1.基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：所述第一多界面氧化鋁層包含八層氧化鋁薄膜，第二、三多界面氧化鋁層包含六層氧化鋁薄膜，第四多界面氧化鋁層包含兩層氧化鋁薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：下層薄膜熱電偶為pt－au熱電偶，通過沉積工藝制備；
4.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：上層薄膜熱電偶為pt－au熱電偶，通過沉積工藝制備，與上層薄膜熱電偶工藝參數(shù)相同，上層薄膜熱電偶的pt熱電臂和au熱電臂厚度不超過3μm。
5.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：所述電子束物理氣相沉積法參數(shù)為：電子束的功率范圍為40～50kw，形成穩(wěn)定的蒸汽云；渦輪葉片加熱溫度小于700℃，沉積時間為大于30分鐘；之后關(guān)閉電子束渦輪葉片保溫40分鐘，再自然降溫。
6.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：第一多界面氧化鋁層工藝參數(shù)：靶材為氧化鋁，將沉積區(qū)域的葉片片表面機械拋光為表面起伏不大于200nm；樣品臺與射頻臺距離為70mm；靶材為氧化鋁，偏壓設(shè)置為700～800v、離子源設(shè)置為2000v～2600v，對葉背區(qū)域進行離子源清洗；調(diào)節(jié)真空室的真空壓力不小于1.0×10－4pa；調(diào)節(jié)沉積溫度為500℃；調(diào)節(jié)氬氣流量，使濺射氣壓調(diào)節(jié)至0.2～0.4pa；對氧化鋁靶材施加360～480w射頻功率及850～1000v偏壓功率；設(shè)置樣品臺轉(zhuǎn)速為3rpm；濺射沉積5h后自然冷卻至室溫；取出后將渦輪葉片在1000℃空氣環(huán)境下退火1h，獲得第一多界面氧化鋁層的第一層；保持真空壓力不小于5.0×10－3pa，分別選擇400℃、300℃、200℃、300℃、400℃、300℃和200℃的沉積溫度進行沉積，且每次沉積后均濺射沉積5h后自然冷卻至室溫，再經(jīng)過1000℃空氣環(huán)境下退火1h，分別獲得第一多界面氧化鋁層的第二層至第八層；第一多界面氧化鋁層總厚度不超過2.5μm。
7.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：第二多界面氧化鋁層工藝參數(shù)：靶材為氧化鋁，樣品臺與射頻臺距離為70mm；靶材為氧化鋁，偏壓設(shè)置為700～800v、離子源設(shè)置為2000v～2600v，對葉背區(qū)域進行離子源清洗；調(diào)節(jié)真空室的真空壓力不小于1.0×10－4pa；沉積溫度為300℃；調(diào)節(jié)氬氣流量，使濺射氣壓調(diào)節(jié)至0.2～0.4pa；對氧化鋁靶材施加360～480w射頻功率及850～1000v偏壓功率；設(shè)置樣品臺轉(zhuǎn)速為3rpm；濺射沉積5h后自然冷卻至室溫；取出后將渦輪葉片在900℃空氣環(huán)境下退火1h，獲得第一多界面氧化鋁層的第一層；保持真空壓力不小于5.0×10－3pa，分別選擇400℃、300℃、200℃、300℃和400℃的沉積溫度進行沉積，且每次沉積后均濺射沉積5h后自然冷卻至室溫，再經(jīng)過900℃空氣環(huán)境下退火1h，分別獲得第一多界面氧化鋁層的第二層至第六層；第一多界面氧化鋁層總厚度不超過2μm。
8.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：第三多界面氧化鋁層工藝參數(shù)與第二多界面氧化鋁層工藝相同，僅僅改變了各層的沉積溫度，各層沉積溫度依次為400℃、300℃、200℃、300℃、400℃和300℃，獲得第三多界面氧化鋁的第一層至第六層，第三多界面氧化鋁層總厚度不超過2μm。
9.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：第四多界面氧化鋁層工藝參數(shù)與第二多界面氧化鋁層工藝相同，僅僅改變了各層的沉積溫度，各層沉積溫度依次為400℃和300℃，獲得第四多界面氧化鋁的第一層和第二層，第四多界面氧化鋁層總厚度不超過1μm。
10.如權(quán)利要求1所述的基于au－pt薄膜熱電偶的熱障涂層隔熱效果試驗方法，其特征在于：步驟2～4中對au－pt薄膜熱電偶的電極位置進行遮擋，防止電極被沉積覆蓋。