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電容式傳感器、傳感裝置、感測(cè)系統(tǒng)、以及電子設(shè)備的制造方法_2

文檔序號(hào):9417039閱讀:來源:國知局
傳感單元各自包括一所述差分對(duì)管中的一晶體管。
[0094]通過選擇具有合適跨導(dǎo)的晶體管,當(dāng)目標(biāo)物體接近或觸摸感測(cè)電極時(shí),所述差分對(duì)管的晶體管對(duì)參考信號(hào)的變化量進(jìn)行轉(zhuǎn)換以及放大,產(chǎn)生二不同的第一交流信號(hào),并將二不同的第一交流信號(hào)分別疊加至相同的第二恒定直流信號(hào)上,對(duì)應(yīng)產(chǎn)生所述二不同的第二交流信號(hào)給控制電路。其中,所述第二恒定直流信號(hào)為第一恒定直流信號(hào)的一半。相應(yīng)地,所述感測(cè)信號(hào)較強(qiáng),所述控制電路根據(jù)所述感測(cè)信號(hào)獲得的感測(cè)結(jié)果較準(zhǔn)。
[0095]對(duì)于本發(fā)明的電容式傳感器:或者每個(gè)傳感單元輸出單一電流信號(hào)作為感測(cè)信號(hào);或者每個(gè)傳感單元輸出差分信號(hào)作為感測(cè)信號(hào);或者相鄰的傳感單元輸出差分信號(hào)作為感測(cè)信號(hào);其中,所述差分信號(hào)如為差分電流信號(hào);更優(yōu)選地,組成差分對(duì)管的晶體管輸出的感測(cè)信號(hào)為放大的信號(hào);相應(yīng)地,具有所述電容式傳感器的電容式傳感裝置的感測(cè)精度較高。
[0096]下面結(jié)合附圖對(duì)電容式傳感裝置的電路結(jié)構(gòu)、芯片組、電容式感測(cè)系統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)、電容式傳感裝置的封裝結(jié)構(gòu)、電容式感測(cè)模組的組裝結(jié)構(gòu)、以及電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)等的各種實(shí)施方式進(jìn)行描述。
[0097]電容式傳感裝置的電路結(jié)構(gòu)
[0098]請(qǐng)參閱圖1,圖1為本發(fā)明電容式傳感裝置的第一實(shí)施方式的示意圖。所述電容式傳感裝置I用于應(yīng)用在一電子設(shè)備(圖未示)中,執(zhí)行感測(cè)操作。所述電子設(shè)備如為移動(dòng)電話、平板電腦、電視、遙控裝置、智能門鎖、穿戴式設(shè)備等各種智能設(shè)備。所述電容式傳感裝置I包括控制電路11和電容式傳感器13。所述控制電路11與所述電容式傳感器13連接。所述控制電路11用于控制電容式傳感器13執(zhí)行感測(cè)操作,所述電容式傳感器13輸出相應(yīng)的感測(cè)信號(hào)給所述控制電路11。所述控制電路11進(jìn)一步根據(jù)所述感測(cè)信號(hào)獲得相應(yīng)的感測(cè)信息。
[0099]所述電容式傳感器13包括基板130、多個(gè)傳感單元131、和接地線133。所述接地線133和所述多個(gè)傳感單元131設(shè)置在所述基板130的同側(cè),且所述接地線133環(huán)繞各傳感單元131設(shè)置。需要說明的是,圖1中示出的傳感單元131的數(shù)量?jī)H為示意,實(shí)際產(chǎn)品的傳感單元131的數(shù)量可少于或多于圖1中所示的數(shù)量。
