本發(fā)明涉及顯示屏膜技術領域，具體涉及一種microled屏抗靜電聚碳酸酯薄膜及其制備工藝。
背景技術：
近年來由于觸屏手機、精密儀器、電子產(chǎn)品等產(chǎn)品的迅速普及，因為靜電所導致的材料破壞和制程不良等問題增多，影響日益嚴重。為了解決這些問題，要求材料具有優(yōu)異的抗靜電(導電性)。聚碳酸酯是一種重要的工程塑料，具有優(yōu)異的抗沖擊性能、光學透明性、電氣絕緣性、尺寸穩(wěn)定性等綜合性能。因此聚碳酸酯被廣泛用于眾多光學制件如顯示屏、手機屏幕、精密儀器、電氣、電子產(chǎn)品、光學矯正鏡片、板材等應用上。但如作為電氣、電子零件、手機屏幕上，聚碳酸酯必須具備一定的抗靜電性。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明旨在提供了一種microled屏抗靜電聚碳酸酯薄膜及其制備工藝。
本發(fā)明提供如下技術方案：
一種microled屏抗靜電聚碳酸酯薄膜，包括自下而上設置的第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層，其特征在于，所述聚碳酸酯基層由以下重量份數(shù)的材料成分組成：聚碳酸酯75-80份、抗靜電劑復配體系15-22份、分散劑9-13份、相容劑4-8份、抗氧化劑5-10份及助劑2-4份。
一種抗靜電聚碳酸酯薄膜的制備工藝，包括以下步驟：
(1)取所述重量份數(shù)的聚碳酸酯通過星型球磨機研磨成粉狀聚碳酸酯，再將抗靜電劑復配體系、分散劑、相容劑、抗氧化劑及助劑加入到粉狀聚碳酸酯中，并置于高速混料機中混合；
(2)將上述步驟混合好的混合物置于雙螺桿擠出機中熔融共混并擠出，熔融共混擠出的混合物置于室溫水浴冷卻，冷卻后切粒；
(3)將上述步驟冷卻切粒后所得的原料粒子輸送到擠出機料倉中進行定時干燥，然后通過真空吸料裝置輸送到擠出系統(tǒng)，經(jīng)過熔融塑化后通過t型模頭擠出，最后由成型輥快速冷卻成型。
所述第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層通過共擠出制得抗靜電聚碳酸酯薄膜。
所述抗靜電劑復配體系是將氧化錫抗靜電凝膠和樹枝狀大分子季銨鹽直接共混攪拌4-6min，然后置于80-85℃的烘箱烘干2h即得。
所述步驟(1)中混合的方式采用低混-高混-低混的交替進行。
所述步驟(1)中粉狀聚碳酸酯粒徑為300-800nm。
所述步驟(2)中熔融混合的過程中需要控制擠出機的抽真空系統(tǒng)，確保熔融混合在真空環(huán)境下進行。
所述助劑包括熱穩(wěn)定劑和脫模劑，所述熱穩(wěn)定劑和脫模劑的重量比為1：1。
所述抗氧劑選自抗氧化劑1010。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明在聚碳酸酯基層的兩面均設置導電層，可以消除聚碳酸酯膜兩面的靜電，可以防止靜電累積導致的電擊、放電等潛在危險，也可防止靜電累積導致的污染、灰塵等，在聚碳酸酯膜的表面設置耐磨層，可以降低薄膜的耐摩擦系數(shù)，提高聚碳酸酯膜耐久性；本發(fā)明通過添加抗靜電劑復配體系采用氧化錫抗靜電凝膠與樹枝狀大分子季銨鹽復配制備抗靜電劑，有效解決傳統(tǒng)無機導電添加劑和表面活性劑抗靜電劑的局限性；本發(fā)明所制備的抗靜電透明聚碳酸酯薄膜具有良好的抗靜電性能、力學性能和透明性，透光度可達90％以上。
具體實施方式
下面將結合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
實施例1一種microled屏抗靜電聚碳酸酯薄膜，包括自下而上設置的第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層，其特征在于，所述聚碳酸酯基層由以下重量份數(shù)的材料成分組成：聚碳酸酯75份、抗靜電劑復配體系15份、分散劑9份、相容劑4份、抗氧化劑5份及助劑2份。
一種抗靜電聚碳酸酯薄膜的制備工藝，包括以下步驟：
(1)取所述重量份數(shù)的聚碳酸酯通過星型球磨機研磨成粉狀聚碳酸酯，再將抗靜電劑復配體系、分散劑、相容劑、抗氧化劑及助劑加入到粉狀聚碳酸酯中，并置于高速混料機中混合；
(2)將上述步驟混合好的混合物置于雙螺桿擠出機中熔融共混并擠出，熔融共混擠出的混合物置于室溫水浴冷卻，冷卻后切粒；
(3)將上述步驟冷卻切粒后所得的原料粒子輸送到擠出機料倉中進行定時干燥，然后通過真空吸料裝置輸送到擠出系統(tǒng)，經(jīng)過熔融塑化后通過t型模頭擠出，最后由成型輥快速冷卻成型。
