所述焦距；

50、在所述基站布設(shè)方式為墻體內(nèi)部布設(shè)的情況下，所述垂直距離大于所述焦距。

51、可選地，所述第二處理模塊包括：

52、第五處理子模塊，用于根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)和電磁參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗和路徑損耗，所述目標(biāo)位置為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上的任意一點(diǎn)；

53、第六處理子模塊，用于根據(jù)所述反射損耗和所述路徑損耗，確定所述第一基站的天線方向圖增益。

54、可選地，所述電磁參數(shù)包括相對(duì)介電常數(shù)，第五處理子模塊包括：

55、第四處理單元，用于根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)與所述目標(biāo)位置的連線與所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的對(duì)稱軸之間形成的夾角；

56、第五處理單元，用于根據(jù)所述夾角，確定所述第一基站發(fā)射的電磁波入射到所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的入射角；

57、第六處理單元，用于根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的相對(duì)介電常數(shù)、所述入射角和入射電磁波極化方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗。

58、為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種設(shè)備，包括處理器和收發(fā)機(jī)，其中，所述處理器用于：

59、獲取目標(biāo)環(huán)境模型，所述目標(biāo)環(huán)境模型用于模擬待布設(shè)基站的室內(nèi)環(huán)境，所述目標(biāo)環(huán)境模型對(duì)應(yīng)的第一墻體包括呈拋物面形狀的凹面鏡結(jié)構(gòu)，所述目標(biāo)環(huán)境模型對(duì)應(yīng)的第一基站布設(shè)在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)處；

60、根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值；

61、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述第一基站的天線方向圖增益；

62、在驗(yàn)證所述第一基站的天線方向圖增益能夠?qū)崿F(xiàn)的情況下，根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述室內(nèi)環(huán)境內(nèi)墻體與基站的融合部署方案，所述融合部署方案包括所述室內(nèi)環(huán)境中的至少一個(gè)所述墻體采用所述第一墻體的結(jié)構(gòu)。

63、可選地，所述處理器在根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值時(shí)，具體用于：

64、將所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)初始化為目標(biāo)參數(shù)值；

65、根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式；

66、在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，將所述目標(biāo)參數(shù)值確定為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值。

67、可選地，所述處理器用于：

68、在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)不滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，調(diào)整所述目標(biāo)參數(shù)值；

69、根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和調(diào)整后的所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式；

70、在所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件的情況下，將調(diào)整后的所述目標(biāo)參數(shù)值確定為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值。

71、可選地，所述處理器在根據(jù)所述室內(nèi)環(huán)境所需的基站布設(shè)方式和所述目標(biāo)參數(shù)值，判斷所述凹面鏡結(jié)構(gòu)是否滿足所述基站布設(shè)方式時(shí)，具體用于：

72、根據(jù)所述目標(biāo)參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦距和頂點(diǎn)的坐標(biāo)；

73、根據(jù)所述第一墻體的厚度和所述頂點(diǎn)的坐標(biāo)，確定所述頂點(diǎn)與第一平面之間的垂直距離，所述第一平面為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的開(kāi)口邊緣所在的平面；

74、在所述垂直距離與所述焦距的大小關(guān)系滿足所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件時(shí)，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)滿足所述基站布設(shè)方式。

75、可選地，所述基站布設(shè)方式對(duì)應(yīng)的條件包括以下至少一項(xiàng)：

76、在所述基站布設(shè)方式為墻體外部布設(shè)的情況下，所述垂直距離小于所述焦距；

77、在所述基站布設(shè)方式為墻體表面布設(shè)的情況下，所述垂直距離等于所述焦距；

78、在所述基站布設(shè)方式為墻體內(nèi)部布設(shè)的情況下，所述垂直距離大于所述焦距。

79、可選地，所述處理器在根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述第一基站的天線方向圖增益時(shí)，具體用于：

80、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)和電磁參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗和路徑損耗，所述目標(biāo)位置為所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上的任意一點(diǎn)；

81、根據(jù)所述反射損耗和所述路徑損耗，確定所述第一基站的天線方向圖增益。

82、可選地，所述電磁參數(shù)包括相對(duì)介電常數(shù)，所述處理器在根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)和電磁參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗時(shí)，具體用于：

83、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)的參數(shù)值，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)與所述目標(biāo)位置的連線與所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的對(duì)稱軸之間形成的夾角；

84、根據(jù)所述夾角，確定所述第一基站發(fā)射的電磁波入射到所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的入射角；

85、根據(jù)所述凹面鏡結(jié)構(gòu)的相對(duì)介電常數(shù)、所述入射角和入射電磁波極化方式，確定所述凹面鏡結(jié)構(gòu)上目標(biāo)位置處的反射損耗。

86、為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種設(shè)備，包括收發(fā)機(jī)、處理器、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的程序或指令；所述處理器執(zhí)行程序或指令時(shí)實(shí)現(xiàn)如上的室內(nèi)基站與建筑設(shè)施融合部署的方法。

87、為達(dá)到上述目的，提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)指令，該計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上的室內(nèi)基站與建筑設(shè)施融合部署的方法的步驟。

88、為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有程序或指令，所述程序或指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上的室內(nèi)基站與建筑設(shè)施融合部署的方法中的步驟。

89、本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

90、本發(fā)明實(shí)施例的方法，通過(guò)構(gòu)建目標(biāo)環(huán)境模型，能夠模擬待布設(shè)基站的室內(nèi)環(huán)境，其中，目標(biāo)環(huán)境模型中的第一墻體采用了呈拋物面形狀的凹面鏡結(jié)構(gòu)，基站布設(shè)在凹面鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)，因此凹面鏡結(jié)構(gòu)能夠?qū)⒒景l(fā)出的電磁波平行反射出去，使得電磁波之間互不交叉。如此，可以通過(guò)驗(yàn)證目標(biāo)環(huán)境模型中的這種基站布設(shè)方案是否可行，最終得到適合室內(nèi)環(huán)境的基站融合部署方案，能夠有效提升室內(nèi)通信質(zhì)量。