[0100]所述多個(gè)傳感單元131與所述控制電路11連接,用于執(zhí)行感測(cè)操作,輸出感測(cè)信號(hào)給控制電路11。
[0101]在本實(shí)施方式中,所述接地線133用于連接所述電子設(shè)備的調(diào)制地NGND,接收調(diào)制信號(hào)。所述調(diào)制信號(hào)包括接地信號(hào)和驅(qū)動(dòng)信號(hào),所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)高于所述接地信號(hào)。所述調(diào)制信號(hào)如為包括接地信號(hào)與驅(qū)動(dòng)信號(hào)交替變化的周期性方波信號(hào)。其中,所述接地信號(hào)如為電子設(shè)備的設(shè)備地的接地信號(hào),所述設(shè)備地的接地信號(hào)為恒定電壓信號(hào),如為OV(伏)。
[0102]所述基板130如為半導(dǎo)體基板等。所述半導(dǎo)體基板如為硅基板等。
[0103]在本實(shí)施方式中,所述控制電路11設(shè)置在所述基板130上,并與所述多個(gè)傳感單元131設(shè)置在所述基板130的同側(cè)??勺兏兀谄渌鼘?shí)施方式中,所述控制電路11集成在一控制芯片中,所述控制芯片壓合在所述基板130上。
[0104]在本實(shí)施方式中,所述多個(gè)傳感單元131呈陣列式排布,如矩陣式排布。然,本發(fā)明并不限制所述多個(gè)傳感單元131的具體排布方式,例如,在其它實(shí)施方式中,所述多個(gè)傳感單元131也可呈其它規(guī)則方式或非規(guī)則方式排布。
[0105]請(qǐng)參閱圖2,圖2為圖1所示電容式傳感裝置I的電路結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是,在圖2中,為了圖示清楚,僅示出4個(gè)傳感單元131。所述傳感單元131包括感測(cè)電極14和傳感電路15。所述感測(cè)電極14能夠以電容方式耦合到目標(biāo)物體,用于加載參考信號(hào)。所述傳感電路15用于根據(jù)感測(cè)電極14因目標(biāo)物體的接近或觸摸所引起參考信號(hào)的變化,而對(duì)應(yīng)產(chǎn)生二不同的第二交流信號(hào),并輸出所述二不同的第二交流信號(hào)給所述控制電路11。
[0106]在本實(shí)施方式,所述二不同的第二交流信號(hào)為差分信號(hào),且為差分電流信號(hào)。所述二不同的第二交流信號(hào)例如是用以計(jì)算目標(biāo)物體的預(yù)定生物信息,所述預(yù)定生物信息如為指紋。然,在其它實(shí)施方式中,所述二不同的第二交流信號(hào)也可為差分電壓信號(hào)。
[0107]所述感測(cè)電極14采用金屬材料、金屬氧化物導(dǎo)電材料、導(dǎo)電復(fù)合材料、石墨稀材料、碳納米管材料中的任意一種制成。
[0108]在本實(shí)施方式中,所述多個(gè)傳感單元131的結(jié)構(gòu)相同。然,在其它實(shí)施方式中,所述多個(gè)傳感單元131的結(jié)構(gòu)可不同,例如,感測(cè)電極14的形狀和大小不同。