所述第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層通過共擠出制得抗靜電聚碳酸酯薄膜。
所述抗靜電劑復配體系是將氧化錫抗靜電凝膠和樹枝狀大分子季銨鹽直接共混攪拌4-6min，然后置于80-85℃的烘箱烘干2h即得。
所述步驟(1)中混合的方式采用低混-高混-低混的交替進行。
所述步驟(1)中粉狀聚碳酸酯粒徑為300-800nm。
所述步驟(2)中熔融混合的過程中需要控制擠出機的抽真空系統(tǒng)，確保熔融混合在真空環(huán)境下進行。
所述助劑包括熱穩(wěn)定劑和脫模劑，所述熱穩(wěn)定劑和脫模劑的重量比為1：1。
所述抗氧劑選自抗氧化劑1010。
實施例2一種microled屏抗靜電聚碳酸酯薄膜，包括自下而上設置的第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層，其特征在于，所述聚碳酸酯基層由以下重量份數(shù)的材料成分組成：聚碳酸酯80份、抗靜電劑復配體系22份、分散劑13份、相容劑8份、抗氧化劑10份及助劑4份。
一種抗靜電聚碳酸酯薄膜的制備工藝，包括以下步驟：
(1)取所述重量份數(shù)的聚碳酸酯通過星型球磨機研磨成粉狀聚碳酸酯，再將抗靜電劑復配體系、分散劑、相容劑、抗氧化劑及助劑加入到粉狀聚碳酸酯中，并置于高速混料機中混合；
(2)將上述步驟混合好的混合物置于雙螺桿擠出機中熔融共混并擠出，熔融共混擠出的混合物置于室溫水浴冷卻，冷卻后切粒；
(3)將上述步驟冷卻切粒后所得的原料粒子輸送到擠出機料倉中進行定時干燥，然后通過真空吸料裝置輸送到擠出系統(tǒng)，經(jīng)過熔融塑化后通過t型模頭擠出，最后由成型輥快速冷卻成型。
所述第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層通過共擠出制得抗靜電聚碳酸酯薄膜。
所述抗靜電劑復配體系是將氧化錫抗靜電凝膠和樹枝狀大分子季銨鹽直接共混攪拌4-6min，然后置于80-85℃的烘箱烘干2h即得。
所述步驟(1)中混合的方式采用低混-高混-低混的交替進行。
所述步驟(1)中粉狀聚碳酸酯粒徑為300-800nm。
所述步驟(2)中熔融混合的過程中需要控制擠出機的抽真空系統(tǒng)，確保熔融混合在真空環(huán)境下進行。
所述助劑包括熱穩(wěn)定劑和脫模劑，所述熱穩(wěn)定劑和脫模劑的重量比為1：1。
所述抗氧劑選自抗氧化劑1010。
實施例3一種microled屏抗靜電聚碳酸酯薄膜，包括自下而上設置的第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層，其特征在于，所述聚碳酸酯基層由以下重量份數(shù)的材料成分組成：聚碳酸酯75-80份、抗靜電劑復配體系18份、分散劑11份、相容劑6份、抗氧化劑8份及助劑3份。
一種抗靜電聚碳酸酯薄膜的制備工藝，包括以下步驟：
(1)取所述重量份數(shù)的聚碳酸酯通過星型球磨機研磨成粉狀聚碳酸酯，再將抗靜電劑復配體系、分散劑、相容劑、抗氧化劑及助劑加入到粉狀聚碳酸酯中，并置于高速混料機中混合；
(2)將上述步驟混合好的混合物置于雙螺桿擠出機中熔融共混并擠出，熔融共混擠出的混合物置于室溫水浴冷卻，冷卻后切粒；
(3)將上述步驟冷卻切粒后所得的原料粒子輸送到擠出機料倉中進行定時干燥，然后通過真空吸料裝置輸送到擠出系統(tǒng)，經(jīng)過熔融塑化后通過t型模頭擠出，最后由成型輥快速冷卻成型。
所述第一導電層、聚碳酸酯基層、第二導電層、耐磨層通過共擠出制得抗靜電聚碳酸酯薄膜。
所述抗靜電劑復配體系是將氧化錫抗靜電凝膠和樹枝狀大分子季銨鹽直接共混攪拌4-6min，然后置于80-85℃的烘箱烘干2h即得。
所述步驟(1)中混合的方式采用低混-高混-低混的交替進行。
所述步驟(1)中粉狀聚碳酸酯粒徑為300-800nm。
所述步驟(2)中熔融混合的過程中需要控制擠出機的抽真空系統(tǒng)，確保熔融混合在真空環(huán)境下進行。
所述助劑包括熱穩(wěn)定劑和脫模劑，所述熱穩(wěn)定劑和脫模劑的重量比為1：1。
所述抗氧劑選自抗氧化劑1010。
對于本領域技術人員而言，顯然本發(fā)明不限于所述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權利要求而不是所述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。