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分子抗蝕劑組成物及圖案形成方法與流程

文檔序號(hào):39726203發(fā)布日期:2024-10-22 13:25閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種負(fù)型分子抗蝕劑組成物,含有:包含具有環(huán)狀醚部位的陽離子的鎓鹽、及有機(jī)溶劑,且不含有基礎(chǔ)聚合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物,其中,該鎓鹽是下式(1)表示的锍鹽;

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物,其中,該環(huán)狀醚部位是環(huán)氧乙烷環(huán)或氧雜環(huán)丁烷環(huán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物,其中,x-為鹵化物離子、硝酸離子、硫酸氫離子、碳酸氫離子、硼酸離子、六氟磷酸離子、六氟銻酸離子或下式(x-1)~(x-7)中的任一者表示者;

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物,更包含胺化合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物,含有2種以上包含具有環(huán)狀醚部位的陽離子的鎓鹽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物,更含有包含具有環(huán)狀醚部位的陽離子的鎓鹽以外的鎓鹽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物,更包含表面活性劑。

9.一種圖案形成方法,包括下列步驟:使用根據(jù)權(quán)利要求1至8中任1項(xiàng)所述的負(fù)型分子抗蝕劑組成物在基板上形成抗蝕劑膜、將該抗蝕劑膜以高能射線進(jìn)行曝光、將該曝光后的抗蝕劑膜使用顯影液進(jìn)行顯影。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖案形成方法,其中,使用堿水溶液作為顯影液,使未曝光部溶解,獲得曝光部未溶解的負(fù)型圖案。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖案形成方法,其中,使用有機(jī)溶劑作為顯影液,使未曝光部溶解,獲得曝光部未溶解的負(fù)型圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖案形成方法,其中,該有機(jī)溶劑選自2-辛酮、2-壬酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-己酮、3-己酮、二異丁基酮、甲基環(huán)己酮、苯乙酮、甲基苯乙酮、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸戊酯、乙酸丁烯酯、乙酸異戊酯、甲酸丙酯、甲酸丁酯、甲酸異丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、戊酸甲酯、戊烯酸甲酯、巴豆酸甲酯、巴豆酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、乳酸異丁酯、乳酸戊酯、乳酸異戊酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、乙酸苯酯、乙酸芐酯、苯基乙酸甲酯、苯基乙酸乙酯、甲酸芐酯、甲酸苯基乙酯、3-苯基丙酸甲酯、丙酸芐酯及乙酸2-苯基乙酯中的至少1種。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖案形成方法,其中,該高能射線為電子束或極紫外線。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及分子抗蝕劑組成物及圖案形成方法。本發(fā)明的課題為提供在使用高能射線的光學(xué)光刻中感度、分辨性及LWR優(yōu)異的分子抗蝕劑組成物、以及使用該分子抗蝕劑組成物的圖案形成方法。本發(fā)明的解決手段為一種負(fù)型分子抗蝕劑組成物,含有:包含具有環(huán)狀醚部位的陽離子的鎓鹽、及有機(jī)溶劑,且不含有基礎(chǔ)聚合物。

技術(shù)研發(fā)人員:大橋正樹,菊地駿,橘誠一郎,半田龍之介
受保護(hù)的技術(shù)使用者:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
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