[0109]請(qǐng)一并參閱圖3與圖4,圖3為圖2所示電容式傳感器13的部分電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為圖2所示電容式傳感裝置I的部分電路結(jié)構(gòu)示意圖。以下描述以一傳感單元131、且目標(biāo)物體為手指F為例進(jìn)行說明,其它傳感單元131的結(jié)構(gòu)與工作原理類似,不再贅述。所述傳感電路15根據(jù)感測(cè)電極14上因手指F的接近或觸摸所引起參考信號(hào)的變化,而對(duì)應(yīng)輸出感測(cè)信號(hào)。在手指F接近或觸摸感測(cè)電極14時(shí),手指F的指紋脊或指紋谷與感測(cè)電極14形成耦合電容Cf,所述耦合電容Cf通過人體阻抗Z電連接至地球大地或所述電子設(shè)備的設(shè)備地。優(yōu)選地,所述耦合電容Cf通過人體阻抗Z電連接所述電子設(shè)備的設(shè)備地。所述設(shè)備地通常為電子設(shè)備的供電電源的負(fù)極。供電電源如為電池。
[0110]所述傳感電路15包括轉(zhuǎn)換電路151。所述轉(zhuǎn)換電路151用于響應(yīng)感測(cè)電極14因手指F的接近或觸摸所引起參考信號(hào)的變化,而對(duì)應(yīng)產(chǎn)生二不同的第二交流信號(hào)。
[0111]在本實(shí)施方式中,所述轉(zhuǎn)換電路151轉(zhuǎn)換感測(cè)電極14因手指F的接近或觸摸所引起參考信號(hào)的變化量為二不同的第一交流信號(hào),并疊加所述二不同的第一交流信號(hào)分別至一相同的第二恒定直流信號(hào)上,對(duì)應(yīng)產(chǎn)生所述二不同的第二交流信號(hào)。其中,二不同的第一交流信號(hào)為差分電流信號(hào)。
[0112]優(yōu)選地,所述轉(zhuǎn)換電路151包括差分對(duì)管D。所述差分對(duì)管D響應(yīng)感測(cè)電極14因手指F的接近或觸摸所引起參考信號(hào)的變化,而對(duì)應(yīng)產(chǎn)生二不同的第二交流信號(hào)。
[0113]所述差分對(duì)管D包括第三晶體管T3與第四晶體管T4。所述第三晶體管T3包括第三控制電極C3、第五傳輸電極S5、和第六傳輸電極S6。所述第六傳輸電極S6用于傳輸一第二交流信號(hào)。在本實(shí)施方式中,所述第三控制電極C3與所述感測(cè)電極14為二電極,所述第三控制電極C3直接連接所述感測(cè)電極14。然,在其它實(shí)施方式中,見圖5,所述第三控制電極C3也可通過限流元件L連接所述感測(cè)電極14,所述限流元件L包括電阻R,起到防ESD的作用。另外,所述第三控制電極C3與所述感測(cè)電極14也可為同一電極。
[0114]所述第四晶體管T4包括第四控制電極C4、第七傳輸電極S7、和第八傳輸電極S8。所述第七傳輸電極S7連接所述第五傳輸電極S5。所述第七傳輸電極S7與所述第五傳輸電極S5進(jìn)一步用于與一電流源111連接。所述電流源111用于提供第一恒定直流信號(hào),所述第一恒定直流信號(hào)為第二恒定直流信號(hào)的二倍,如第一恒定直流信號(hào)的大小為I,則第二恒定直流信號(hào)的大小為(1/2)。優(yōu)選地,定義一節(jié)點(diǎn)N位于所述第七傳輸電極S7和所述第五傳輸電極S5之間,所述差分對(duì)管D通過所述節(jié)點(diǎn)N連接所述電流源111。所述第八傳輸電極S8用于傳輸另一第二交流信號(hào)。
[0115]第三控制電極C3用于加載第一參考信號(hào),第四控制電極C4用于加載第二參考信號(hào)。相應(yīng)地,當(dāng)?shù)谌刂齐姌OC3與所述感測(cè)電極14為同一電極時(shí),或者第三控制電極C3直接連接所述感測(cè)電極14時(shí),所述感測(cè)電極14所加載的參考信號(hào)也為第一參考信號(hào)。需要說明的是,當(dāng)?shù)谌刂齐姌OC3通過限流元件L與感測(cè)電極14連接時(shí),所述感測(cè)電極14所加載的參考信號(hào)與所述第三控制電極C3所加載的第一參考信號(hào)不同。
