1.一種鎓鹽，其用下述式(1)表示，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎓鹽，其中，ral為下述式(al-1)或(al-2)所示的基團，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎓鹽，其中，z+為下述式(陽離子-1)所示的锍陽離子、下述式(陽離子-2)所示的碘鎓陽離子或下述式(陽離子-3)所示的銨陽離子，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎓鹽，其用下述式(1a)表示，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鎓鹽，其用下述式(1b)表示，
6.一種猝滅劑，其包含權(quán)利要求1～5中任一項所述的鎓鹽。
7.一種抗蝕劑組合物，其包含權(quán)利要求6所述的猝滅劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗蝕劑組合物，其還包含有機溶劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗蝕劑組合物，其包含含有下述式(a1)所示的重復(fù)單元的基礎(chǔ)聚合物，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗蝕劑組合物，其中，所述基礎(chǔ)聚合物還包含下述式(a2)所示的重復(fù)單元，
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗蝕劑組合物，其中，所述基礎(chǔ)聚合物還包含下述式(b1)或(b2)所示的重復(fù)單元，
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗蝕劑組合物，其中，所述基礎(chǔ)聚合物還包含下述式(c1)～(c4)中任一者所示的重復(fù)單元，
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗蝕劑組合物，其還包含光產(chǎn)酸劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗蝕劑組合物，其還包含除權(quán)利要求6所述的猝滅劑之外的猝滅劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗蝕劑組合物，其還包含表面活性劑。
16.一種圖案形成方法，其包括如下工序：使用權(quán)利要求7所述的抗蝕劑組合物在基板上形成抗蝕膜的工序；利用高能量射線對所述抗蝕膜進行曝光的工序；以及使用顯影液對所述曝光后的抗蝕膜進行顯影的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其中，所述高能量射線為krf準(zhǔn)分子激光、arf準(zhǔn)分子激光、電子束或波長3～15nm的極紫外線。