1.一種半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，具備：
第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層，其隔著絕緣層設(shè)置于支承基板上；
第二導(dǎo)電型的第一阱區(qū)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的上部，且與所述絕緣層相離；
第一導(dǎo)電型的第二阱區(qū)，其設(shè)置于所述第一阱區(qū)的上部；以及
第一導(dǎo)電型的分離區(qū)，其以包圍所述第一阱區(qū)的方式設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的上部，且與所述第一阱區(qū)及所述絕緣層相離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
所述半導(dǎo)體層具有使所述第一阱區(qū)及所述分離區(qū)與所述絕緣層相離的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
所述第一阱區(qū)與所述絕緣層之間的距離為80μm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
所述半導(dǎo)體層具有使耗盡層與所述絕緣層相離的厚度，所述耗盡層是在對(duì)所述第一阱區(qū)施加了第一電位、并對(duì)所述第二阱區(qū)施加了與所述第一電位不同的第二電位時(shí)從所述半導(dǎo)體層與所述第一阱區(qū)之間的pn結(jié)界面擴(kuò)展的耗盡層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
所述第一阱區(qū)被施加第一電位，所述第二阱區(qū)被施加與所述第一電位不同的第二電位，所述分離區(qū)被施加基準(zhǔn)電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
所述第一電位和所述第二電位是使所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間的pn結(jié)在通常動(dòng)作下反向偏置的電位。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，還具備：
第一有源元件，該第一有源元件的第一導(dǎo)電型的第一主電極區(qū)和第二主電極區(qū)設(shè)置于所述第一阱區(qū)的上部；以及
第二有源元件，該第二有源元件的第二導(dǎo)電型的第一主電極區(qū)和第二主電極區(qū)設(shè)置于所述第二阱區(qū)的上部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
還具備由所述第一有源元件與所述第二有源元件串聯(lián)連接而成的柵極驅(qū)動(dòng)電路，
作為所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)對(duì)象的開關(guān)元件的柵極連接于所述第一有源元件與所述第二有源元件之間的連接點(diǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
還具備由所述第一有源元件與所述第二有源元件串聯(lián)連接而成的柵極驅(qū)動(dòng)電路，
在將由高壓側(cè)的開關(guān)元件與低壓側(cè)的開關(guān)元件串聯(lián)連接而成的高端電路作為所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)對(duì)象時(shí)，所述高壓側(cè)的開關(guān)元件的柵極連接于所述第一有源元件與所述第二有源元件之間的連接點(diǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，
所述第一有源元件和所述第二有源元件各自的第二主電極區(qū)相連接，所述第一有源元件的第一主電極區(qū)被施加所述第一電位，所述第二有源元件的第一主電極區(qū)被施加所述第二電位。
11.一種半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，具備：
第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層，其設(shè)置在絕緣層上；
第二導(dǎo)電型的第一阱區(qū)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的上部，且與所述絕緣層相離；
第一導(dǎo)電型的第二阱區(qū)，其設(shè)置于所述第一阱區(qū)的上部；以及
第一導(dǎo)電型的分離區(qū)，其以包圍所述第一阱區(qū)的方式設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的上部，且與所述第一阱區(qū)及所述絕緣層相離。