[0116]優(yōu)選地,所述第三控制電極C3所接收的第一參考信號(hào)與所述第四控制電極C4所接收的第二參考信號(hào)相同,即,所述差分對(duì)管D接收共模信號(hào)輸入。然,所述第三控制電極C3所接收的第一參考信號(hào)與所述第四控制電極C4所接收的第二參考信號(hào)也可相差一定差值,如0.05V(伏)、0.1V(伏)等,第一參考信號(hào)與第二參考信號(hào)仍視為相同。在傳感單元131每次被激活執(zhí)行感測(cè)的過程中,所述第三控制電極C3與所述第四控制電極C4分別用于按預(yù)定時(shí)間間隔(如周期性)對(duì)應(yīng)加載第一參考信號(hào)與第二參考信號(hào)。定義第三控制電極C3與所述第四控制電極C4接收第一參考信號(hào)與第二參考信號(hào)的時(shí)段為充電時(shí)段,在每相鄰兩充電時(shí)段之間的時(shí)段包括感測(cè)時(shí)段。在感測(cè)時(shí)段,第一參考信號(hào)被停止傳輸給第三控制電極C3,第二參考信號(hào)被停止傳輸所述第四控制電極C4,所述感測(cè)單元131執(zhí)行感測(cè)。
[0117]在本實(shí)施方式中,所述第一參考信號(hào)與第二參考信號(hào)為經(jīng)調(diào)制的電壓信號(hào)。
[0118]在感測(cè)時(shí)段,由于第三控制電極C3與第四控制電極C4與接地線133之間均存在寄生電容,當(dāng)未有手指接近或觸摸感測(cè)電極14時(shí),所述第一參考信號(hào)與所述第二參考信號(hào)相對(duì)所述接地線133上的信號(hào)保持相對(duì)不變;當(dāng)有手指接近或觸摸感測(cè)電極14時(shí),所述第一參考信號(hào)相對(duì)所述接地線133上的信號(hào)發(fā)生改變,所述第二參考信號(hào)相對(duì)所述接地線133上的信號(hào)保持相對(duì)不變。
[0119]具體地,當(dāng)手指接近或觸摸感測(cè)電極14時(shí),所述第三晶體管T3轉(zhuǎn)換感測(cè)電極14上的參考信號(hào)的變化量為第一交流信號(hào)i,并加載所述第一交流信號(hào)i于一第二恒定直流信號(hào)上,從而于第六傳輸電極S6上形成第二交流信號(hào)(I/2)+i。相應(yīng)地,由差分對(duì)管D的元件性質(zhì),所述第四晶體管T4轉(zhuǎn)換感測(cè)電極14上的參考信號(hào)的變化量為第一交流信號(hào)(_i),并加載所述第一交流信號(hào)(_i)于一第二恒定直流信號(hào)上,從而于第八傳輸電極S8上形成第二交流信號(hào)(I/2)-1。所述二第二交流信號(hào)(1/2)+1、(1/2)-1之和與所述第一恒定直流信號(hào)的大小I相等。也即,所述差分對(duì)管D響應(yīng)第一參考信號(hào)Rl的變化而對(duì)應(yīng)產(chǎn)生從電流源111到第六傳輸電極S6和第八傳輸電極S8的第二交流信號(hào)輸出。
[0120]需要說明的是,通過選擇具有合適跨導(dǎo)的差分對(duì)管D,所述第一交流信號(hào)可以被不同程度的放大,因此,相對(duì)于參考信號(hào)的變化量或者電量的變化量來講,第一交流信號(hào)更強(qiáng)。相應(yīng)地,所述控制電路11根據(jù)第二交流信號(hào)中所攜帶的第一交流信號(hào)來對(duì)應(yīng)獲知手指的指紋圖像信息則更加準(zhǔn)確。尤其對(duì)于差分對(duì)管D,所述控制電路11對(duì)接收到的二不同第二交流信號(hào)進(jìn)行相減運(yùn)算,可以得到二倍的第一交流信號(hào),進(jìn)一步提高了信號(hào)的強(qiáng)度。
[0121]優(yōu)選地,所述傳感電路15進(jìn)一步包括第一開關(guān)單元Kl。所述第一開關(guān)單元Kl連接于所述節(jié)點(diǎn)N與所述電流源111之間,用于控制是否在所述差分對(duì)管D與所述電流源111之間進(jìn)行電流傳輸。
[0122]所述第一開關(guān)單元Kl包括第一晶體管Tl。所述第一晶體管Tl包括第一控制電極Cl、第一傳輸電極S1、和第二傳輸電極S2。所述第一控制電極Cl用于響應(yīng)一掃描信號(hào)對(duì)應(yīng)控制第一傳輸電極SI與第二傳輸電極S2之間是否導(dǎo)通。第一傳輸電極SI用于連接所述電流源111。第二傳輸電極S2用于連接所述節(jié)點(diǎn)N。
[0123]優(yōu)選地,所述第一開關(guān)單元Kl進(jìn)一步包括第二晶體管T2。所述第二晶體管T2包括第二控制電極C2、第三傳輸電極S3、和第四傳輸電極S4。所述第二控制電極C2用于響應(yīng)一掃描信號(hào)對(duì)應(yīng)控制第三傳輸電極S3與第四傳輸電極S4之間是否導(dǎo)通。第三傳輸電極S3用于連接第二傳輸電極S2。第四傳輸電極S4用于連接所述節(jié)點(diǎn)N。第二晶體管T2與第一晶體管Tl形成二級(jí)開關(guān)。在本實(shí)施方式中,形成二級(jí)開關(guān)可更有利于控制電路11來靈活控制哪一或哪些傳感單元131被激活,另外,后面也會(huì)說明,根據(jù)與所述二級(jí)開關(guān)相連接的掃描線之間位置關(guān)系可以確定傳感單元131的位置。可變更地,在其它實(shí)施方式中,所述第一開關(guān)單元Kl也可僅包括第一晶體管Tl。進(jìn)一步地,所述第一開關(guān)單元Kl并非限定包括第一晶體管Tl與第二晶體管T2,也可包括其它合適類型的開關(guān)元件。更進(jìn)一步地,所述第一開關(guān)單元Kl也可設(shè)置在控制電路11中,而非傳感單元131中,甚至,所述第一開關(guān)單元Kl也可被省略,對(duì)應(yīng)地,在感測(cè)電極14與控制電路11之間設(shè)置類似的第一開關(guān)單元Kl也是可以的。
[0124]更優(yōu)選地,所述傳感電路15進(jìn)一步包括第二開關(guān)單元K2。所述第二開關(guān)單元K2用于控制是否傳輸?shù)谝粎⒖夹盘?hào)給第三控制電極C3、以及控制是否傳輸?shù)诙⒖夹盘?hào)給第四控制電極C4。由于差分對(duì)管D與感測(cè)電極14相關(guān)聯(lián),因此,第二控制單元K2對(duì)應(yīng)控制是否傳輸參考信號(hào)給所述感測(cè)電極14。
[0125]優(yōu)選地,所述第二開關(guān)單元K2包括第五晶體管T5和第六晶體管T6。
[0126]所述第五晶體管T5包括第五控制電極C5、第九傳輸電極S9、和第十傳輸電極SlO。其中,第五控制電極C5用于響應(yīng)一掃描信號(hào)而對(duì)應(yīng)控制第九傳輸電極S9與第十傳輸電極SlO是否導(dǎo)通。第九傳輸電極S9用于接收第一參考信號(hào)。第十傳輸電極SlO連接第三控制電極C3。
[0127]所述第六晶體管T6包括第六控制電極C6、第^ 傳輸電極S11、和第十二傳輸電極S12。其中,第六控制電極C6用于響應(yīng)一掃描信號(hào)而對(duì)應(yīng)控制第^^一傳輸電極Sll與第十二傳輸電極S12是否導(dǎo)通。第十一傳輸電極用于接收第二參考信號(hào)。第十二傳輸電極S12連接第四控制電極C4。
[0128]可變更地,在其它實(shí)施方式中,所述第二開關(guān)單元K2也可設(shè)置在控制電路11中,而非傳感單元131中。另外,第二開關(guān)單元K2并非限定包括第五晶體管T5和第六晶體管T6,也可為包括其它合適類型的開關(guān)元件。
[0129]更優(yōu)選地,所述傳感電路15進(jìn)一步包括第一補(bǔ)償單元Ml和第二補(bǔ)償單元M2。所述第一補(bǔ)償單元Ml設(shè)置在第十傳輸電極SlO與第三控制電極C3之間,用于補(bǔ)償?shù)谖寰w管T5關(guān)閉時(shí)第十傳輸電極SlO與第三控制電極C3之間的電壓。所述第二補(bǔ)償單元M2設(shè)置在第十二傳輸電極S12與第四控制電極C4之間,用于補(bǔ)償?shù)诹w管T6關(guān)閉時(shí)第十二傳輸電極S12與第四控制電極C4之間的電壓。
[0130]優(yōu)選地,所述第一補(bǔ)償單元Ml包括第七晶體管T7。所述第七晶體管T7包括第七控制電極C7、第十三傳輸電極S13、和第十四傳輸電極S14。其中,第七控制電極C7用于響應(yīng)一掃描信號(hào)而控制第十三傳輸電極S13和第十四傳輸電極S14是否導(dǎo)通。第十三傳輸電極S13連接第十傳輸電極S10。第十四傳輸電極S14連接第三控制電極C3。第十三傳輸電極S13和第十四傳輸電極S14短接。
[0131]所述第二補(bǔ)償單元M2包括第八晶體管T8。所述第八晶體管T8包括第八控制電極C8、第十五傳輸電極S15、和第十六傳輸電極S16。其中,第八控制電極C8用于響應(yīng)一掃描信號(hào)而控制第十五傳輸電極S15和第十六傳輸電極S16是否導(dǎo)通。第十五傳輸電極S15連接第十二傳輸電極S12。第十六傳輸電極S16連接第四控制電極C4。第十五傳輸電極S15和第十六傳輸電極S16短接。
[0132]第七晶體管T7用于和第五晶體管T5交替導(dǎo)通,導(dǎo)通的第七晶體管T7在第五晶體管T5截止時(shí)補(bǔ)償?shù)谌刂齐姌OC3與第十傳輸電極SlO之間的電壓;第八晶體管T8用于和第六晶體管T6交替導(dǎo)通,導(dǎo)通的第八晶體管T8在第六晶體管T6截止時(shí)補(bǔ)償?shù)谒目刂齐姌OC4與第十二傳輸電極S12之間的電壓。
[0133]需要說明的是,此處描述第七晶體管T7與第八晶體管T8導(dǎo)通與否,是指第七控制電極C7與第八控制電極C8分別響應(yīng)掃描信號(hào)而對(duì)應(yīng)分別控制第七晶體管T7與第八晶體管T8導(dǎo)通,而非第七晶體管T7的第十三傳輸電極S13和第十四傳輸電極S14短接而在第十三傳輸電極S13和第十四傳輸電極S14之間導(dǎo)通、非第八晶體管T8的第十五傳輸電極S15和第十六傳輸電極S16短接而在第十五傳輸電極S15和第十六傳輸電極S16之間導(dǎo)通。
[0134]可變更地,在其它實(shí)施方式中,所述第一補(bǔ)償單元Ml與第二補(bǔ)償單元M2可被省略。另外,所述第一補(bǔ)償單元Ml與第二補(bǔ)償單元M2并非限定分別包括第七晶體管T7與第八晶體管T8,也可包括其它合適類型的開關(guān)元件。
[0135]為了避免漏電流,對(duì)于傳感電路15中的部分或全部晶體管,以第一晶體管Tl為例,可進(jìn)一步包括與各晶體管相串聯(lián)的晶體管,如圖6所示。
[0136]所述傳感電路15中的第一至第八晶體管Tl?T8采用薄膜晶體管、雙極性三極管、和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管中的任意一種、或任意幾種的組合。
[0137]所述薄膜晶體管包括N型薄膜晶體管、P型薄膜晶體管中的任意一種、或二種的組入口 ο
[0138]所述薄膜晶體管包括非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、高溫多晶硅薄膜晶體管、金屬氧化物薄膜晶體管中的任意一種、或任意幾種的組合。
[0139]當(dāng)傳感電路15中的一晶體管采用薄膜晶體管時(shí),所述薄膜晶體管的柵極用作控制電極,源極與漏極分別用作傳輸電極;當(dāng)傳感電路15中的一晶體管采用雙極性三極管時(shí),所述雙極性三極管的基極用作控制電極,集電極與發(fā)射極分別用作傳輸電極;當(dāng)傳感電路15中的一晶體管采用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),所述金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管的柵極用作控制電極,源極與漏極分別用作傳輸電極。
[0140]請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D2和圖3,所述電容式傳感器13進(jìn)一步包括多個(gè)掃描線群組G1、多個(gè)信號(hào)線群組G2、和多條參考信號(hào)線R。其中,所述掃描線群組Gl用于傳輸掃描線信號(hào)給所述多個(gè)傳感單元131。所述信號(hào)線群組G2用于在所述多個(gè)傳感單元131與所述控制電路11之間傳輸電流信號(hào)。所述多條參考信號(hào)線R用于傳輸?shù)谝粎⒖夹盘?hào)和第二參考信號(hào)給所述多個(gè)傳感單元131。
[0141]一信號(hào)線群組G2連接至少二傳感單元131。一掃描線群組Gl連接至少二傳感單元131。優(yōu)選地,在本實(shí)施方式中,每一信號(hào)線群組G2連接一列傳感單元131。不同列傳感單元131連接不同信號(hào)線群組G2。相鄰二列傳感單元131之間設(shè)置一信號(hào)線群組G2。
[0142]所述信號(hào)線群組G2包括第一信號(hào)線G21、第二信號(hào)線G22、和第三信號(hào)線G23。對(duì)于每一信號(hào)線群組G2:所述第一信號(hào)線G21、第二信號(hào)線G22、和第三信號(hào)線G23沿列方向延伸,且所述第一信號(hào)線G21、第二信號(hào)線G22、和第三信號(hào)線G23沿行方向依次排布。進(jìn)一步地,同一列的傳感單元131的第一晶體管Tl的第一傳輸電極SI連接同一第一信號(hào)線G21。同一列的傳感單元131的第三晶體管T3的第六傳輸電極S6連接同一第二信號(hào)線G22。同一列的傳感單元131的第四晶體管的第八傳輸電極S8連接同一第三信號(hào)線G23。所述第一信號(hào)線G21進(jìn)一步用于與電流源111連接,傳輸所述第一恒定直流信號(hào)。所述第二信號(hào)線G22與所述第三信號(hào)線G23進(jìn)一步用于與一處理電路113連接。所述第二信號(hào)線G22與所述第三信號(hào)G23在所述傳感單元131與所述處理電路113之間并行傳輸電流信號(hào)。當(dāng)有手指接近或觸摸感測(cè)電極14而引起參考信號(hào)的變化時(shí),所述第二信號(hào)線G22與所述第三信號(hào)G23在所述傳感單元131與所述處理電路113之間并行傳輸?shù)诙涣餍盘?hào);當(dāng)未有手指接近或觸摸感測(cè)電極14時(shí),所述第二信號(hào)線G22與所述第三信號(hào)G23在所述傳感單元131與所述處理電路113之間并行傳輸?shù)诙愣ㄖ绷餍盘?hào)。
[0143]所述掃描線群組Gl包括第一掃描線G11、第二掃描線G12、第三掃描線G13、和第四掃
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